Esquema do encapsulamento TO-247
- Tensão dreno-fonte máx
- 1200
- Corrente contínua de dreno máx
- 12
- Resistência dreno-fonte máx
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
Processo MDmesh K5 em encapsulamento TO-247, para conversão de potência com entrada trifásica e alta tensão contínua
O STW12N120K5 é um MOSFET de canal N de 1200 V com processo de superjunção MDmesh K5 da STMicroelectronics, com 12 A de corrente contínua de dreno, em encapsulamento passante TO-247 de três pinos para usar com dissipador. A classe de 1200 V dirige-se sobretudo a entradas trifásicas de 380 V, a barramentos de alta tensão contínua de fotovoltaica e armazenamento, e a fontes industriais que exigem uma margem de tensão muito alta.
- Tensão dreno-fonte máxima
- 1200
- Corrente contínua de dreno máxima
- 12
- Resistência dreno-fonte máxima
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- Nome da embalagem padrão
- TO-247
- Encapsulamento do fornecedor
- TO-247
Referência de fábrica STW12N120K5 · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
Com entrada de 380 V AC, após retificar o barramento fica em cerca de 540 V e são precisos dispositivos de 1200 V para assegurar margem.
Fabricantes de inversores fotovoltaicos e PCS de armazenamento
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
As aplicações de comutação de alta tensão e alta potência necessitam de TO-247 com dissipador.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 As perdas de comutação do IGBT são excessivas a alta frequência 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 O prazo de compra de dispositivos de 1200 V é longo 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- Uma tensão de bloqueio de 1200 V deixa margem suficiente para entrada trifásica e barramento de alta tensão contínua
- Face ao IGBT, o processo de superjunção não tem corrente de cauda e admite frequências de comutação mais altas
- O encapsulamento TO-247 com dissipador admite uma potência elevada
- O MDmesh K5 alcança uma resistência em condução comparativamente baixa na classe de 1200 V
NOTA DE FORNECIMENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme com isenção |
|---|---|
| ECCN (EUA) | EAR99 |
| Estado da referência | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Sim |
| SVHC acima do limiar | Sim |
| Automóvel | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | Power MOSFET |
| Configuração | Simples |
| Tecnologia de processo | Mdmesh K5 |
| Modo de canal | De enriquecimento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensão dreno-fonte máxima (V) | 1200 |
| Tensão porta-fonte máxima (V) | ±30 |
| Tensão de limiar de porta máxima (V) | 5 |
| Corrente contínua de dreno máxima (A) | 12 |
| Corrente de fuga porta-fonte máxima (nA) | 10000 |
| IDSS máxima (uA) | 1 |
| Resistência dreno-fonte máxima (mOhm) | 690@10V |
| Carga de porta típica @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) | 1370@100V |
| Dissipação de potência máxima (mW) | 250000 |
| Tempo de descida típico (ns) | 18.5 |
| Tempo de subida típico (ns) | 11 |
| Atraso de desativação típico (ns) | 68.5 |
| Atraso de ativação típico (ns) | 23 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máxima (°C) | 150 |
| Embalagem | Tubo |
| Encapsulamento do fornecedor | TO-247 |
| Número de pinos | 3 |
| Nome da embalagem padrão | TO-247 |
| Montagem | Montagem passante |
| Altura do encapsulamento | 20.15(Max) |
| Comprimento do encapsulamento | 15.75(Max) |
| Largura do encapsulamento | 5.15(Max) |
| PCB redesenhada | 3 |
| Patilha | Patilha |
| Forma dos terminais | Montagem passante |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | IGBT da mesma classe | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
Deduza a resistência térmica necessária a partir da dissipação real e da temperatura de junção pretendida. A resistência térmica de contacto entre o TO-247 e o dissipador depende muito da massa térmica e do binário de aperto; recomendamos entre 0,6 e 0,8 N·m.
-
绝缘处理
Em aplicações de 1200 V o isolamento do dissipador deve ser fiável. Recomendamos uma almofada isolante térmica, verificar a sua classe de tensão e conferir também as distâncias de fuga.
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
Recomendamos um IC de driver isolado, começar a afinar com uma resistência de porta de 22 Ω e usar desativação com tensão negativa para evitar disparos espúrios.
-
降额使用
Recomendamos não ultrapassar 900 V de tensão de barramento real, manter a temperatura de junção abaixo de 125 ℃ e a corrente abaixo de 7 A.
典型应用行业
新能源设备
A potência dos inversores fotovoltaicos, dos PCS de armazenamento e dos carregadores não para de subir, e os dispositivos de alta tensão e alta corrente estão há muito escassos.…
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工业控制
Os PLC, variadores e servoacionamentos têm normalmente uma vida de produto superior a 10 anos, enquanto o ciclo dos fabricantes de chips é de apenas 5 a 7 anos: o fornecimento a longo prazo é a contradição de fundo.…
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电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Encapsulamento do fornecedor
- D2PAK
- Montagem
- Montagem em superfíci
- Temperatura de funcionamento
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Tensão dreno-fonte máx.
- 600
- Corrente contínua máx.
- 20
- Tensão dreno-fonte máx.
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensão dreno-fonte máx.
- 250
- Corrente contínua máx.
- 10.9
- Tensão dreno-fonte máx.
- 165@10V
Perguntas frequentes sobre STW12N120K5
Como escolher entre um MOSFET de 1200 V e um IGBT de 1200 V?
这个器件可以并联使用吗
Quantas variantes de pinagem tem o TO-247?
高压器件如何验证真伪
可以提供批次一致的大批量供货吗
Preciso de preço e stock de STW12N120K5
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。