二极管 三极管
MOSFET · IGBT · rectificadores · TVS · transistores
Los dispositivos discretos de potencia determinan directamente el rendimiento, el calentamiento y la fiabilidad de las fuentes y los circuitos de excitación. Huaxuan Technology suministra MOSFET de canal N y canal P, IGBT discretos y en módulo, rectificadores Schottky y de recuperación rápida, protección TVS y ESD, transistores bipolares y Darlington, cubriendo el rango de 20 V a 1700 V.
谁最需要这一类物料
开关电源与充电器厂商
Hay que encontrar el mejor equilibrio de RDS(on) y Qg entre rendimiento, coste y calentamiento.
电机驱动与变频器厂商
关注雪崩耐量、体二极管反向恢复与栅极电荷的一致性。
新能源与储能设备厂商
高压高电流场景对器件降额与批次一致性要求极高。
汽车电子与照明厂商
需要车规认证、高结温能力与长期供货保证。
这一类物料上最常见的四个坑
这些问题的共同点是：出问题时已经在产线上或在客户手里，返工成本远高于采购成本。
- 01 同一料号不同批次参数漂移 产线良率忽高忽低，问题难以定位。
- 02 替代型号选型没有依据 Comparar solo por tensión y corriente, ignorando Qg y Coss, hace caer el rendimiento.
- 03 高压器件现货稀缺 Los transistores de alta corriente por encima de 600 V llevan mucho tiempo sin stock y el proyecto queda bloqueado.
- 04 贴片管来料氧化 过炉后虚焊，批量返修。
从华铉科技采购能得到什么
- Proponemos alternativas equivalentes a partir de parámetros clave como RDS(on), Qg, Coss y Eas
- 同一料号尽量同批次交付，参数一致性有保障
- El material llega en embalaje al vacío antihumedad, con el nivel MSL claramente marcado
- Facilitamos el datasheet y tablas comparativas de parámetros clave para apoyar la selección
经营范围与规格覆盖
| 主要品类 | MOSFET de canal N / canal P, IGBT discretos y en módulo, Schottky, recuperación rápida, TVS, ESD y transistores |
|---|---|
| 电压范围 | 20V a 1700V |
| 电流范围 | 0.1A a 600A |
| 封装形式 | SOT-23、SOT-223、DPAK (TO-252)、D2PAK (TO-263)、TO-220、TO-247、TO-3P、TDSON-8、SOP Advance、MicroFET |
| 工作温度 | -55 至 175℃ |
| 包装方式 | 编带卷装、管装、散装、托盘 |
本分类站内已建档料号
点击查看完整规格表、同类对比、使用指南与常见问题。未列出的料号请直接询价。
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensión drenador-fuente máx.
- 250
- Corriente continua máx.
- 10.9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Tensión drenador-fuente máx.
- 30
- Corriente continua máx.
- 9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 19@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensión drenador-fuente máx.
- 150
- Corriente continua máx.
- 33
- Tensión drenador-fuente máx.
- 42@10V
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Encapsulado del proveedor
- D2PAK
- Montaje
- Montaje superficia
- Temperatura de trabajo
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Tensión drenador-fuente máx.
- 1200
- Corriente continua máx.
- 12
- Tensión drenador-fuente máx.
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Tensión drenador-fuente máx.
- 600
- Corriente continua máx.
- 20
- Tensión drenador-fuente máx.
- 190@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Tensión drenador-fuente máx.
- 100
- Corriente continua máx.
- 42
- Tensión drenador-fuente máx.
- 13.6@10V
主要应用行业
不同行业对同一类器件的要求差别很大。点击进入行业页查看该行业的具体痛点与常用器件。
本分类主要合作品牌
晶体二极管、三极管
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