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华铉科技 标志

Gehäusezeichnung TO-263 D2PAK

Gehäuse laut Lieferant
D2PAK
Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur
-55 to 150 °C
RDS-on
0.8@10V Ohm
STMicroelectronics · Ultrahochspannungs-Leistungs-MOSFET

STB10N95K5

MDmesh-K5-Prozess im SMD-Gehäuse D2PAK, für Schaltnetzteile mit Weitbereichseingang und hohen Spitzen

Der STB10N95K5 ist ein N-Kanal-MOSFET im MDmesh-K5-Superjunction-Prozess von STMicroelectronics: 950 V Drain-Source-Spannung, 8 A Dauer-Drainstrom und 0,8 Ω Durchgangswiderstand im SMD-Gehäuse D2PAK, also TO-263. Die 950 V sind eine Klasse mit großer Reserve, ausgelegt für Weitbereichseingänge, hohe Abschaltspitzen oder schlechte Netzverhältnisse.

Gehäuse laut Lieferant
D2PAK
Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur
-55 to 150 °C
RDS-on
0.8@10V Ohm
Spannung
600
Kanaltyp
N
Preis und Verfügbarkeit über WhatsApp 邮件询价 Linecard als PDF herunterladen

Hersteller-Teilenummer STB10N95K5 · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen

Für wen es gedacht ist

谁最能从这颗器件中受益

宽压输入电源厂商

Ein Weitbereichseingang von 85 V bis 305 V AC verlangt größere Spannungsreserve.

工业与户外电源厂商

电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。

高压辅助电源厂商

Busszenarien nach Dreiphasengleichrichtung erfordern Bauteile über 900 V.

Hersteller von LED-Treibern und Vorschaltgeräten

感性负载关断尖峰高，需要额外耐压裕量。

Welche Probleme es löst

它能解决的实际问题

选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。

  • 01 600-V-Bauteile brechen in schlechten Netzen häufig durch 尖峰电压超出额定值，售后失效率居高不下。
  • 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路，牺牲效率。
  • 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装，无法适配全贴片产线。
  • 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少，交期长。
Wichtigste Vorteile

核心优势

  • 950 V Sperrspannung bieten ausreichende Sicherheitsreserve für Weitbereichseingang und hohe Spitzen
  • Der Superjunction-Prozess MDmesh K5 erreicht in den Ultrahochspannungsklassen einen niedrigen Durchgangswiderstand
  • Das SMD-Gehäuse D2PAK passt zu reinen SMD-Linien, Wellenlöten ist nicht erforderlich
  • -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境

BESCHAFFUNGSHINWEIS

这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。

Technische Daten

完整技术规格

Technisches Datenblatt STB10N95K5
Anreicherungstyp
KanaltypN
Max. Prozesstemperatur245
Max. Dauer-Drainstrom8:00 AM
Max. Drain-Source-Spannung950 V
Max. Gate-Source-Spannung±30 V
MontageOberflächenmontage
MSL-StufeMSL 1 - Unlimited
Betriebstemperatur-55 to 150 °C
Produktabmessungen10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max)
RDS-on0.8@10V Ohm
Gehäuse laut LieferantD2PAK
Typische Fallzeit15 ns
Typische Anstiegszeit14 ns
Typische Ausschaltverzögerung51 ns
Typische Einschaltverzögerung22 ns
Spannung600
Vergleich

与相邻档位器件的对比

选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。

关注指标STB10N95K5 950VBauteile der 600V-KlasseBauteile der 1200V-Klasse
漏源耐压950V600V1200V
适用输入Weitbereich AC 85 V bis 305 VAC 176V bis 264V三相或高压直流
导通电阻0.8Ω@10V通常更低通常更高
封装形式D2PAK in SMD-Montage多种Meist TO-247
选型建议宽压输入与高尖峰的平衡选择Standardeingang 220 V三相与高压直流系统
Anwendungsleitfaden

使用与设计要点

以下要点来自实际项目中反复出现的问题，比数据手册的极限参数更接近工程现场。

联系工程支持

  1. Thermisches Design des D2PAK

    Das rückseitige Pad des D2PAK ist die Drain-Kühlfläche: Die Platine braucht eine große Kupferfläche mit dichten Durchkontaktierungen. Mit jeder Verdopplung der Kupferfläche sinkt der Wärmewiderstand um etwa 15 % bis 25 %.

  2. 高压爬电距离

    Die Leiterbahnen rund um ein 950-V-Bauteil müssen die zugehörigen Kriech- und Luftstrecken einhalten; wir empfehlen die Berechnung nach IEC 60664 mit Reserve.

  3. 栅极驱动

    Superjunction-Bauteile schalten sehr schnell: Beginnen Sie die Abstimmung mit 20 Ω Gatewiderstand, denn zu schnelles Schalten verstärkt EMV und Ringing.

  4. 降额使用

    Wir empfehlen, 750 V reale Betriebsspannung nicht zu überschreiten, die Sperrschichttemperatur unter 125 ℃ und den Strom unter 5 A zu halten.

  5. 缓冲设计

    Auch bei 950 V Reserve empfehlen wir, den RCD-Snubber beizubehalten, um EMV zu senken und die Bauteilbelastung zu verbessern.

Anwendungen

典型应用行业

拆开外壳的开关电源内部结构 电源管理 电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。… 查看行业方案 → LED-Straßenbeleuchtung städtischer Straßen LED-Beleuchtung 照明产品毛利薄且寿命承诺长，驱动电源上的电解电容与开关管往往是最先失效的环节。… 查看行业方案 → 自动化产线上的工业机器人与控制柜 工业控制 SPS, Frequenzumrichter und Servoantriebe haben meist eine Produktlebensdauer von über 10 Jahren, während der Produktzyklus der Chiphersteller nur 5 bis 7 Jahre beträgt — die Langzeitverfügbarkeit ist der Kernkonflikt.… 查看行业方案 →
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Häufige Fragen

Häufige Fragen zu STB10N95K5

Erlaubt ein 950-V-Bauteil den Verzicht auf die Snubber-Schaltung?
Wir raten davon ab. Mehr Spannungsreserve senkt das Durchbruchrisiko, doch EMV und Bauteilbelastung durch die Abschaltspitze bleiben bestehen. Den Snubber beizubehalten hilft deutlich bei EMV-Prüfungen und der Langzeitzuverlässigkeit des Geräts.
Was ist der MDmesh-K5-Prozess?
Das ist die Superjunction-Prozessfamilie von STMicroelectronics. Gegenüber dem klassischen Planarprozess senkt die Superjunction-Struktur den Durchgangswiderstand bei gleicher Sperrspannung deutlich — zum Preis eines Bodydiode-Rückstromverhaltens, das in hart schaltenden Brückentopologien besondere Beachtung verlangt.
Lässt sich das D2PAK wellenlöten?
Das D2PAK ist ein SMD-Gehäuse, sein Standardprozess ist Reflow. Manche Linien setzen es auf die Sekundärseite von Mischbestückungen mit selektivem Wellenlöten ein, doch das Thermoschockrisiko muss bewertet werden; als Regelprozess empfehlen wir es nicht.
Lassen sich 8 A dauerhaft nutzen?
Nein. Die 8 A sind die Chipfähigkeit unter idealen Entwärmungsbedingungen. Auf einer realen Leiterplatte und angesichts des Anstiegs des Durchgangswiderstands von 0,8 Ω auf über 1,5 Ω bei hoher Temperatur sollte der Dauerstrom üblicherweise zwischen 3 A und 5 A liegen.
这个型号的交期一般多久
超高压档位器件的渠道库存相对有限。我们会在报价时明确告知当前的现货数量与调货交期，不做无法兑现的交期承诺。
下一步

Ich benötige Preis und Verfügbarkeit von STB10N95K5

把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。

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