Gehäusezeichnung TO-247
- Max. Drain-Source-Spannun
- 1200
- Max. Dauer-Drainstrom
- 12
- Max. Drain-Source-Widerst
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
MDmesh-K5-Prozess im TO-247-Gehäuse, für Leistungswandlung mit Dreiphaseneingang und Hochspannungsgleichstrom
Der STW12N120K5 ist ein 1200-V-N-Kanal-MOSFET im MDmesh-K5-Superjunction-Prozess von STMicroelectronics mit 12 A Dauer-Drainstrom im bedrahteten dreipoligen TO-247-Gehäuse für den Einsatz mit Kühlkörper. Die 1200-V-Klasse zielt vor allem auf 380-V-Dreiphaseneingänge, Hochspannungs-Gleichstrombusse in Photovoltaik und Speichern sowie Industrienetzteile mit sehr hohem Spannungsreservebedarf.
- Max. Drain-Source-Spannung
- 1200
- Max. Dauer-Drainstrom.
- 12
- Max. Drain-Source-Widerstand
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- Bezeichnung der Standardverpackung
- TO-247
- Gehäuse laut Lieferant
- TO-247
Hersteller-Teilenummer STW12N120K5 · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
Bei 380 V AC Eingang liegt der Bus nach der Gleichrichtung bei etwa 540 V; für Reserve sind 1200-V-Bauteile nötig.
Hersteller von PV-Wechselrichtern und Speicher-PCS
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
Hochspannungs-Schaltanwendungen hoher Leistung benötigen TO-247 mit Kühlkörper.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 Die Schaltverluste des IGBT sind bei hoher Frequenz zu groß 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 Lange Beschaffungszeit für 1200-V-Bauteile 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- 1200 V Sperrspannung lassen ausreichend Reserve für Dreiphaseneingang und Hochspannungs-Gleichstrombus
- Anders als beim IGBT entsteht beim Superjunction-Prozess kein Tailstrom, höhere Schaltfrequenzen sind möglich
- Das TO-247-Gehäuse mit Kühlkörper verträgt hohe Verlustleistung
- MDmesh K5 erreicht in der 1200-V-Klasse einen vergleichsweise niedrigen Durchgangswiderstand
BESCHAFFUNGSHINWEIS
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU-RoHS | Konform mit Ausnahme |
|---|---|
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Ja |
| SVHC über Schwellenwert | Ja |
| Automotive | Nein |
| PPAP | Nein |
| Produktkategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Einfach |
| Prozesstechnologie | Mdmesh K5 |
| Kanalmodus | Anreicherungstyp |
| Kanaltyp | N |
| Anzahl Elemente pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Gate-Schwellenspannung (V) | 5 |
| Max. Dauer-Drainstrom (A) | 12 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. IDSS (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 690@10V |
| Typische Gate-Ladung @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| Typische Eingangskapazität @ Vds (pF) | 1370@100V |
| Max. Verlustleistung (mW) | 250000 |
| Typische Fallzeit (ns) | 18.5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 11 |
| Typische Ausschaltverzögerung (ns) | 68.5 |
| Typische Einschaltverzögerung (ns) | 23 |
| Min. Betriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Stangenmagazin |
| Gehäuse laut Lieferant | TO-247 |
| Pinanzahl | 3 |
| Bezeichnung der Standardverpackung | TO-247 |
| Montage | Durchsteckmontage |
| Gehäusehöhe | 20.15(Max) |
| Gehäuselänge | 15.75(Max) |
| Gehäusebreite | 5.15(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Kühlfahne | Kühlfahne |
| Anschlussform | Durchsteckmontage |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | IGBT derselben Klasse | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
Leiten Sie den erforderlichen Wärmewiderstand aus der realen Verlustleistung und der Zielsperrschichttemperatur ab. Der Kontaktwärmewiderstand zwischen TO-247 und Kühlkörper hängt stark von Wärmeleitpaste und Anzugsmoment ab; empfohlen sind 0,6 bis 0,8 N·m.
-
绝缘处理
Bei 1200-V-Anwendungen muss die Kühlkörperisolierung zuverlässig sein. Wir empfehlen ein wärmeleitendes Isolierpad, die Prüfung seiner Spannungsklasse sowie den Abgleich der Kriechstrecken.
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
Wir empfehlen einen isolierten Treiber-IC, die Abstimmung mit 22 Ω Gatewiderstand zu beginnen und negatives Abschalten vorzusehen, um Fehlansteuerung zu verhindern.
-
降额使用
Wir empfehlen, 900 V reale Busspannung nicht zu überschreiten, die Sperrschichttemperatur unter 125 ℃ und den Strom unter 7 A zu halten.
典型应用行业
新能源设备
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工业控制
SPS, Frequenzumrichter und Servoantriebe haben meist eine Produktlebensdauer von über 10 Jahren, während der Produktzyklus der Chiphersteller nur 5 bis 7 Jahre beträgt — die Langzeitverfügbarkeit ist der Kernkonflikt.…
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电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Gehäuse laut Lieferant
- D2PAK
- Montage
- Oberflächenmontag
- Betriebstemperatur
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Max. Drain-Source-Span.
- 600
- Max. Dauerstrom
- 20
- Max. Drain-Source-Span.
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Max. Drain-Source-Span.
- 250
- Max. Dauerstrom
- 10.9
- Max. Drain-Source-Span.
- 165@10V
Häufige Fragen zu STW12N120K5
Wie wählt man zwischen einem 1200-V-MOSFET und einem 1200-V-IGBT?
这个器件可以并联使用吗
Wie viele Pin-Varianten gibt es beim TO-247?
高压器件如何验证真伪
可以提供批次一致的大批量供货吗
Ich benötige Preis und Verfügbarkeit von STW12N120K5
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。