TO-220 パッケージ外形図
- 最大ドレイン・ソース間電
- 600
- 最大連続ドレイン電
- 20
- 最大ドレイン・ソース間抵
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 27
TK20E60U,S1X(S
TO-220 スルーホールパッケージ・0.19Ω オン抵抗 ― PFC とフライバック電源の主スイッチ向け
TK20E60U,S1X(S) は Toshiba の 600V 高耐圧 N チャネルパワー MOSFET で、連続ドレイン電流 20A、許容損失 190W、オン抵抗 0.19Ω を、classic な TO-220 3 ピンのスルーホールパッケージで実現します。600V クラスは AC220V 入力のスイッチング電源で最もよく使われる耐圧等級であり、PFC の昇圧段やフライバックコンバーターの主スイッチとして広く用いられています。
- 最大ドレイン・ソース間電圧
- 600
- 最大連続ドレイン電流
- 20
- 最大ドレイン・ソース間抵抗
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 27
- サプライヤー指定パッケージ
- TO-220
- 型番ステータス
- 生産終了
メーカー型番 TK20E60U,S1X(S ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
AC-DC スイッチング電源・アダプターメーカー
220V 入力のフライバック／フォワード構成における主スイッチの標準構成です。
PFC 力率改善モジュールメーカー
昇圧段のスイッチには 600V の耐圧と良好なスイッチング特性が必要です。
LED ドライバ電源メーカー
非隔离降压与隔离反激拓扑的高压开关。
工业电源与充电桩厂商
大電力の放熱には TO-220 パッケージと放熱器の組み合わせが必要です。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 高压管击穿失效 ターンオフ時のスパイクが定格 600V を超えており、スナバ回路の設計が適切ではありません。
- 02 散热片安装工艺不稳定 绝缘垫片与螺丝扭矩不一致导致热阻分散。
- 03 体二极管反向恢复引发损耗 ハードスイッチング構成では追加損失と EMI を生じます。
- 04 高压器件渠道货源混乱 翻新与打磨片在高压场景下失效风险极高。
核心优势
- 600V の耐圧が AC220V 入力の主流スイッチング電源トポロジーをカバーします
- 0.19Ω のオン抵抗は 600V 20A クラスとして良好な水準です
- TO-220 スルーホールパッケージは放熱器に直接取り付けて大電力の放熱を実現します
- 190W の損失能力が大電力電源設計に余裕をもたらします
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 適用除外付きで適合 |
|---|---|
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 型番ステータス | 生産終了 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| 車載 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | Power MOSFET |
| 材質 | Si |
| 構成 | シングル |
| プロセス技術 | DTMOSII |
| チャネルモード | エンハンスメント型 |
| チャネル種別 | N |
| 1チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 (V) | 600 |
| 最大ゲート・ソース間電圧 (V) | ±30 |
| 最大ゲートしきい値電圧 (V) | 5 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 20 |
| 最大ゲート・ソース間漏れ電流 (nA) | 1000 |
| 最大 IDSS (uA) | 100 |
| 最大ドレイン・ソース間抵抗 (mOhm) | 190@10V |
| 標準ゲート電荷 @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 1470@10V |
| 最大許容損失 (mW) | 190000 |
| 標準下降時間 (ns) | 12 |
| 標準立ち上がり時間 (ns) | 40 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 150 |
| サプライヤー指定パッケージ | TO-220 |
| ピン数 | 3 |
| 取付 | スルーホール実装 |
| パッケージ高さ | 8.59 |
| パッケージ長さ | 10.16 |
| パッケージ幅 | 4.45 |
| 基板の作り直し | 3 |
| タブ | タブ |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TK20E60U 600V | 500V クラスのデバイス | 650V と 900V のデバイス |
|---|---|---|---|
| 适用输入电压 | AC 176V〜264V | AC 100V〜132V | 宽范围输入或高尖峰场景 |
| 导通电阻 | 0.19Ω | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | TO-220 スルーホール | 多种 | TO-247 などの大型パッケージ |
| 散热方式 | 配散热片 | 视功率而定 | 通常需强散热 |
| 选型建议 | 220V 入力の標準構成 | 110V 入力市場専用 | 宽压输入或尖峰裕量不足时升档 |
-
缓冲电路设计
フライバック構成では RCD スナバの実装が必須で、ターンオフスパイクを 500V 以内に抑え、定格 600V に対して最低 100V の裕度を残します。
-
散热片安装
熱伝導絶縁シートを使う場合はねじの締付トルクを揃える必要があり、0.4〜0.6 N·m を推奨します。トルク不足は接触熱抵抗を大きく増加させます。
-
栅极驱动
高圧素子のゲート回路は短く配線し、ゲート抵抗は 10Ω〜47Ω の範囲で調整して、スイッチング速度と EMI を両立させてください。
-
降额使用
実際の動作電圧は 480V 以内、接合温度は 125℃ 以内、電流は 12A 以内に抑えることを推奨します。
-
存储要求
TO-220 のリードはすずめっき仕上げのため、長期保管では防湿・防酸化が必要です。怠るとスルーホール実装時にはんだ付け不良を招きます。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- サプライヤー指定パッケージ
- D2PAK
- 取付
- 表面実
- 動作温度
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- 最大ドレイン・ソース電
- 1200
- 最大連続電
- 12
- 最大ドレイン・ソース電
- 690@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 最大ドレイン・ソース電
- 150
- 最大連続電
- 33
- 最大ドレイン・ソース電
- 42@10V