Esquema del encapsulado TO-247
- Tensión drenador-fuente máx
- 1200
- Corriente continua de drenador máx
- 12
- Resistencia drenador-fuente máx
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
Proceso MDmesh K5 en encapsulado TO-247, para conversión de potencia con entrada trifásica y alta tensión continua
El STW12N120K5 es un MOSFET de canal N de 1200 V con proceso de superunión MDmesh K5 de STMicroelectronics, con 12 A de corriente continua de drenador, en encapsulado pasante TO-247 de tres patillas para usar con disipador. La clase de 1200 V se dirige sobre todo a entradas trifásicas de 380 V, a buses de alta tensión continua de fotovoltaica y almacenamiento, y a fuentes industriales que exigen un margen de tensión muy alto.
- Tensión drenador-fuente máxima
- 1200
- Corriente continua de drenador máxima
- 12
- Resistencia drenador-fuente máxima
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- Nombre del embalaje estándar
- TO-247
- Encapsulado del proveedor
- TO-247
Referencia de fábrica STW12N120K5 · pedido mínimo 1 unidad · stock enviado en 1 a 3 días hábiles
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
Con entrada de 380 V CA, tras rectificar el bus queda en unos 540 V y hacen falta dispositivos de 1200 V para asegurar margen.
Fabricantes de inversores fotovoltaicos y PCS de almacenamiento
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
Las aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta potencia necesitan TO-247 con disipador.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 Las pérdidas de conmutación del IGBT son excesivas a alta frecuencia 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 El plazo de compra de dispositivos de 1200 V es largo 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- Una tensión de bloqueo de 1200 V deja margen suficiente para entrada trifásica y bus de alta tensión continua
- Frente al IGBT, el proceso de superunión no tiene corriente de cola y admite frecuencias de conmutación más altas
- El encapsulado TO-247 con disipador admite una potencia elevada
- El MDmesh K5 alcanza una resistencia en conducción comparativamente baja en la clase de 1200 V
NOTA DE ABASTECIMIENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme con exención |
|---|---|
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la referencia | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Sí |
| SVHC por encima del umbral | Sí |
| Automoción | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | Power MOSFET |
| Configuración | Simple |
| Tecnología de proceso | Mdmesh K5 |
| Modo de canal | De enriquecimiento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensión drenador-fuente máxima (V) | 1200 |
| Tensión puerta-fuente máxima (V) | ±30 |
| Tensión umbral de puerta máxima (V) | 5 |
| Corriente continua de drenador máxima (A) | 12 |
| Corriente de fuga puerta-fuente máxima (nA) | 10000 |
| IDSS máxima (uA) | 1 |
| Resistencia drenador-fuente máxima (mOhm) | 690@10V |
| Carga de puerta típica @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) | 1370@100V |
| Disipación de potencia máxima (mW) | 250000 |
| Tiempo de bajada típico (ns) | 18.5 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 11 |
| Retardo de apagado típico (ns) | 68.5 |
| Retardo de encendido típico (ns) | 23 |
| Temperatura de trabajo mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de trabajo máxima (°C) | 150 |
| Embalaje | Tubo |
| Encapsulado del proveedor | TO-247 |
| Número de pines | 3 |
| Nombre del embalaje estándar | TO-247 |
| Montaje | Montaje pasante |
| Altura del encapsulado | 20.15(Max) |
| Longitud del encapsulado | 15.75(Max) |
| Ancho del encapsulado | 5.15(Max) |
| PCB rediseñada | 3 |
| Lengüeta | Lengüeta |
| Forma de los terminales | Montaje pasante |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | IGBT de la misma clase | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
Deduzca la resistencia térmica necesaria a partir de la disipación real y de la temperatura de unión objetivo. La resistencia térmica de contacto entre el TO-247 y el disipador depende mucho de la pasta térmica y del par de apriete; recomendamos entre 0,6 y 0,8 N·m.
-
绝缘处理
En aplicaciones de 1200 V el aislamiento del disipador debe ser fiable. Recomendamos una almohadilla aislante térmica, verificar su clase de tensión y comprobar además las distancias de fuga.
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
Recomendamos un IC de driver aislado, empezar a ajustar con una resistencia de puerta de 22 Ω y usar apagado con tensión negativa para evitar disparos espurios.
-
降额使用
Recomendamos no superar 900 V de tensión de bus real, mantener la temperatura de unión por debajo de 125 ℃ y la corriente por debajo de 7 A.
典型应用行业
新能源设备
La potencia de los inversores fotovoltaicos, los PCS de almacenamiento y los cargadores no deja de subir, y los dispositivos de alta tensión y alta corriente llevan mucho tiempo escaseando.…
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工业控制
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电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Encapsulado del proveedor
- D2PAK
- Montaje
- Montaje superficia
- Temperatura de trabajo
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Tensión drenador-fuente máx.
- 600
- Corriente continua máx.
- 20
- Tensión drenador-fuente máx.
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensión drenador-fuente máx.
- 250
- Corriente continua máx.
- 10.9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 165@10V
Preguntas frecuentes sobre STW12N120K5
¿Cómo elegir entre un MOSFET de 1200 V y un IGBT de 1200 V?
这个器件可以并联使用吗
¿Cuántas variantes de patillaje tiene el TO-247?
高压器件如何验证真伪
可以提供批次一致的大批量供货吗
Necesito precio y stock de STW12N120K5
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。