TDSON-8 パッケージ外形図
- 最大ドレイン・ソース間電
- 250
- 最大連続ドレイン電
- 10.9
- 最大ドレイン・ソース間抵
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 8.6
BSZ16DN25NS3GATMA1
TDSON-8 リードレスパッケージ・OptiMOS 3 トレンチプロセス ― 高周波・高密度電源と車載エレクトロニクス向け
BSZ16DN25NS3GATMA1 は Infineon の OptiMOS 3 トレンチ工程による N チャネル MOSFET で、耐圧 250V、連続ドレイン電流 10.9A、TDSON-8 すなわち SuperSO8 タイプのリードレス表面実装パッケージを採用しています。250V は比較的珍しいものの実用性の高いクラスで、150V と 300V の間の空白をちょうど埋め、高圧母線の補助電源や産業用ドライブに適します。
- 最大ドレイン・ソース間電圧
- 250
- 最大連続ドレイン電流
- 10.9
- 最大ドレイン・ソース間抵抗
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 8.6
- 標準梱包名称
- SON
- サプライヤー指定パッケージ
- TSDSON EP
メーカー型番 BSZ16DN25NS3GATMA1 ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
工业辅助电源厂商
高圧母線から取る補助電源には 250V クラスのデバイスが必要です。
汽车电子供应商
48V システムのハイサイド保護とスイッチングには十分なサージ耐量が必要です。
电机驱动模块厂商
紧凑型驱动模块需要无引脚封装降低寄生电感。
高周波電源・LLC トポロジー設計会社
OptiMOS トレンチプロセスの低ゲート電荷は高周波動作に有利です。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 引脚寄生电感引发振铃 従来のリード付きパッケージは高周波・高 di/dt でリンギングが大きく、EMI の改善が困難です。
- 02 250V クラスは選択肢が少ない 150V と 300V の間に適した耐圧クラスがなく、やむを得ず上のクラスを選ぶことになります。
- 03 无引脚封装焊接难检验 DFN 系パッケージでは、はんだ接合部がパッケージに隠れ目視検査ができません。
- 04 高频损耗超出预期 栅极电荷与输出电容偏大导致开关损耗不可控。
核心优势
- OptiMOS 3 トレンチプロセスはオン抵抗とゲート電荷のバランスに優れます
- TDSON-8 リードレスパッケージは寄生インダクタンスを大幅に低減し、高周波リンギングを抑制します
- 250V クラスは高圧母線の補助電源と 48V システムの保護に的確に適合します
- 编带卷装交付 适合高密度自动化贴装
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 適用除外付きで適合 |
|---|---|
| ECCN(米国) | EAR99 |
| 型番ステータス | 現行品 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | はい |
| SVHC が閾値超過 | はい |
| 車載 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | Power MOSFET |
| 構成 | シングル・クアッドドレイン/トリプルソース |
| プロセス技術 | OptiMOS |
| チャネルモード | エンハンスメント型 |
| チャネル種別 | N |
| 1チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 (V) | 250 |
| 最大ゲート・ソース間電圧 (V) | ±20 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 10.9 |
| 最大ドレイン・ソース間抵抗 (mOhm) | 165@10V |
| 標準ゲート電荷 @ Vgs (nC) | 8.6@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.6 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 690@100V |
| 最大許容損失 (mW) | 62500 |
| 標準下降時間 (ns) | 4 |
| 標準立ち上がり時間 (ns) | 4 |
| 標準ターンオフ遅延時間 (ns) | 11 |
| 標準ターンオン遅延時間 (ns) | 6 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 150 |
| 包装 | テープ&リール |
| サプライヤー指定パッケージ | TSDSON EP |
| ピン数 | 8 |
| 標準梱包名称 | SON |
| 取付 | 表面実装 |
| パッケージ高さ | 1 |
| パッケージ長さ | 3.3 |
| パッケージ幅 | 3.3 |
| 基板の作り直し | 8 |
| リード形状 | リードレス |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | BSZ16DN25NS3G | 150V クラスのデバイス | 300V と 400V のデバイス |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 250V | 150V | 300V〜400V |
| 封装形式 | TDSON-8 リードレス | 多种 | 多种 |
| 寄生电感 | 很低 | 视封装而定 | 视封装而定 |
| 适用母线 | 100V〜150V | 48V〜90V | 150V〜250V |
| 选型建议 | 高圧補助電源と 48V 系保護 | 標準的な 48V システム | 更高母线电压场景 |
-
PCB ランド設計
TDSON-8 のドレイン放熱パッドは面積が大きいため、基板の銅箔は同等以上の面積とし、底層へ熱を逃がすビアを密に配置してください。
-
焊接检验
リードレスパッケージでは、はんだ接合部が隠れます。ラインには X 線検査または側視 AOI を備えるか、初品の断面観察でリフロープロファイルを検証してください。
-
栅极驱动
沟槽工艺器件栅极电荷小,驱动能力可适当降低,但栅极回路必须极短以避免高频振荡。
-
降额使用
実際の母線電圧は 150V 以内、接合温度は 125℃ 以内に抑えることを推奨します。
-
MSL とベーキング
パッケージに表示された MSL レベルに従って開封後の時間を管理し、超過した場合は IPC/JEDEC J-STD-033 規格に従ってベーキングしてから実装してください。
相关料号
同一设计中常一起出现,或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 最大ドレイン・ソース電
- 150
- 最大連続電
- 33
- 最大ドレイン・ソース電
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 最大ドレイン・ソース電
- 100
- 最大連続電
- 42
- 最大ドレイン・ソース電
- 13.6@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 最大ドレイン・ソース電
- 600
- 最大連続電
- 20
- 最大ドレイン・ソース電
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1 に関するよくある質問
TDSON-8 と SuperSO8 PQFN は同じパッケージですか
ATMA1 というサフィックスの意味は
OptiMOS 3 と OptiMOS 5・6 の違いは何ですか
这个料是车规的吗
最少可以买多少
BSZ16DN25NS3GATMA1 の価格と在庫を知りたい
把需求数量与交期发给我们,现货当天确认,调货料号一并给出准确交期。1 片起订。


