TO-263 D2PAK 패키지 외형도
- 공급사 패키지
- D2PAK
- 장착
- 표면 실장
- 동작 온도
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
STB10N95K5
MDmesh K5 공정, D2PAK 표면 실장 패키지 ― 광범위 입력·고서지 스위칭 전원용
STB10N95K5는 STMicroelectronics의 MDmesh K5 슈퍼정션 공정 기반 N채널 MOSFET으로, 드레인-소스 내압 950V, 연속 드레인 전류 8A, 온 저항 0.8Ω을 D2PAK 즉 TO-263 표면 실장 패키지로 구현합니다. 950V는 여유가 큰 등급으로, 광범위 입력·높은 턴오프 스파이크·전력 품질이 나쁜 계통을 겨냥한 설계입니다.
- 공급사 패키지
- D2PAK
- 장착
- 표면 실장
- 동작 온도
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
- 전압
- 600
- 채널 타입
- N
제조사 품번 STB10N95K5 · 최소 주문 1개 · 재고품 1~3영업일 출하
谁最能从这颗器件中受益
宽压输入电源厂商
AC 85V~305V 글로벌 입력에는 더 높은 내압 여유가 필요합니다.
工业与户外电源厂商
电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。
高压辅助电源厂商
삼상 정류 후 버스 전압 용도에는 900V 초과 소자가 필요합니다.
LED 드라이버·안정기 제조사
感性负载关断尖峰高，需要额外耐压裕量。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 600V 소자는 전력 품질이 나쁜 계통에서 자주 파괴됨 尖峰电压超出额定值，售后失效率居高不下。
- 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路，牺牲效率。
- 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装，无法适配全贴片产线。
- 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少，交期长。
核心优势
- 950V 내압이 광범위 입력과 높은 서지 환경에 충분한 안전 여유를 제공합니다
- MDmesh K5 슈퍼정션 공정은 초고압 등급에서 낮은 온 저항을 구현합니다
- D2PAK 표면 실장 패키지는 풀 SMT 라인에 적합하며 웨이브 솔더링이 불필요합니다
- -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境
소싱 노트
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| 인핸스먼트형 | |
|---|---|
| 채널 타입 | N |
| 최대 공정 온도 | 245 |
| 최대 연속 드레인 전류 | 8:00 AM |
| 최대 드레인-소스 전압 | 950 V |
| 최대 게이트-소스 전압 | ±30 V |
| 장착 | 표면 실장 |
| MSL 등급 | MSL 1 - Unlimited |
| 동작 온도 | -55 to 150 °C |
| 제품 치수 | 10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max) |
| RDS-on | 0.8@10V Ohm |
| 공급사 패키지 | D2PAK |
| 일반 하강 시간 | 15 ns |
| 일반 상승 시간 | 14 ns |
| 일반 턴오프 지연 시간 | 51 ns |
| 일반 턴온 지연 시간 | 22 ns |
| 전압 | 600 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STB10N95K5 950V | 600V 등급 소자 | 1200V 등급 소자 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 950V | 600V | 1200V |
| 适用输入 | AC 85V~305V 광범위 입력 | AC 176V~264V | 三相或高压直流 |
| 导通电阻 | 0.8Ω@10V | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | D2PAK 표면 실장 | 多种 | 대부분 TO-247 |
| 选型建议 | 宽压输入与高尖峰的平衡选择 | 표준 220V 입력 | 三相与高压直流系统 |
-
D2PAK 방열 설계
D2PAK의 후면 패드는 드레인 방열면이며, 기판에 넓은 구리면과 촘촘한 비아가 필요합니다. 구리 면적이 두 배가 될 때마다 열저항은 약 15%~25% 낮아집니다.
-
高压爬电距离
950V 소자 주변의 기판 배선은 해당 연면 거리와 공간 거리를 만족해야 합니다. IEC 60664 규격에 따라 산출하고 여유를 확보하십시오.
-
栅极驱动
슈퍼정션 소자는 스위칭이 빠르므로 게이트 저항은 20Ω부터 조정을 시작하십시오. 스위칭이 너무 빠르면 EMI와 링잉이 심해집니다.
-
降额使用
실제 동작 전압은 750V 이내, 접합 온도는 125℃ 이내, 전류는 5A 이내로 유지할 것을 권장합니다.
-
缓冲设计
950V의 여유가 있어도 EMI 저감과 소자 스트레스 개선을 위해 RCD 스너버는 유지할 것을 권장합니다.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- 최대 드레인-소스 전
- 1200
- 최대 연속 전
- 12
- 최대 드레인-소스 전
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 최대 드레인-소스 전
- 600
- 최대 연속 전
- 20
- 최대 드레인-소스 전
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 최대 드레인-소스 전
- 250
- 최대 연속 전
- 10.9
- 최대 드레인-소스 전
- 165@10V