رسم توضيحي لغلاف TO-247
- أقصى جهد مصرف-منب
- 1200
- أقصى تيار مصرف مستمر
- 12
- أقصى مقاومة مصرف-منبع
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
تقنية MDmesh K5 في غلاف TO-247، لتحويل القدرة بدخل ثلاثي الطور وجهد مستمر عالٍ
STW12N120K5 هو MOSFET بقناة N وجهد 1200 فولت بتقنية الوصلة الفائقة MDmesh K5 من STMicroelectronics، بتيار مصرف مستمر 12 أمبير، في غلاف TO-247 ثلاثي الأطراف عبر الثقوب يُستخدم مع مشتّت حراري. وتستهدف فئة 1200 فولت أساساً الدخل ثلاثي الطور بجهد 380 فولت، والنواقل المستمرة عالية الجهد في الطاقة الشمسية وتخزينها، ومصادر التغذية الصناعية التي تتطلّب هامش جهد مرتفعاً جداً.
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 1200
- أقصى تيار مصرف مستمرّ
- 12
- أقصى مقاومة بين المصرف والمنبع
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- اسم التعبئة القياسية
- TO-247
- غلاف المورّد
- TO-247
رقم القطعة الأصلي STW12N120K5 · حد أدنى للطلب قطعة واحدة · الشحن من المخزون خلال 1 إلى 3 أيام عمل
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
عند دخل 380 فولت متردّد يبلغ الناقل بعد التقويم نحو 540 فولت، وتلزم مكوّنات 1200 فولت لضمان الهامش.
مصنّعو عاكسات الطاقة الشمسية وأنظمة تحويل تخزين الطاقة
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
تحتاج تطبيقات التبديل عالية الجهد والقدرة غلاف TO-247 مع مشتّت حراري.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 خسائر التبديل في IGBT مرتفعة عند الترددات العالية 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 مهلة شراء مكوّنات 1200 فولت طويلة 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- جهد تحمّل 1200 فولت يترك هامشاً كافياً للدخل ثلاثي الطور والناقل المستمر عالي الجهد
- بخلاف IGBT، لا تنتج تقنية الوصلة الفائقة تيار ذيل، وتسمح بترددات تبديل أعلى
- غلاف TO-247 مع مشتّت حراري يتحمّل قدرة كبيرة
- تحقّق تقنية MDmesh K5 مقاومة توصيل منخفضة نسبياً في فئة 1200 فولت
ملاحظة توريد
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS الأوروبية | مطابق مع إعفاء |
|---|---|
| ECCN (الولايات المتحدة) | EAR99 |
| حالة القطعة | نشط |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | نعم |
| SVHC يتجاوز الحد | نعم |
| السيارات | لا |
| PPAP | لا |
| فئة المنتج | Power MOSFET |
| التهيئة | مفرد |
| تقنية التصنيع | Mdmesh K5 |
| نمط القناة | تعزيزي |
| نوع القناة | N |
| عدد العناصر في الرقاقة | 1 |
| أقصى جهد مصرف-منبع (V) | 1200 |
| أقصى جهد بوابة-منبع (V) | ±30 |
| أقصى جهد عتبة البوابة (V) | 5 |
| أقصى تيار مصرف مستمر (A) | 12 |
| أقصى تيار تسرّب بوابة-منبع (nA) | 10000 |
| أقصى IDSS (uA) | 1 |
| أقصى مقاومة مصرف-منبع (mOhm) | 690@10V |
| شحنة البوابة النموذجية عند Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| سعة الدخل النموذجية عند Vds (pF) | 1370@100V |
| أقصى تبديد للقدرة (mW) | 250000 |
| زمن الهبوط النموذجي (ns) | 18.5 |
| زمن الصعود النموذجي (ns) | 11 |
| زمن تأخير الإطفاء النموذجي (ns) | 68.5 |
| زمن تأخير التشغيل النموذجي (ns) | 23 |
| أدنى حرارة تشغيل (°م) | -55 |
| أقصى حرارة تشغيل (°م) | 150 |
| التغليف | أنبوب |
| غلاف المورّد | TO-247 |
| عدد الأطراف | 3 |
| اسم التعبئة القياسية | TO-247 |
| التركيب | تركيب عبر الثقوب |
| ارتفاع الغلاف | 20.15(Max) |
| طول الغلاف | 15.75(Max) |
| عرض الغلاف | 5.15(Max) |
| تغيّرت لوحة الدارة | 3 |
| لسان التثبيت | لسان التثبيت |
| شكل الأطراف | تركيب عبر الثقوب |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | IGBT من الفئة نفسها | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
استنتج المقاومة الحرارية المطلوبة من القدرة المهدورة الفعلية وحرارة الوصلة المستهدفة. فالمقاومة الحرارية التماسية بين غلاف TO-247 والمشتّت تتأثّر كثيراً بالمعجون الحراري وعزم الربط، ونوصي بعزم بين 0.6 و0.8 نيوتن·متر.
-
绝缘处理
في تطبيقات 1200 فولت يجب أن يكون عزل المشتّت الحراري موثوقاً. نوصي باستخدام وسادة عازلة موصّلة للحرارة والتحقّق من فئة جهدها، مع مراجعة مسافات الزحف.
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
نوصي باستخدام دارة قيادة معزولة، وبدء الضبط بمقاومة بوابة 22 أوم، وتهيئة الإطفاء بجهد سالب لمنع التشغيل الخاطئ.
-
降额使用
نوصي بألّا يتجاوز جهد الناقل الفعلي 900 فولت، وبإبقاء حرارة الوصلة دون 125 درجة مئوية والتيار دون 7 أمبير.
典型应用行业
新能源设备
تتزايد مستويات القدرة في عاكسات الطاقة الشمسية وأنظمة تحويل تخزين الطاقة وشواحن المركبات، بينما تعاني مكوّنات الجهد العالي والتيار العالي نقصاً مزمناً.…
查看行业方案 →
工业控制
تتجاوز أعمار منتجات وحدات PLC والمحوّلات الترددية ومشغّلات السيرفو عشر سنوات عادةً، بينما لا تتعدّى دورة حياة منتجات مصنّعي الرقائق 5 إلى 7 سنوات، فيغدو التوريد طويل الأمد جوهر التناقض.…
查看行业方案 →
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
查看行业方案 →
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- غلاف المورّد
- D2PAK
- التركيب
- تركيب سطح
- حرارة التشغيل
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 600
- أقصى تيار مستمر
- 20
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 250
- أقصى تيار مستمر
- 10.9
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 165@10V
الأسئلة الشائعة حول STW12N120K5
كيف نختار بين MOSFET بجهد 1200 فولت وIGBT بالجهد نفسه؟
这个器件可以并联使用吗
كم نسخة من ترتيب الأطراف يوجد لغلاف TO-247؟
高压器件如何验证真伪
可以提供批次一致的大批量供货吗
أحتاج سعر ومخزون STW12N120K5
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。