二极管 三极管
MOSFET · IGBT · 정류 · TVS · 트랜지스터
개별 파워 소자는 전원 회로와 구동 회로의 효율·온도 상승·신뢰성을 직접 좌우합니다. Huaxuan Technology는 N채널·P채널 MOSFET, IGBT 단품과 모듈, 쇼트키 및 패스트 리커버리 정류 소자, TVS와 ESD 보호, 바이폴라 트랜지스터와 달링턴을 공급하며 20V부터 1700V까지의 전압 구간을 아우릅니다.
谁最需要这一类物料
开关电源与充电器厂商
효율·원가·온도 상승 사이에서 RDS(on)과 Qg의 최적 균형을 찾아야 합니다.
电机驱动与变频器厂商
关注雪崩耐量、体二极管反向恢复与栅极电荷的一致性。
新能源与储能设备厂商
高压高电流场景对器件降额与批次一致性要求极高。
汽车电子与照明厂商
需要车规认证、高结温能力与长期供货保证。
这一类物料上最常见的四个坑
这些问题的共同点是：出问题时已经在产线上或在客户手里，返工成本远高于采购成本。
- 01 同一料号不同批次参数漂移 产线良率忽高忽低，问题难以定位。
- 02 替代型号选型没有依据 전압과 전류만으로 비교하고 Qg와 Coss를 무시하면 효율이 떨어집니다.
- 03 高压器件现货稀缺 600V 초과 대전류 소자가 장기 결품되어 프로젝트가 멈췄습니다.
- 04 贴片管来料氧化 过炉后虚焊，批量返修。
从华铉科技采购能得到什么
- RDS(on), Qg, Coss, Eas 등 주요 파라미터를 기준으로 대체품을 제안합니다
- 同一料号尽量同批次交付，参数一致性有保障
- 입고품은 방습 진공 포장이며 MSL 등급 표기도 명확합니다
- 데이터시트와 주요 파라미터 비교표를 제공해 선정을 지원합니다
经营范围与规格覆盖
| 主要品类 | N채널 / P채널 MOSFET, IGBT 단품과 모듈, 쇼트키, 패스트 리커버리, TVS, ESD, 트랜지스터 |
|---|---|
| 电压范围 | 20V~1700V |
| 电流范围 | 0.1A~600A |
| 封装形式 | SOT-23、SOT-223、DPAK (TO-252)、D2PAK (TO-263)、TO-220、TO-247、TO-3P、TDSON-8、SOP Advance、MicroFET |
| 工作温度 | -55 至 175℃ |
| 包装方式 | 编带卷装、管装、散装、托盘 |
本分类站内已建档料号
点击查看完整规格表、同类对比、使用指南与常见问题。未列出的料号请直接询价。
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 최대 드레인-소스 전
- 250
- 최대 연속 전
- 10.9
- 최대 드레인-소스 전
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- 최대 드레인-소스 전
- 30
- 최대 연속 전
- 9
- 최대 드레인-소스 전
- 19@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 최대 드레인-소스 전
- 150
- 최대 연속 전
- 33
- 최대 드레인-소스 전
- 42@10V
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- 공급사 패키지
- D2PAK
- 장착
- 표면 실
- 동작 온도
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- 최대 드레인-소스 전
- 1200
- 최대 연속 전
- 12
- 최대 드레인-소스 전
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 최대 드레인-소스 전
- 600
- 최대 연속 전
- 20
- 최대 드레인-소스 전
- 190@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 최대 드레인-소스 전
- 100
- 최대 연속 전
- 42
- 최대 드레인-소스 전
- 13.6@10V
主要应用行业
不同行业对同一类器件的要求差别很大。点击进入行业页查看该行业的具体痛点与常用器件。
本分类主要合作品牌
晶体二极管、三极管
