Gehäusezeichnung TO-220
- Max. Drain-Source-Spannun
- 600
- Max. Dauer-Drainstrom
- 20
- Max. Drain-Source-Widerst
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 27
TK20E60U,S1X(S
Bedrahtetes TO-220-Gehäuse mit 0,19 Ω Durchgangswiderstand, für den Hauptschalter in PFC- und Flyback-Netzteilen
Der TK20E60U,S1X(S) ist ein 600-V-Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Toshiba mit 20 A Dauer-Drainstrom, 190 W Verlustleistungsvermögen und 0,19 Ω Durchgangswiderstand im klassischen dreipoligen bedrahteten TO-220-Gehäuse. Die 600-V-Klasse ist die gebräuchlichste Sperrspannung in Schaltnetzteilen mit 220-V-AC-Eingang, weit verbreitet in der PFC-Hochsetzstufe und als Hauptschalter in Flyback-Wandlern.
- Max. Drain-Source-Spannung
- 600
- Max. Dauer-Drainstrom.
- 20
- Max. Drain-Source-Widerstand
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 27
- Gehäuse laut Lieferant
- TO-220
- Teilestatus
- Abgekündigt
Hersteller-Teilenummer TK20E60U,S1X(S · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen
谁最能从这颗器件中受益
Hersteller von AC-DC-Schaltnetzteilen und Adaptern
Standardbestückung des Hauptschalters in Flyback- und Forward-Topologien mit 220-V-Eingang.
Hersteller von PFC-Modulen zur Leistungsfaktorkorrektur
Der Schalter der Hochsetzstufe benötigt 600 V Sperrspannung und gutes Schaltverhalten.
Hersteller von LED-Treiber-Netzteilen
非隔离降压与隔离反激拓扑的高压开关。
工业电源与充电桩厂商
Wir brauchen das TO-220-Gehäuse mit Kühlkörper für hohe Verlustleistung.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 高压管击穿失效 Die Abschaltspitze übersteigt den Nennwert von 600 V — die Snubber-Schaltung ist falsch ausgelegt.
- 02 散热片安装工艺不稳定 绝缘垫片与螺丝扭矩不一致导致热阻分散。
- 03 体二极管反向恢复引发损耗 Verursacht zusätzliche Verluste und EMV-Störungen in hart schaltenden Topologien.
- 04 高压器件渠道货源混乱 翻新与打磨片在高压场景下失效风险极高。
核心优势
- 600 V Sperrspannung decken die gängigen Schaltnetzteil-Topologien mit 220-V-AC-Eingang ab
- Ein Durchgangswiderstand von 0,19 Ω ist in der Klasse 600 V / 20 A ein guter Wert
- Das bedrahtete TO-220-Gehäuse lässt sich direkt auf einen Kühlkörper setzen und hohe Leistung abführen
- Eine Verlustleistung von 190 W schafft Spielraum für Netzteile hoher Leistung
BESCHAFFUNGSHINWEIS
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU-RoHS | Konform mit Ausnahme |
|---|---|
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Abgekündigt |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Nein |
| PPAP | Nein |
| Produktkategorie | Power MOSFET |
| Werkstoff | Si |
| Konfiguration | Einfach |
| Prozesstechnologie | DTMOSII |
| Kanalmodus | Anreicherungstyp |
| Kanaltyp | N |
| Anzahl Elemente pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 600 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Gate-Schwellenspannung (V) | 5 |
| Max. Dauer-Drainstrom (A) | 20 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. IDSS (uA) | 100 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 190@10V |
| Typische Gate-Ladung @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Typische Eingangskapazität @ Vds (pF) | 1470@10V |
| Max. Verlustleistung (mW) | 190000 |
| Typische Fallzeit (ns) | 12 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 40 |
| Min. Betriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Gehäuse laut Lieferant | TO-220 |
| Pinanzahl | 3 |
| Montage | Durchsteckmontage |
| Gehäusehöhe | 8.59 |
| Gehäuselänge | 10.16 |
| Gehäusebreite | 4.45 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Kühlfahne | Kühlfahne |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TK20E60U 600V | Bauteile der 500V-Klasse | Bauteile für 650 V und 900 V |
|---|---|---|---|
| 适用输入电压 | AC 176V bis 264V | AC 100V bis 132V | 宽范围输入或高尖峰场景 |
| 导通电阻 | 0.19Ω | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | TO-220 bedrahtet | 多种 | Größere Gehäuse wie TO-247 |
| 散热方式 | 配散热片 | 视功率而定 | 通常需强散热 |
| 选型建议 | Standardlösung für 220-V-Eingang | Speziell für Märkte mit 110-V-Eingang | 宽压输入或尖峰裕量不足时升档 |
-
缓冲电路设计
Die Flyback-Topologie erfordert zwingend einen RCD-Snubber, der die Abschaltspitze unter 500 V begrenzt und so mindestens 100 V Reserve zum Nennwert von 600 V lässt.
-
散热片安装
Beim Einsatz wärmeleitender Isolierpads muss das Schraubenanzugsmoment gleichmäßig sein, empfohlen 0,4 bis 0,6 N·m. Ein zu geringes Moment erhöht den Kontaktwärmewiderstand deutlich.
-
栅极驱动
Der Gate-Kreis von Hochspannungstransistoren muss kurz sein; wir empfehlen, den Gatewiderstand zwischen 10 Ω und 47 Ω abzustimmen, um Schaltgeschwindigkeit und EMV auszubalancieren.
-
降额使用
Wir empfehlen, 480 V reale Betriebsspannung nicht zu überschreiten, die Sperrschichttemperatur unter 125 ℃ und den Strom unter 12 A zu halten.
-
存储要求
Die Anschlüsse des TO-220 sind verzinnt; bei längerer Lagerung müssen sie vor Feuchte und Oxidation geschützt werden, sonst entstehen beim Einlöten kalte Lötstellen.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Gehäuse laut Lieferant
- D2PAK
- Montage
- Oberflächenmontag
- Betriebstemperatur
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Max. Drain-Source-Span.
- 1200
- Max. Dauerstrom
- 12
- Max. Drain-Source-Span.
- 690@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Max. Drain-Source-Span.
- 150
- Max. Dauerstrom
- 33
- Max. Drain-Source-Span.
- 42@10V
Häufige Fragen zu TK20E60U,S1X(S
Darf ein 600-V-Transistor bei 380-V-Dreiphaseneingang eingesetzt werden?
Was unterscheidet TO-220 und TO-220F?
Diese Teilenummer ist als Obsolete und abgekündigt gelistet — ist sie noch erhältlich?
如何判断买到的是不是翻新片
有没有对应的国产替代方案
Ich benötige Preis und Verfügbarkeit von TK20E60U,S1X(S
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。