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Gehäusezeichnung TO-252 DPAK

Max. Drain-Source-Spannun
150
Max. Dauer-Drainstrom
33
Max. Drain-Source-Widerst
42@10V
Typical Gate Charge @ 10V
26
Infineon Technologies · Leistungs-MOSFET

IRFR4615TRLPBF

HEXFET-Prozess im SMD-Gehäuse DPAK mit 42 mΩ Durchgangswiderstand, für Synchrongleichrichtung und Schaltnetzteile mittlerer Leistung

Der IRFR4615TRLPBF ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET vom Anreicherungstyp im HEXFET-Planarprozess von Infineon: 150 V Sperrspannung und 33 A Dauer-Drainstrom im SMD-Gehäuse TO-252, also DPAK. Seine 42 mΩ Durchgangswiderstand zusammen mit 26 nC Gate-Ladung erlauben es, Durchlass- und Schaltverluste in Synchrongleichrichtung und Abwärtstopologien mittlerer Leistung auszubalancieren; er ist ein gängiger Typ in Telekom- und Industrienetzteilen.

Max. Drain-Source-Spannung
150
Max. Dauer-Drainstrom.
33
Max. Drain-Source-Widerstand
42@10V
Typical Gate Charge @ 10V (n
26
Bezeichnung der Standardverpackung
TO-252
Gehäuse laut Lieferant
DPAK
Preis und Verfügbarkeit über WhatsApp 邮件询价 Linecard als PDF herunterladen

Hersteller-Teilenummer IRFR4615TRLPBF · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen

Für wen es gedacht ist

谁最能从这颗器件中受益

通信电源与服务器电源厂商

Die Abwärtswandlung des 48-V-Busses und die Synchrongleichrichtung benötigen 150 V Sperrspannung für ausreichende Reserve.

工业开关电源厂商

Das SMD-Gehäuse DPAK erleichtert die automatische Bestückung und passt zu Linien mittlerer Leistungsdichte.

Hersteller von Motorantrieben und BLDC-Steuerungen

Eine Stromfähigkeit von 33 A deckt den Antriebsbedarf der meisten bürstenlosen Motoren kleiner und mittlerer Leistung.

Hersteller von Beleuchtung und LED-Treibern

高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。

Welche Probleme es löst

它能解决的实际问题

选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。

  • 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
  • 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
  • 03 Die Entwärmung des DPAK-Gehäuses ist begrenzt 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
  • 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
Wichtigste Vorteile

核心优势

  • Ein Durchgangswiderstand von 42 mΩ@10V ist in der 150-V-Klasse ein ausgewogener Wert zwischen Kosten und Wirkungsgrad
  • Eine Gate-Ladung von 26 nC hält die Treiberverluste beherrschbar, geeignet für Schaltfrequenzen über 100 kHz
  • Das SMD-Gehäuse DPAK ist bestückungseffizient — ohne Handbestückung und Wellenlöten
  • -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量

BESCHAFFUNGSHINWEIS

这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。

Technische Daten

完整技术规格

Technisches Datenblatt IRFR4615TRLPBF
EU-RoHSKonform mit Ausnahme
ECCN (USA)EAR99
TeilestatusAktiv
HTS8541.29.00.95
AutomotiveNein
PPAPNein
ProduktkategoriePower MOSFET
KonfigurationEinfach
ProzesstechnologieHEXFET
KanalmodusAnreicherungstyp
KanaltypN
Anzahl Elemente pro Chip1
Max. Drain-Source-Spannung (V)150
Max. Gate-Source-Spannung (V)±20
Max. Gate-Schwellenspannung (V)5
Max. Dauer-Drainstrom (A)33
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)100
Max. IDSS (uA)20
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)42@10V
Typische Gate-Ladung @ Vgs (nC)26@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)26
Typische Eingangskapazität @ Vds (pF)1750@50V
Max. Verlustleistung (mW)144000
Typische Fallzeit (ns)20
Typische Anstiegszeit (ns)35
Typische Ausschaltverzögerung (ns)25
Typische Einschaltverzögerung (ns)15
Min. Betriebstemperatur (°C)-55
Max. Betriebstemperatur (°C)175
VerpackungGurt auf Rolle
Pinanzahl3
Bezeichnung der StandardverpackungTO-252
Gehäuse laut LieferantDPAK
MontageOberflächenmontage
Gehäusehöhe2.39(Max)
Gehäuselänge6.73(Max)
Gehäusebreite6.22(Max)
Leiterplatte geändert2
KühlfahneKühlfahne
Vergleich

与相邻档位器件的对比

选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。

关注指标IRFR4615TRLPBF100-V-Bauteile derselben Klasse200-V-Bauteile derselben Klasse
Drain-Source-Sperrspannung VDS150V100V200V
Dauer-Drainstrom ID33A通常更高通常更低
Durchgangswiderstand RDS(on)42mΩ@10V更低更高
适用母线电压48V bis 90V24V bis 60V90V bis 130V
选型建议Erste Wahl, wenn ein 48-V-System mehr als zweifache Reserve braucht母线电压低时效率更优需要更高瞬态尖峰耐受时选用
Anwendungsleitfaden

使用与设计要点

以下要点来自实际项目中反复出现的问题，比数据手册的极限参数更接近工程现场。

联系工程支持

  1. 栅极驱动电压

    Bei Ansteuerung mit VGS = 10 V wird der Nenn-Durchgangswiderstand von 42 mΩ erreicht. Unter 8 V steigt er merklich, die Durchlassverluste sind neu zu berechnen.

  2. 栅极电阻取值

    Wir empfehlen, die Abstimmung zwischen 4,7 Ω und 10 Ω zu beginnen. Ein zu kleiner Widerstand erzeugt Ringing und EMV, ein zu großer verlangsamt das Schalten und erhöht die Schaltverluste.

  3. Thermisches Leiterplattendesign

    Die Wärme des DPAK fließt vor allem über das rückseitige Pad ins Platinenkupfer. Wir empfehlen mindestens 6 Durchkontaktierungen unter dem Pad zu großen Kupferflächen in Innen- oder Unterlage.

  4. 降额使用

    Im Dauerbetrieb empfehlen wir, 120 V Drain-Source-Spannung und 20 A Drainstrom nicht zu überschreiten und die Sperrschichttemperatur unter 125 ℃ zu halten.

  5. 焊接与存储

    Gemäß MSL-Stufe muss die Bestückung innerhalb der vorgegebenen Frist nach dem Öffnen erfolgen; bei Überschreitung ist nach IPC-Norm neu auszuheizen.

Anwendungen

典型应用行业

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Häufige Fragen

Häufige Fragen zu IRFR4615TRLPBF

Was unterscheidet IRFR4615TRLPBF und IRFR4615PBF?
Chip und elektrische Parameter sind identisch; die Endung TRLPBF steht für Gurt auf Rolle (Tape and Reel) mit bleifreier RoHS-Konformität, geeignet für automatische Linien, während PBF im Stangenmagazin oder lose kommt. Wählen Sie die Endung nach der von Ihrer Linie benötigten Verpackung.
Unter welchen Bedingungen wurden die 42 mΩ gemessen?
Die nominalen 42 mΩ sind der Höchstwert bei VGS von 10 V. Im realen Betrieb steigt der Durchgangswiderstand mit der Sperrschichttemperatur und erreicht bei 125 ℃ meist mehr als das 1,6-Fache des Raumtemperaturwerts; das Thermodesign ist daher mit dem heißen Wert zu rechnen.
Lässt sich dieses Modell in einem System mit 100-V-Bus einsetzen?
Ja, aber transiente Spitzen sind zu bewerten. Die 150 V Nennwert gelten als absolute Obergrenze; mit Abschaltspitze und Busschwankung empfehlen wir, 90 V reale Busspannung nicht zu überschreiten.
Welche Leistung verträgt das DPAK-Gehäuse?
Der Wärmewiderstand des Gehäuses bestimmt die real zulässige Leistung. Der Wert von 144 W wird unter der Idealbedingung 25 ℃ Gehäusetemperatur gemessen; auf einer realen Leiterplatte sind meist nur 2 W bis 5 W Dauerleistung möglich, zu rechnen ist mit dem realen Wärmewiderstand.
你们能提供多少现货 交期多久
Normalerweise vorrätig; die konkrete Menge bestätigen Sie bitte über WhatsApp oder E-Mail. Lagerware versenden wir in 1 bis 3 Werktagen, Beschaffung über den Kanal dauert meist 3 bis 10 Werktage.
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