二极管 三极管
MOSFET · IGBT · Gleichrichter · TVS · Transistoren
Diskrete Leistungsbauelemente bestimmen unmittelbar Wirkungsgrad, Erwärmung und Zuverlässigkeit von Stromversorgungen und Treiberschaltungen. Huaxuan Technology liefert MOSFETs mit N- und P-Kanal, IGBT-Einzelbauteile und -Module, Schottky- und Fast-Recovery-Gleichrichter, TVS- und ESD-Schutz, Bipolar- und Darlington-Transistoren und deckt den Bereich von 20 V bis 1700 V ab.
谁最需要这一类物料
开关电源与充电器厂商
Zwischen Wirkungsgrad, Kosten und Erwärmung ist das beste Verhältnis von RDS(on) und Qg zu finden.
电机驱动与变频器厂商
关注雪崩耐量、体二极管反向恢复与栅极电荷的一致性。
新能源与储能设备厂商
高压高电流场景对器件降额与批次一致性要求极高。
汽车电子与照明厂商
需要车规认证、高结温能力与长期供货保证。
这一类物料上最常见的四个坑
这些问题的共同点是：出问题时已经在产线上或在客户手里，返工成本远高于采购成本。
- 01 同一料号不同批次参数漂移 产线良率忽高忽低，问题难以定位。
- 02 替代型号选型没有依据 Ein Vergleich nur nach Spannung und Strom, ohne Qg und Coss, senkt den Wirkungsgrad.
- 03 高压器件现货稀缺 Hochstromtransistoren über 600 V sind seit Langem nicht lieferbar, das Projekt steht.
- 04 贴片管来料氧化 过炉后虚焊，批量返修。
从华铉科技采购能得到什么
- Wir schlagen Alternativen anhand der Schlüsselparameter RDS(on), Qg, Coss und Eas vor
- 同一料号尽量同批次交付，参数一致性有保障
- Das Material kommt in feuchtigkeitsdichter Vakuumverpackung mit klar gekennzeichneter MSL-Stufe
- Wir stellen Datenblatt und Vergleichstabellen der Schlüsselparameter zur Auswahlunterstützung bereit
经营范围与规格覆盖
| 主要品类 | MOSFET mit N-Kanal / P-Kanal, IGBT-Einzelbauteile und -Module, Schottky, Fast-Recovery, TVS, ESD und Transistoren |
|---|---|
| 电压范围 | 20V bis 1700V |
| 电流范围 | 0.1A bis 600A |
| 封装形式 | SOT-23、SOT-223、DPAK (TO-252)、D2PAK (TO-263)、TO-220、TO-247、TO-3P、TDSON-8、SOP Advance、MicroFET |
| 工作温度 | -55 至 175℃ |
| 包装方式 | 编带卷装、管装、散装、托盘 |
本分类站内已建档料号
点击查看完整规格表、同类对比、使用指南与常见问题。未列出的料号请直接询价。
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Max. Drain-Source-Span.
- 250
- Max. Dauerstrom
- 10.9
- Max. Drain-Source-Span.
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Max. Drain-Source-Span.
- 30
- Max. Dauerstrom
- 9
- Max. Drain-Source-Span.
- 19@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Max. Drain-Source-Span.
- 150
- Max. Dauerstrom
- 33
- Max. Drain-Source-Span.
- 42@10V
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Gehäuse laut Lieferant
- D2PAK
- Montage
- Oberflächenmontag
- Betriebstemperatur
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Max. Drain-Source-Span.
- 1200
- Max. Dauerstrom
- 12
- Max. Drain-Source-Span.
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Max. Drain-Source-Span.
- 600
- Max. Dauerstrom
- 20
- Max. Drain-Source-Span.
- 190@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Max. Drain-Source-Span.
- 100
- Max. Dauerstrom
- 42
- Max. Drain-Source-Span.
- 13.6@10V
主要应用行业
不同行业对同一类器件的要求差别很大。点击进入行业页查看该行业的具体痛点与常用器件。
本分类主要合作品牌
晶体二极管、三极管
相关分类
Integrierte Schaltkreise IC
MCU · Power-Management · Treiber · Speicher · Schnittstellen
进入分类 →电容器
MLCC · Elektrolyt · Folie · Tantal
进入分类 →电阻器
厚膜 · 薄膜 · 合金采样 · 大功率
进入分类 →电感器
功率电感 · 一体成型 · 共模 · 磁珠
进入分类 →连接器
线对板 · 板对板 · 射频 · 汽车连接器
进入分类 →继电器
功率 · 信号 · 固态 · 汽车继电器
进入分类 →传感器
温湿度 · 压力 · 光电 · 磁电流
进入分类 →