TO-247 パッケージ外形図
- 最大ドレイン・ソース間電
- 1200
- 最大連続ドレイン電
- 12
- 最大ドレイン・ソース間抵
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
MDmesh K5 プロセス、TO-247 パッケージ ― 三相入力・高圧直流の電力変換向け
STW12N120K5 は STMicroelectronics の MDmesh K5 スーパージャンクション工程による 1200V N チャネル MOSFET で、連続ドレイン電流は 12A、放熱器と組み合わせて使う TO-247 3ピンのスルーホールパッケージを採用しています。1200V クラスは主に、AC380V 三相入力、太陽光・蓄電の高圧直流母線、そして極めて高い耐圧裕度を要する産業用電源を対象としています。
- 最大ドレイン・ソース間電圧
- 1200
- 最大連続ドレイン電流
- 12
- 最大ドレイン・ソース間抵抗
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- 標準梱包名称
- TO-247
- サプライヤー指定パッケージ
- TO-247
メーカー型番 STW12N120K5 ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
AC380V 入力では整流後の母線が約 540V となり、裕度を確保するには 1200V デバイスが必要です。
太陽光インバーター・蓄電 PCS メーカー
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
大電力・高電圧のスイッチング用途には TO-247 と放熱器の組み合わせが必要です。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 IGBT は高周波でスイッチング損失が大きすぎる 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 1200V デバイスの調達期間が長い 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- 1200V の耐圧が三相入力と高圧直流母線に十分な裕度を残します
- スーパージャンクション工程は IGBT と違いテール電流がなく、より高いスイッチング周波数で動作できます
- TO-247 パッケージは放熱器との併用で大きな損失に耐えます
- MDmesh K5 は 1200V クラスで比較的低いオン抵抗を実現します
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 適用除外付きで適合 |
|---|---|
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 型番ステータス | 現行品 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | はい |
| SVHC が閾値超過 | はい |
| 車載 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | Power MOSFET |
| 構成 | シングル |
| プロセス技術 | Mdmesh K5 |
| チャネルモード | エンハンスメント型 |
| チャネル種別 | N |
| 1チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 (V) | 1200 |
| 最大ゲート・ソース間電圧 (V) | ±30 |
| 最大ゲートしきい値電圧 (V) | 5 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 12 |
| 最大ゲート・ソース間漏れ電流 (nA) | 10000 |
| 最大 IDSS (uA) | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間抵抗 (mOhm) | 690@10V |
| 標準ゲート電荷 @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 1370@100V |
| 最大許容損失 (mW) | 250000 |
| 標準下降時間 (ns) | 18.5 |
| 標準立ち上がり時間 (ns) | 11 |
| 標準ターンオフ遅延時間 (ns) | 68.5 |
| 標準ターンオン遅延時間 (ns) | 23 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 150 |
| 包装 | チューブ |
| サプライヤー指定パッケージ | TO-247 |
| ピン数 | 3 |
| 標準梱包名称 | TO-247 |
| 取付 | スルーホール実装 |
| パッケージ高さ | 20.15(Max) |
| パッケージ長さ | 15.75(Max) |
| パッケージ幅 | 5.15(Max) |
| 基板の作り直し | 3 |
| タブ | タブ |
| リード形状 | スルーホール実装 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | 同クラスの IGBT | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
必要な熱抵抗は、実際の損失と目標接合温度から逆算してください。TO-247 と放熱器の接触熱抵抗は放熱グリスと締付トルクの影響が大きく、トルクは 0.6〜0.8 N·m を推奨します。
-
绝缘处理
1200V 用途では放熱器の絶縁が確実でなければなりません。熱伝導絶縁シートの使用と、その耐圧等級の確認、さらに沿面距離の照合を推奨します。
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
絶縁ドライバ IC の使用を推奨し、ゲート抵抗は 22Ω から調整を始め、誤点弧防止のため負電圧オフを設定してください。
-
降额使用
実際の母線電圧は 900V 以内、接合温度は 125℃ 以内、電流は 7A 以内に抑えることを推奨します。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- サプライヤー指定パッケージ
- D2PAK
- 取付
- 表面実
- 動作温度
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 最大ドレイン・ソース電
- 600
- 最大連続電
- 20
- 最大ドレイン・ソース電
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 最大ドレイン・ソース電
- 250
- 最大連続電
- 10.9
- 最大ドレイン・ソース電
- 165@10V