跳到主要内容
华铉科技 标志

Схема корпуса TO-247

Макс. напряжение сток-исто
1200
Макс. непрерывный ток стока
12
Макс. сопротивление сток-исток
690@10V
Typical Gate Charge @ 10V
44.2
STMicroelectronics · сверхвысоковольтный силовой MOSFET

STW12N120K5

Технология MDmesh K5 в корпусе TO-247 — для силового преобразования с трёхфазным входом и высоковольтным постоянным током

STW12N120K5 — MOSFET с каналом N на 1200 В по суперпереходной технологии MDmesh K5 от STMicroelectronics, с непрерывным током стока 12 А, в трёхвыводном корпусе TO-247 для монтажа с радиатором. Класс 1200 В ориентирован прежде всего на трёхфазный вход 380 В, высоковольтные шины постоянного тока в фотовольтаике и накопителях и на промышленные источники, требующие очень большого запаса по напряжению.

Макс. напряжение сток-исток
1200
Макс. непрерывный ток стока.
12
Макс. сопротивление канала
690@10V
Typical Gate Charge @ 10V (n
44.2
Название стандартной упаковки
TO-247
Корпус по классификации поставщика
TO-247

Заводской артикул STW12N120K5 · минимальный заказ 1 шт. · отгрузка со склада за 1–3 рабочих дня

Кому подходит

谁最能从这颗器件中受益

三相工业电源厂商

При входе 380 В AC после выпрямления шина около 540 В, и для запаса нужны приборы на 1200 В.

Производители фотоинверторов и PCS накопителей

直流母线电压高,对器件耐压与可靠性要求严苛。

充电桩与电源模块厂商

高压直流变换环节的主开关器件。

工业加热与焊机厂商

Мощные высоковольтные ключевые применения требуют TO-247 с радиатором.

Какие задачи решает

它能解决的实际问题

选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。

  • 01 Коммутационные потери IGBT слишком велики на высокой частоте 拖尾电流限制了开关频率的提升。
  • 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
  • 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
  • 04 Длинный срок закупки приборов на 1200 В 高压器件产能有限,渠道现货稀缺。
Ключевые преимущества

核心优势

  • Напряжение 1200 В оставляет достаточный запас для трёхфазного входа и высоковольтной шины постоянного тока
  • В отличие от IGBT, суперпереходная технология не даёт хвостового тока и допускает более высокие частоты
  • Корпус TO-247 с радиатором выдерживает большую мощность
  • MDmesh K5 обеспечивает сравнительно низкое сопротивление канала в классе 1200 В

ЗАМЕТКА ПО СНАБЖЕНИЮ

这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。

Технические характеристики

完整技术规格

Техническая спецификация STW12N120K5
RoHS ЕССоответствует с исключением
ECCN (США)EAR99
Статус позицииВыпускается
HTS8541.29.00.95
SVHCДа
SVHC превышает порогДа
АвтомобильныйНет
PPAPНет
Категория продуктаPower MOSFET
КонфигурацияОдиночный
Технология изготовленияMdmesh K5
Режим каналаОбогащённого типа
Тип каналаN
Число элементов в кристалле1
Макс. напряжение сток-исток (В)1200
Макс. напряжение затвор-исток (В)±30
Макс. пороговое напряжение затвора (В)5
Макс. непрерывный ток стока (А)12
Макс. ток утечки затвор-исток (нА)10000
Макс. IDSS (мкА)1
Макс. сопротивление сток-исток (мОм)690@10V
Типовой заряд затвора при Vgs (нКл)44.2@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)44.2
Типовая входная ёмкость при Vds (пФ)1370@100V
Макс. рассеиваемая мощность (мВт)250000
Типовое время спада (нс)18.5
Типовое время нарастания (нс)11
Типовая задержка выключения (нс)68.5
Типовая задержка включения (нс)23
Мин. рабочая температура (°C)-55
Макс. рабочая температура (°C)150
УпаковкаТуба
Корпус по классификации поставщикаTO-247
Число выводов3
Название стандартной упаковкиTO-247
МонтажМонтаж в отверстия
Высота корпуса20.15(Max)
Длина корпуса15.75(Max)
Ширина корпуса5.15(Max)
Плата переработана3
ФланецФланец
Форма выводовМонтаж в отверстия
Сравнение

与相邻档位器件的对比

选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。

关注指标STW12N120K5 MOSFETIGBT того же классаSiC MOSFET
开关频率上限较高较低 受拖尾电流限制最高
导通损耗特性随电流平方增长压降相对恒定低且随温度变化小
大电流下表现一般更优优
成本中等中等较高
选型建议中等电流高频场景大电流低频场景追求极致效率且成本可接受
Руководство по применению

使用与设计要点

以下要点来自实际项目中反复出现的问题,比数据手册的极限参数更接近工程现场。

联系工程支持
  1. 散热片选型

    Требуемое тепловое сопротивление выводите из реальных потерь и целевой температуры перехода. Контактное сопротивление между TO-247 и радиатором сильно зависит от термопасты и момента затяжки — рекомендуем 0,6–0,8 Н·м.

  2. 绝缘处理

    В применениях на 1200 В изоляция радиатора должна быть надёжной. Рекомендуем теплопроводящую изолирующую прокладку, проверку её класса напряжения и контроль путей утечки.

  3. 体二极管使用

    超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。

  4. 栅极驱动

    Рекомендуем изолированный драйвер, начинать подбор с затворного резистора 22 Ом и применять запирание отрицательным напряжением, чтобы исключить ложное отпирание.

  5. 降额使用

    Рекомендуем не превышать 900 В реального напряжения шины, держать температуру перехода ниже 125 ℃, а ток — ниже 7 А.

Частые вопросы

Частые вопросы о STW12N120K5

Как выбрать между MOSFET на 1200 В и IGBT на 1200 В?
Решают прежде всего частота переключения и ток. Выше 30 кГц и при умеренном токе явное преимущество у MOSFET — нет хвостового тока; при очень больших токах и низкой частоте выгоднее почти постоянное падение IGBT. В промежуточных случаях лучше решать после расчёта потерь в реальных условиях.
这个器件可以并联使用吗
Да: положительный температурный коэффициент MOSFET способствует автоматическому выравниванию токов при параллельном включении. Тем не менее рекомендуем приборы одной партии, отдельный затворный резистор на каждый транзистор и симметричную по импедансу разводку платы или шин.
Сколько вариантов выводов есть у TO-247?
常见有三脚和四脚版本。四脚版本增加了开尔文源极引脚,可显著降低共源电感对开关速度的影响。两者不能直接互换,选型时须确认引脚数。
高压器件如何验证真伪
Высоковольтные приборы — главная зона риска перемаркированных подделок. Помимо обычного визуального контроля, для них мы добавляем испытание напряжения пробоя сток-исток и измеряем, достигает ли BVDSS номинала: это самый прямой критерий.
可以提供批次一致的大批量供货吗
可以。批量订单我们会尽量安排同一批次交付并在合同中注明,对于跨批次的情况会提前告知并提供各批次的检验记录。
下一步

Нужны цена и наличие STW12N120K5

把需求数量与交期发给我们,现货当天确认,调货料号一并给出准确交期。1 片起订。

电话咨询