跳到主要内容
华铉科技 标志

Gehäusezeichnung MicroFET 6

Max. Drain-Source-Spannun
30
Max. Dauer-Drainstrom
9
Max. Drain-Source-Widerst
19@10V
Typical Gate Charge @ 10V
9.3
ON Semiconductor · Leistungs-MOSFET

FDMA7632

MicroFET-6-Gehäuse mit 19 mΩ Durchgangswiderstand, für Lastschalter und Batterieschutz in tragbaren Geräten

Der FDMA7632 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi: 30 V Sperrspannung, 9 A Dauer-Drainstrom und 19 mΩ Durchgangswiderstand im winzigen MicroFET-6-Gehäuse. Er zielt auf Lastschalter, Batterieschutz und Niederspannungs-DC-DC in tragbaren und batteriebetriebenen Geräten, wo minimaler Spannungsabfall bei minimaler Platinenfläche im Vordergrund steht.

Max. Drain-Source-Spannung
30
Max. Dauer-Drainstrom.
9
Max. Drain-Source-Widerstand
19@10V
Typical Gate Charge @ 10V (n
9.3
Bezeichnung der Standardverpackung
DFN
Gehäuse laut Lieferant
WDFN EP
Preis und Verfügbarkeit über WhatsApp 邮件询价 Linecard als PDF herunterladen

Hersteller-Teilenummer FDMA7632 · Mindestbestellmenge 1 Stück · Lagerware, Versand in 1 bis 3 Werktagen

Für wen es gedacht ist

谁最能从这颗器件中受益

便携式与手持设备厂商

空间极度受限但需要低压降的负载开关。

锂电池保护板厂商

充放电通路的开关管需要极低导通电阻。

Hersteller von Niederspannungs-DC-DC-Modulen

同步整流位置需要小封装低阻抗器件。

物联网与穿戴设备厂商

电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。

Welche Probleme es löst

它能解决的实际问题

选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。

  • 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
  • 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
  • 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
  • 04 低压器件阈值电压不匹配 Bei 3,3-V-Ansteuerung öffnet das Bauteil nicht vollständig, und der Durchgangswiderstand liegt weit über dem Nennwert.
Wichtigste Vorteile

核心优势

  • Ein niedriger Durchgangswiderstand von 19 mΩ@10V senkt Spannungsabfall und Erwärmung im Pfad deutlich
  • Extrem kleines MicroFET-6-Gehäuse, geeignet für tragbare Geräte mit sehr wenig Platz
  • 30 V Sperrspannung decken ein bis mehrere Lithiumzellen und Systeme bis 12 V ab
  • Eine Verlustleistung von 2400 mW ist für Gehäuse dieser Größe gut

BESCHAFFUNGSHINWEIS

这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。

Technische Daten

完整技术规格

Technisches Datenblatt FDMA7632
EU-RoHSKonform
ECCN (USA)EAR99
TeilestatusAbgekündigt
HTS8541.29.00.95
AutomotiveNein
PPAPNein
ProduktkategoriePower MOSFET
KonfigurationSingle Quad Drain
ProzesstechnologieTMOS
KanalmodusAnreicherungstyp
KanaltypN
Anzahl Elemente pro Chip1
Max. Drain-Source-Spannung (V)30
Max. Gate-Source-Spannung (V)±20
Max. Dauer-Drainstrom (A)9
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)19@10V
Typische Gate-Ladung @ Vgs (nC)|9.3@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)9.3
Typische Eingangskapazität @ Vds (pF)570@15V
Max. Verlustleistung (mW)2400
Typische Fallzeit (ns)2
Typische Anstiegszeit (ns)2
Typische Ausschaltverzögerung (ns)14
Typische Einschaltverzögerung (ns)6
Min. Betriebstemperatur (°C)-55
Max. Betriebstemperatur (°C)150
Temperaturklasse laut LieferantKommerziell
VerpackungGurt auf Rolle
Pinanzahl6
Bezeichnung der StandardverpackungDFN
Gehäuse laut LieferantWDFN EP
MontageOberflächenmontage
Gehäusehöhe0.75
Gehäuselänge2
Gehäusebreite2
Leiterplatte geändert6
AnschlussformOhne Anschlussbeine
Vergleich

与相邻档位器件的对比

选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。

关注指标FDMA7632 30VBauteile der 20V-KlasseBauteile für 60 V und 100 V
漏源耐压30V20V60V bis 100V
适用系统12-V-Systeme mit einer bis drei Lithiumzellen5-V-System mit einer LithiumzelleSysteme von 24 V bis 48 V
导通电阻19mΩ通常更低通常更高
封装尺寸MicroFET 6 extrem klein多为小封装多为中大封装
选型建议便携设备负载开关首选档位极低压系统更高电压系统
Anwendungsleitfaden

使用与设计要点

以下要点来自实际项目中反复出现的问题，比数据手册的极限参数更接近工程现场。

联系工程支持

  1. 驱动电压核对

    Die 19 mΩ gelten bei VGS von 10 V. Kann das System nur 4,5 V oder 3,3 V Ansteuerung liefern, ist im Datenblatt die Kennlinie des Durchgangswiderstands für diese Spannung heranzuziehen: Der reale Wert kann mehr als doppelt so hoch sein.

  2. 散热设计

    Das MicroFET-Gehäuse ist sehr klein, seine Entwärmung hängt fast vollständig vom Platinenkupfer ab. Das Drain-Pad sollte an eine möglichst große Kupferfläche und bei Bedarf an eine innere Wärmelage angeschlossen werden.

  3. 电池保护应用

    用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。

  4. 浪涌与热插拔

    Bei Lastschaltern ist der Einschaltstromstoß zu berücksichtigen. Wir empfehlen einen Softstart über ein RC-Netzwerk am Gate, um dv/dt zu begrenzen.

  5. 降额使用

    Wir empfehlen, 20 V reale Betriebsspannung nicht zu überschreiten und den Dauerstrom nach der tatsächlichen Entwärmung zu berechnen, üblicherweise unter 4 A.

Anwendungen

典型应用行业

相机耳机显示器等数码产品 数码产品 移动数码产品对体积和功耗极度敏感，被动元件用量大且尺寸持续微缩至 0201 甚至 01005。… 查看行业方案 → 城市中的风力发电机组 新能源设备 Die Leistungsklassen von PV-Wechselrichtern, Speicher-PCS und Ladesäulen steigen weiter, während Hochspannungs- und Hochstrombauelemente dauerhaft knapp sind.… 查看行业方案 → 手机游戏手柄与移动娱乐设备 电子娱乐 游戏与影音设备上市窗口极短，量产爬坡快，一旦缺料即错过销售季。… 查看行业方案 →
Ähnliche Produkte

相关料号

同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。

Texas Instruments

LP2985-33DBVRG4

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

Standardverpackung
SOT
Gehäuse laut Lieferant
SOT-23
Teilestatus
Aktiv
查看规格与选型 →
Infineon Technologies

IRFR4615TRLPBF

MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak

Max. Drain-Source-Span.
150
Max. Dauerstrom
33
Max. Drain-Source-Span.
42@10V
查看规格与选型 →
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1400ANH,L1Q(M

MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R

Max. Drain-Source-Span.
100
Max. Dauerstrom
42
Max. Drain-Source-Span.
13.6@10V
查看规格与选型 →
查看二极管 三极管全部内容 浏览全部料号
Häufige Fragen

Häufige Fragen zu FDMA7632

Ist diese Teilenummer als Obsolete, also abgekündigt, gelistet?
Dieser Typ befindet sich in der Spätphase seines Lebenszyklus. Im Kanal können Restbestände liegen, bei deren Suche wir helfen; parallel schlagen wir laufend produzierte Alternativen nach den Kriterien 30 V, 9 A, 19 mΩ und MicroFET-6-Gehäuse zur Bewertung vor.
Welches Gehäuse ist MicroFET 6?
MicroFET ist die Familie kleiner anschlussbeinloser Leistungsgehäuse von Fairchild, heute onsemi, und die 6 steht für die Pinzahl. Die Bauform ähnelt DFN und beansprucht sehr wenig Platinenfläche. Das Footprint ist strikt nach der Datenblattzeichnung auszulegen und mit ähnlichen Gehäusen anderer Hersteller nicht austauschbar.
Kann man ihn direkt aus einem 3,3-V-System treiben?
Im Datenblatt sind Schwellenspannung und Verhalten bei niedriger Ansteuerung zu prüfen. Bei den meisten Bauteilen mit Standardschwelle steigt der Durchgangswiderstand bei 3,3 V Ansteuerung deutlich. Steht im System nur 3,3 V zur Verfügung, empfehlen wir eine Logic-Level- oder Low-Threshold-Version.
Hält ein kleines Gehäuse 9 A aus?
Die 9 A sind die Obergrenze des Chips; der tatsächlich begrenzende Faktor ist die Entwärmungsfähigkeit des Gehäuses. Unter typischen Platinenbedingungen liegt der Dauerstrom des MicroFET 6 meist bei 3 A bis 5 A; darüber hinaus ist ein spezielles Thermodesign nötig.
可以提供替代型号的对比表吗
可以。我们会按耐压、电流、导通电阻、栅极电荷、封装尺寸与引脚定义逐项对比，标注出完全兼容与需要改板的两类方案，供您判断。
下一步

Ich benötige Preis und Verfügbarkeit von FDMA7632

把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。

+86-755-2763007 邮件询价 全部联系方式
电话咨询