TDSON-8 패키지 외형도
- 최대 드레인-소스 전
- 250
- 최대 연속 드레인 전
- 10.9
- 최대 드레인-소스 저
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 8.6
BSZ16DN25NS3GATMA1
TDSON-8 리드리스 패키지·OptiMOS 3 트렌치 공정 ― 고주파 고밀도 전원과 차량용 전자 장치용
BSZ16DN25NS3GATMA1은 Infineon의 OptiMOS 3 트렌치 공정 기반 N채널 MOSFET으로, 내압 250V, 연속 드레인 전류 10.9A이며 TDSON-8 즉 SuperSO8 유형의 리드리스 표면 실장 패키지를 채택합니다. 250V는 비교적 드물지만 실용성이 높은 등급으로, 150V와 300V 사이의 공백을 정확히 메우며 고압 버스의 보조 전원과 산업용 드라이브에 적합합니다.
- 최대 드레인-소스 전압
- 250
- 최대 연속 드레인 전류
- 10.9
- 최대 드레인-소스 저항
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 8.6
- 표준 포장 명칭
- SON
- 공급사 패키지
- TSDSON EP
제조사 품번 BSZ16DN25NS3GATMA1 · 최소 주문 1개 · 재고품 1~3영업일 출하
谁最能从这颗器件中受益
工业辅助电源厂商
고압 버스에서 취전하는 보조 전원에는 250V 등급 소자가 필요합니다.
汽车电子供应商
48V 시스템의 하이사이드 보호와 스위칭에는 충분한 서지 내량이 필요합니다.
电机驱动模块厂商
紧凑型驱动模块需要无引脚封装降低寄生电感。
고주파 전원·LLC 토폴로지 설계 회사
OptiMOS 트렌치 공정의 낮은 게이트 전하는 고주파 동작에 유리합니다.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 引脚寄生电感引发振铃 기존 리드형 패키지는 고주파·고 di/dt에서 링잉이 심해 EMI 개선이 어렵습니다.
- 02 250V 등급은 선택지가 적음 150V와 300V 사이에 적합한 내압 등급이 없어 부득이 상위 등급을 택하게 됩니다.
- 03 无引脚封装焊接难检验 DFN 계열 패키지는 납땜부가 패키지에 가려져 육안 검사가 불가능합니다.
- 04 高频损耗超出预期 栅极电荷与输出电容偏大导致开关损耗不可控。
核心优势
- OptiMOS 3 트렌치 공정은 온 저항과 게이트 전하의 균형이 우수합니다
- TDSON-8 리드리스 패키지는 기생 인덕턴스를 크게 낮추고 고주파 링잉을 억제합니다
- 250V 등급은 고압 버스 보조 전원과 48V 시스템 보호에 정확히 적합합니다
- 编带卷装交付 适合高密度自动化贴装
소싱 노트
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 면제 조항 포함 적합 |
|---|---|
| ECCN(미국) | EAR99 |
| 품번 상태 | 현행 생산 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | 예 |
| SVHC 임계값 초과 | 예 |
| 차량용 | 아니오 |
| PPAP | 아니오 |
| 제품 카테고리 | Power MOSFET |
| 구성 | 싱글 쿼드 드레인 / 트리플 소스 |
| 공정 기술 | OptiMOS |
| 채널 모드 | 인핸스먼트형 |
| 채널 타입 | N |
| 칩당 소자 수 | 1 |
| 최대 드레인-소스 전압 (V) | 250 |
| 최대 게이트-소스 전압 (V) | ±20 |
| 최대 연속 드레인 전류 (A) | 10.9 |
| 최대 드레인-소스 저항 (mOhm) | 165@10V |
| 일반 게이트 전하 @ Vgs (nC) | 8.6@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.6 |
| 일반 입력 커패시턴스 @ Vds (pF) | 690@100V |
| 최대 전력 손실 (mW) | 62500 |
| 일반 하강 시간 (ns) | 4 |
| 일반 상승 시간 (ns) | 4 |
| 일반 턴오프 지연 시간 (ns) | 11 |
| 일반 턴온 지연 시간 (ns) | 6 |
| 최저 동작 온도 (°C) | -55 |
| 최고 동작 온도 (°C) | 150 |
| 포장 | 테이프 앤 릴 |
| 공급사 패키지 | TSDSON EP |
| 핀 수 | 8 |
| 표준 포장 명칭 | SON |
| 장착 | 표면 실장 |
| 패키지 높이 | 1 |
| 패키지 길이 | 3.3 |
| 패키지 폭 | 3.3 |
| PCB 변경 | 8 |
| 리드 형상 | 리드리스 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | BSZ16DN25NS3G | 150V 등급 소자 | 300V 및 400V 소자 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 250V | 150V | 300V~400V |
| 封装形式 | TDSON-8 리드리스 | 多种 | 多种 |
| 寄生电感 | 很低 | 视封装而定 | 视封装而定 |
| 适用母线 | 100V~150V | 48V~90V | 150V~250V |
| 选型建议 | 고압 보조 전원과 48V 계통 보호 | 표준 48V 시스템 | 更高母线电压场景 |
-
PCB 패드 설계
TDSON-8의 드레인 방열 패드는 면적이 크므로 기판 구리면은 동등 이상으로 하고, 하부 층으로 열을 전달하는 비아를 촘촘히 배치하십시오.
-
焊接检验
리드리스 패키지는 납땜부가 가려집니다. 라인에 X-Ray 또는 측면 관찰 AOI를 갖추거나, 초도품 단면 관찰로 리플로 프로파일을 검증하십시오.
-
栅极驱动
沟槽工艺器件栅极电荷小，驱动能力可适当降低，但栅极回路必须极短以避免高频振荡。
-
降额使用
실제 버스 전압은 150V 이내, 접합 온도는 125℃ 이내로 유지할 것을 권장합니다.
-
MSL과 베이킹
패키지에 표기된 MSL 등급에 따라 개봉 후 시간을 관리하고, 초과 시 IPC/JEDEC J-STD-033 규격에 따라 베이킹한 뒤 실장하십시오.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 최대 드레인-소스 전
- 150
- 최대 연속 전
- 33
- 최대 드레인-소스 전
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 최대 드레인-소스 전
- 100
- 최대 연속 전
- 42
- 최대 드레인-소스 전
- 13.6@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 최대 드레인-소스 전
- 600
- 최대 연속 전
- 20
- 최대 드레인-소스 전
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1 관련 자주 묻는 질문
TDSON-8과 SuperSO8 PQFN은 같은 패키지인가요
ATMA1 접미사는 무슨 의미인가요
OptiMOS 3과 OptiMOS 5·6의 차이는 무엇인가요
这个料是车规的吗
最少可以买多少
BSZ16DN25NS3GATMA1 의 가격과 재고가 필요합니다
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。