TO-247 패키지 외형도
- 최대 드레인-소스 전
- 1200
- 최대 연속 드레인 전
- 12
- 최대 드레인-소스 저
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
MDmesh K5 공정, TO-247 패키지 ― 삼상 입력·고압 직류 전력 변환용
STW12N120K5는 STMicroelectronics의 MDmesh K5 슈퍼정션 공정 기반 1200V N채널 MOSFET으로, 연속 드레인 전류는 12A이며 방열판과 함께 사용하는 TO-247 3핀 스루홀 패키지를 채택합니다. 1200V 등급은 주로 AC380V 삼상 입력, 태양광·ESS의 고압 직류 버스, 그리고 매우 높은 내압 여유가 필요한 산업용 전원을 겨냥합니다.
- 최대 드레인-소스 전압
- 1200
- 최대 연속 드레인 전류
- 12
- 최대 드레인-소스 저항
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- 표준 포장 명칭
- TO-247
- 공급사 패키지
- TO-247
제조사 품번 STW12N120K5 · 최소 주문 1개 · 재고품 1~3영업일 출하
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
AC380V 입력에서는 정류 후 버스가 약 540V가 되어, 여유 확보를 위해 1200V 소자가 필요합니다.
태양광 인버터·ESS PCS 제조사
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
대전력 고전압 스위칭 용도에는 TO-247과 방열판 조합이 필요합니다.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 IGBT는 고주파에서 스위칭 손실이 과도함 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 1200V 소자의 구매 리드타임이 길다 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- 1200V 내압이 삼상 입력과 고압 직류 버스에 충분한 여유를 남깁니다
- 슈퍼정션 공정은 IGBT와 달리 테일 전류가 없어 더 높은 스위칭 주파수에서 동작할 수 있습니다
- TO-247 패키지는 방열판과 함께 큰 손실을 견딥니다
- MDmesh K5는 1200V 등급에서 비교적 낮은 온 저항을 구현합니다
소싱 노트
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 면제 조항 포함 적합 |
|---|---|
| ECCN(미국) | EAR99 |
| 품번 상태 | 현행 생산 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | 예 |
| SVHC 임계값 초과 | 예 |
| 차량용 | 아니오 |
| PPAP | 아니오 |
| 제품 카테고리 | Power MOSFET |
| 구성 | 싱글 |
| 공정 기술 | Mdmesh K5 |
| 채널 모드 | 인핸스먼트형 |
| 채널 타입 | N |
| 칩당 소자 수 | 1 |
| 최대 드레인-소스 전압 (V) | 1200 |
| 최대 게이트-소스 전압 (V) | ±30 |
| 최대 게이트 문턱 전압 (V) | 5 |
| 최대 연속 드레인 전류 (A) | 12 |
| 최대 게이트-소스 누설 전류 (nA) | 10000 |
| 최대 IDSS (uA) | 1 |
| 최대 드레인-소스 저항 (mOhm) | 690@10V |
| 일반 게이트 전하 @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| 일반 입력 커패시턴스 @ Vds (pF) | 1370@100V |
| 최대 전력 손실 (mW) | 250000 |
| 일반 하강 시간 (ns) | 18.5 |
| 일반 상승 시간 (ns) | 11 |
| 일반 턴오프 지연 시간 (ns) | 68.5 |
| 일반 턴온 지연 시간 (ns) | 23 |
| 최저 동작 온도 (°C) | -55 |
| 최고 동작 온도 (°C) | 150 |
| 포장 | 튜브 |
| 공급사 패키지 | TO-247 |
| 핀 수 | 3 |
| 표준 포장 명칭 | TO-247 |
| 장착 | 스루홀 실장 |
| 패키지 높이 | 20.15(Max) |
| 패키지 길이 | 15.75(Max) |
| 패키지 폭 | 5.15(Max) |
| PCB 변경 | 3 |
| 탭 | 탭 |
| 리드 형상 | 스루홀 실장 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | 동급 IGBT | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
필요한 열저항은 실제 손실과 목표 접합 온도에서 역산하십시오. TO-247과 방열판 사이의 접촉 열저항은 방열 그리스와 체결 토크의 영향이 크며, 토크는 0.6~0.8 N·m를 권장합니다.
-
绝缘处理
1200V 용도에서는 방열판 절연이 확실해야 합니다. 열전도 절연 패드 사용과 그 내압 등급 확인, 그리고 연면 거리 대조를 권장합니다.
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
절연 드라이버 IC 사용을 권장하며, 게이트 저항은 22Ω부터 조정을 시작하고 오점호 방지를 위해 부전압 오프를 구성하십시오.
-
降额使用
실제 버스 전압은 900V 이내, 접합 온도는 125℃ 이내, 전류는 7A 이내로 유지할 것을 권장합니다.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- 공급사 패키지
- D2PAK
- 장착
- 표면 실
- 동작 온도
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 최대 드레인-소스 전
- 600
- 최대 연속 전
- 20
- 최대 드레인-소스 전
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 최대 드레인-소스 전
- 250
- 최대 연속 전
- 10.9
- 최대 드레인-소스 전
- 165@10V