二极管 三极管
MOSFET · IGBT · مقوّمات · TVS · ترانزستورات
تحدّد مكوّنات القدرة المنفصلة مباشرةً كفاءة دارات التغذية والقيادة وارتفاع حرارتها وموثوقيتها. وتورّد Huaxuan Technology مكوّنات MOSFET بقناة N وP، وIGBT مفرداً ووحدات، ومقوّمات شوتكي وسريعة الاستعادة، وحماية TVS وESD، وترانزستورات ثنائية القطبية ودارلنغتون، بما يغطي مدى الجهد من 20 إلى 1700 فولت.
谁最需要这一类物料
开关电源与充电器厂商
يجب إيجاد أفضل توازن بين RDS(on) وQg في ضوء الكفاءة والتكلفة وارتفاع الحرارة.
电机驱动与变频器厂商
关注雪崩耐量、体二极管反向恢复与栅极电荷的一致性。
新能源与储能设备厂商
高压高电流场景对器件降额与批次一致性要求极高。
汽车电子与照明厂商
需要车规认证、高结温能力与长期供货保证。
这一类物料上最常见的四个坑
这些问题的共同点是：出问题时已经在产线上或在客户手里，返工成本远高于采购成本。
- 01 同一料号不同批次参数漂移 产线良率忽高忽低，问题难以定位。
- 02 替代型号选型没有依据 المقارنة بالجهد والتيار فقط مع إهمال Qg وCoss تؤدّي إلى انخفاض الكفاءة.
- 03 高压器件现货稀缺 ترانزستورات التيار العالي فوق 600 فولت مفقودة من المخزون منذ فترة طويلة، فيتعطّل المشروع.
- 04 贴片管来料氧化 过炉后虚焊，批量返修。
从华铉科技采购能得到什么
- نقترح بدائل مكافئة استناداً إلى معايير رئيسية مثل RDS(on) وQg وCoss وEas
- 同一料号尽量同批次交付，参数一致性有保障
- تصل المواد في تعبئة مفرّغة مضادة للرطوبة مع بيان واضح لمستوى MSL
- نقدّم ورقة البيانات وجداول مقارنة للمعايير الرئيسية دعماً لعملية الاختيار
经营范围与规格覆盖
| 主要品类 | MOSFET بقناة N / قناة P، وIGBT مفرد ووحدات، وشوتكي، وسريعة الاستعادة، وTVS، وESD، وترانزستورات |
|---|---|
| 电压范围 | من 20V إلى 1700V |
| 电流范围 | من 0.1A إلى 600A |
| 封装形式 | SOT-23、SOT-223、DPAK (TO-252)、D2PAK (TO-263)、TO-220、TO-247、TO-3P、TDSON-8、SOP Advance、MicroFET |
| 工作温度 | -55 至 175℃ |
| 包装方式 | 编带卷装、管装、散装、托盘 |
本分类站内已建档料号
点击查看完整规格表、同类对比、使用指南与常见问题。未列出的料号请直接询价。
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 250
- أقصى تيار مستمر
- 10.9
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 30
- أقصى تيار مستمر
- 9
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 19@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 150
- أقصى تيار مستمر
- 33
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 42@10V
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- غلاف المورّد
- D2PAK
- التركيب
- تركيب سطح
- حرارة التشغيل
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 1200
- أقصى تيار مستمر
- 12
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 600
- أقصى تيار مستمر
- 20
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 190@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 100
- أقصى تيار مستمر
- 42
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 13.6@10V
主要应用行业
不同行业对同一类器件的要求差别很大。点击进入行业页查看该行业的具体痛点与常用器件。
本分类主要合作品牌
晶体二极管、三极管
