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Gehäusezeichnung SOP Advance 8

Max. Drain-Source-Spannun
100
Max. Dauer-Drainstrom
42
Max. Drain-Source-Widerst
13.6@10V
Typical Gate Charge @ 10V
22
Toshiba Semiconductor and Storage · Leistungs-MOSFET

TPH1400ANH,L1Q(M

SOP-Advance-Gehäuse mit niedrigem Durchgangswiderstand, für SMD-Stromversorgungen und Treiberschaltungen hoher Stromdichte

Der TPH1400ANH,L1Q(M) ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Toshiba: 100 V Sperrspannung und 42 A Dauer-Drainstrom im firmeneigenen achtpoligen SOP-Advance-Gehäuse. Dieses Gehäuse bietet auf der Platinenfläche eines SOP-8 deutlich höhere Entwärmungs- und Stromtragfähigkeit als das klassische SOP-8 und passt dort, wo Leistungsdichte gefordert und SMD-Fertigung zwingend ist.

Max. Drain-Source-Spannung
100
Max. Dauer-Drainstrom.
42
Max. Drain-Source-Widerstand
13.6@10V
Typical Gate Charge @ 10V (n
22
Bezeichnung der Standardverpackung
SOP
Gehäuse laut Lieferant
SOP Advance
Preis und Verfügbarkeit über WhatsApp 邮件询价 Linecard als PDF herunterladen

Hersteller-Teilenummer TPH1400ANH,L1Q(M · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen

Für wen es gedacht ist

谁最能从这颗器件中受益

服务器与通信电源厂商

Zwischenkreiswandler von 48 V auf 12 V müssen auf begrenzter Platinenfläche hohe Ströme führen.

电动工具与电动车控制器厂商

需要在紧凑空间内实现大电流开关。

负载开关与热插拔保护厂商

低导通电阻可显著降低通路压降与发热。

Hersteller von BLDC-Motorantrieben

半桥拓扑中需要成对使用低阻抗贴片管。

Welche Probleme es löst

它能解决的实际问题

选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。

  • 01 Das klassische SOP-8 hat keine ausreichende Stromtragfähigkeit 大电流场景下封装引脚成为瓶颈，发热集中在引脚而非芯片。
  • 02 插件封装占板面积大 产品小型化与自动化贴装的要求无法满足。
  • 03 贴片管散热路径不清晰 缺少明确的热阻数据导致热设计只能靠试错。
  • 04 并联使用一致性差 不同批次参数分散导致并联时电流分配不均。
Wichtigste Vorteile

核心优势

  • Auf derselben Platinenfläche wie ein SOP-8 steigert das SOP-Advance-Gehäuse Stromtragfähigkeit und Entwärmung deutlich
  • 42 A Dauerstrom decken die meisten SMD-Anwendungen mittlerer und hoher Leistung ab
  • 100 V Sperrspannung passen zu 48-V-Bussystemen und lassen reichlich Reserve
  • 编带卷装交付 适合全自动贴装产线

BESCHAFFUNGSHINWEIS

这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。

Technische Daten

完整技术规格

Technisches Datenblatt TPH1400ANH,L1Q(M
EU-RoHSKonform
ECCN (USA)EAR99
TeilestatusAktiv
SVHCJa
SVHC über SchwellenwertJa
AutomotiveNein
PPAPNein
ProduktkategoriePower MOSFET
WerkstoffSi
KonfigurationSingle Quad Drain, Triple Source
ProzesstechnologieU-MOS VIII-H
KanalmodusAnreicherungstyp
KanaltypN
Anzahl Elemente pro Chip1
Max. Drain-Source-Spannung (V)100
Max. Gate-Source-Spannung (V)±20
Max. Gate-Schwellenspannung (V)4
Max. Dauer-Drainstrom (A)42
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)100
Max. IDSS (uA)10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)13.6@10V
Typische Gate-Ladung @ Vgs (nC)22@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)22
Typische Eingangskapazität @ Vds (pF)1440@50V
Max. Verlustleistung (mW)2800
Typische Fallzeit (ns)6.5
Typische Anstiegszeit (ns)5.6
Min. Betriebstemperatur (°C)-55
Max. Betriebstemperatur (°C)150
VerpackungGurt auf Rolle
Gehäuse laut LieferantSOP Advance
Pinanzahl8
Bezeichnung der StandardverpackungSOP
MontageOberflächenmontage
Gehäusehöhe0.95
Gehäuselänge5
Gehäusebreite5
Leiterplatte geändert8
Vergleich

与相邻档位器件的对比

选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。

关注指标TPH1400ANHKlassische SOP-8-BauteileDPAK-Bauteile für Durchsteck- und SMD-Montage
占板面积Nahe am SOP-8SOP-8更大
连续电流能力42AÜblicherweise unter 10 A视型号而定
散热路径底部大面积散热焊盘主要靠引脚背面焊盘
自动化贴装完全适配完全适配适配
选型建议小板面大电流的首选小电流信号级开关对散热要求更高时选用
Anwendungsleitfaden

使用与设计要点

以下要点来自实际项目中反复出现的问题，比数据手册的极限参数更接近工程现场。

联系工程支持

  1. 散热焊盘设计

    Die Entwärmung des SOP Advance beruht auf dem großen Bodenpad. Auf der Platine ist eine gleich große Kupferfläche mit dichten Durchkontaktierungen nötig, sonst bleibt der Gehäusevorteil ungenutzt.

  2. 栅极驱动

    Wir empfehlen die Ansteuerung mit VGS von 10 V. Der Gate-Kreis muss kurz sein und der Treiber-IC möglichst nah am Bauteil sitzen, um Ringing zu dämpfen.

  3. 并联使用

    并联时应选用同一批次器件，并在各管栅极串联独立的栅极电阻以抑制寄生振荡。

  4. 回流焊接

    Steuern Sie die Lagerzeit in der Fertigung nach dem Öffnen gemäß der MSL-Stufe des Bauteils; die Spitzentemperatur des Reflow-Profils darf 260 ℃ nicht überschreiten.

  5. 降额使用

    Wir empfehlen, 60 V reale Busspannung nicht zu überschreiten und den Dauerstrom aus dem tatsächlichen Wärmewiderstand des Gehäuses abzuleiten, statt den Nennwert von 42 A direkt zu verwenden.

Anwendungen

典型应用行业

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Häufige Fragen

Häufige Fragen zu TPH1400ANH,L1Q(M

Sind SOP Advance und das gewöhnliche SOP-8 dasselbe Gehäuse?
Nein. SOP Advance ist ein Toshiba-eigenes Gehäuse: Die Abmessungen liegen nahe am SOP-8, doch es hat ein großes Kühlpad an der Unterseite und eine stromoptimierte Pin-Struktur. Das Platinen-Footprint ist mit dem gewöhnlichen SOP-8 nicht austauschbar; bei einem Wechsel ist die Gehäusezeichnung neu zu prüfen.
Sind 42 A ein tatsächlich dauerhaft führbarer Strom?
Nein. Die 42 A sind die Chipgrenze unter idealen Entwärmungsbedingungen. Auf einer realen Leiterplatte liegt der Dauerstrom meist zwischen 15 A und 25 A, je nach Kupferfläche, Anzahl der Durchkontaktierungen und Umgebungstemperatur, und ist mit dem realen Wärmewiderstand zu berechnen.
Was bedeuten die Endungen L1Q und M der Teilenummer?
L1Q ist der Toshiba-Code für Gehäuse und Pinkonfiguration, M steht für die Verpackung als Gurt auf Rolle. Bei der Bestellung muss die Endung vollständig übereinstimmen, sonst erhalten Sie ein anderes Gehäuse oder eine andere Verpackung.
这个料现在还在产吗
Kontaktieren Sie uns über WhatsApp, um den aktuellen Lebenszyklusstatus und den Kanalbestand zu bestätigen. Der Status von Toshiba-Leistungsbauelementen kann sich jederzeit ändern; wir antworten anhand der Echtzeitinformationen des Kanals.
可以先要样品验证吗
可以。我们支持 1 片起订，样品与批量执行同一套检验标准，验证通过后再下批量订单。
下一步

Ich benötige Preis und Verfügbarkeit von TPH1400ANH,L1Q(M

把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。

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