Gehäusezeichnung TDSON-8
- Max. Drain-Source-Spannun
- 250
- Max. Dauer-Drainstrom
- 10.9
- Max. Drain-Source-Widerst
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 8.6
BSZ16DN25NS3GATMA1
Anschlussbeinloses TDSON-8-Gehäuse mit OptiMOS-3-Trench-Prozess, für hochfrequente Stromversorgungen hoher Dichte und Automobilelektronik
Der BSZ16DN25NS3GATMA1 ist ein N-Kanal-MOSFET im OptiMOS-3-Trench-Prozess von Infineon: 250 V Sperrspannung und 10,9 A Dauer-Drainstrom im anschlussbeinlosen SMD-Gehäuse vom Typ TDSON-8, also SuperSO8. Die 250 V sind eine seltene, aber sehr praktische Klasse, die genau die Lücke zwischen 150 V und 300 V schließt und zu Hilfsversorgungen an Hochspannungsbussen und Industrieantrieben passt.
- Max. Drain-Source-Spannung
- 250
- Max. Dauer-Drainstrom.
- 10.9
- Max. Drain-Source-Widerstand
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 8.6
- Bezeichnung der Standardverpackung
- SON
- Gehäuse laut Lieferant
- TSDSON EP
Hersteller-Teilenummer BSZ16DN25NS3GATMA1 · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen
谁最能从这颗器件中受益
工业辅助电源厂商
Die aus dem Hochspannungsbus gespeiste Hilfsversorgung benötigt Bauteile der 250-V-Klasse.
汽车电子供应商
Schutz und Schalten auf der High-Side in 48-V-Systemen erfordern ausreichende Spitzenfestigkeit.
电机驱动模块厂商
紧凑型驱动模块需要无引脚封装降低寄生电感。
Entwickler von Hochfrequenz-Netzteilen und LLC-Topologien
Die geringe Gate-Ladung des OptiMOS-Trench-Prozesses begünstigt den Hochfrequenzbetrieb.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 引脚寄生电感引发振铃 Klassische bedrahtete Gehäuse neigen bei hoher Frequenz und hohem di/dt zu starkem Ringing, die EMV ist schwer zu beheben.
- 02 Wenig Auswahl in der 250-V-Klasse Zwischen 150 V und 300 V gibt es keine passende Klasse, man muss zwangsläufig höher gehen.
- 03 无引脚封装焊接难检验 Bei DFN-Gehäusen verdeckt das Gehäuse die Lötstellen, eine Sichtprüfung ist unmöglich.
- 04 高频损耗超出预期 栅极电荷与输出电容偏大导致开关损耗不可控。
核心优势
- Der OptiMOS-3-Trench-Prozess erreicht eine gute Balance zwischen Durchgangswiderstand und Gate-Ladung
- Das anschlussbeinlose TDSON-8-Gehäuse senkt die parasitäre Induktivität stark und dämpft HF-Ringing
- Die 250-V-Klasse passt genau zur Hilfsversorgung des Hochspannungsbusses und zum Schutz von 48-V-Systemen
- 编带卷装交付 适合高密度自动化贴装
BESCHAFFUNGSHINWEIS
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU-RoHS | Konform mit Ausnahme |
|---|---|
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Ja |
| SVHC über Schwellenwert | Ja |
| Automotive | Nein |
| PPAP | Nein |
| Produktkategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain, Triple Source |
| Prozesstechnologie | OptiMOS |
| Kanalmodus | Anreicherungstyp |
| Kanaltyp | N |
| Anzahl Elemente pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 250 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drainstrom (A) | 10.9 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 165@10V |
| Typische Gate-Ladung @ Vgs (nC) | 8.6@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.6 |
| Typische Eingangskapazität @ Vds (pF) | 690@100V |
| Max. Verlustleistung (mW) | 62500 |
| Typische Fallzeit (ns) | 4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 4 |
| Typische Ausschaltverzögerung (ns) | 11 |
| Typische Einschaltverzögerung (ns) | 6 |
| Min. Betriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Gurt auf Rolle |
| Gehäuse laut Lieferant | TSDSON EP |
| Pinanzahl | 8 |
| Bezeichnung der Standardverpackung | SON |
| Montage | Oberflächenmontage |
| Gehäusehöhe | 1 |
| Gehäuselänge | 3.3 |
| Gehäusebreite | 3.3 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Anschlussform | Ohne Anschlussbeine |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | BSZ16DN25NS3G | Bauteile der 150V-Klasse | Bauteile für 300 V und 400 V |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 250V | 150V | 300V bis 400V |
| 封装形式 | TDSON-8 ohne Anschlussbeine | 多种 | 多种 |
| 寄生电感 | 很低 | 视封装而定 | 视封装而定 |
| 适用母线 | 100V bis 150V | 48V bis 90V | 150V bis 250V |
| 选型建议 | Hochspannungs-Hilfsversorgung und 48-V-Schutz | Standard-48-V-System | 更高母线电压场景 |
-
Pad-Design der Leiterplatte
Das Drain-Kühlpad des TDSON-8 ist groß: Das Platinenkupfer sollte gleich groß oder größer sein, mit dichten Durchkontaktierungen zur Unterseite.
-
焊接检验
Bei anschlussbeinlosen Gehäusen sind die Lötstellen verdeckt: Wir empfehlen Röntgen oder AOI mit Seitensicht in der Linie oder die Prüfung des Reflow-Profils per Erstmuster-Schliff.
-
栅极驱动
沟槽工艺器件栅极电荷小，驱动能力可适当降低，但栅极回路必须极短以避免高频振荡。
-
降额使用
Wir empfehlen, 150 V reale Busspannung nicht zu überschreiten und die Sperrschichttemperatur unter 125 ℃ zu halten.
-
MSL und Ausheizen
Steuern Sie die Zeit nach dem Öffnen gemäß der auf dem Gehäuse angegebenen MSL-Stufe; bei Überschreitung ist vor der Bestückung nach IPC/JEDEC J-STD-033 auszuheizen.
典型应用行业
汽车电子
Automotive-Teile müssen die AEC-Q-Qualifizierung und die PPAP-Dokumentationsanforderungen erfüllen; die strenge Herkunftsprüfung können gewöhnliche Kanäle nicht leisten.…
查看行业方案 →
工业控制
SPS, Frequenzumrichter und Servoantriebe haben meist eine Produktlebensdauer von über 10 Jahren, während der Produktzyklus der Chiphersteller nur 5 bis 7 Jahre beträgt — die Langzeitverfügbarkeit ist der Kernkonflikt.…
查看行业方案 →
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
查看行业方案 →
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Max. Drain-Source-Span.
- 150
- Max. Dauerstrom
- 33
- Max. Drain-Source-Span.
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Max. Drain-Source-Span.
- 100
- Max. Dauerstrom
- 42
- Max. Drain-Source-Span.
- 13.6@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Max. Drain-Source-Span.
- 600
- Max. Dauerstrom
- 20
- Max. Drain-Source-Span.
- 190@10V
Häufige Fragen zu BSZ16DN25NS3GATMA1
Sind TDSON-8 und SuperSO8 PQFN dasselbe Gehäuse?
Was bedeutet die Endung ATMA1?
Was unterscheidet OptiMOS 3 von OptiMOS 5 oder 6?
这个料是车规的吗
最少可以买多少
Ich benötige Preis und Verfügbarkeit von BSZ16DN25NS3GATMA1
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。