TO-263 D2PAK パッケージ外形図
- サプライヤー指定パッケージ
- D2PAK
- 取付
- 表面実装
- 動作温度
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
STB10N95K5
MDmesh K5 プロセス、D2PAK 表面実装パッケージ ― ワイド入力・高サージのスイッチング電源向け
STB10N95K5 は STMicroelectronics の MDmesh K5 スーパージャンクション工程による N チャネル MOSFET で、ドレイン・ソース間耐圧 950V、連続ドレイン電流 8A、オン抵抗 0.8Ω を、D2PAK すなわち TO-263 の表面実装パッケージで実現します。950V は裕度の大きいクラスで、広範囲入力、高いターンオフスパイク、電力品質の悪い系統を想定した設計です。
- サプライヤー指定パッケージ
- D2PAK
- 取付
- 表面実装
- 動作温度
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
- 電圧
- 600
- チャネル種別
- N
メーカー型番 STB10N95K5 ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
宽压输入电源厂商
AC 85V〜305V のグローバル入力には、より高い耐圧裕度が必要です。
工业与户外电源厂商
电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。
高压辅助电源厂商
三相整流後の母線電圧の用途には 900V 超のデバイスが必要です。
LED ドライバ・安定器メーカー
感性负载关断尖峰高，需要额外耐压裕量。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 600V デバイスは電力品質の悪い系統で頻繁に破壊する 尖峰电压超出额定值，售后失效率居高不下。
- 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路，牺牲效率。
- 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装，无法适配全贴片产线。
- 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少，交期长。
核心优势
- 950V の耐圧がワイド入力と高サージ環境に十分な安全裕度を与えます
- MDmesh K5 スーパージャンクション工程は超高圧クラスで低いオン抵抗を実現します
- D2PAK 表面実装パッケージはフル SMT ラインに適合し、フロー（波はんだ）が不要です
- -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| エンハンスメント型 | |
|---|---|
| チャネル種別 | N |
| 最大プロセス温度 | 245 |
| 最大連続ドレイン電流 | 8:00 AM |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 | 950 V |
| 最大ゲート・ソース間電圧 | ±30 V |
| 取付 | 表面実装 |
| MSL レベル | MSL 1 - Unlimited |
| 動作温度 | -55 to 150 °C |
| 製品寸法 | 10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max) |
| RDS-on | 0.8@10V Ohm |
| サプライヤー指定パッケージ | D2PAK |
| 標準下降時間 | 15 ns |
| 標準立ち上がり時間 | 14 ns |
| 標準ターンオフ遅延時間 | 51 ns |
| 標準ターンオン遅延時間 | 22 ns |
| 電圧 | 600 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STB10N95K5 950V | 600V クラスのデバイス | 1200V クラスのデバイス |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 950V | 600V | 1200V |
| 适用输入 | AC 85V〜305V のワイド入力 | AC 176V〜264V | 三相或高压直流 |
| 导通电阻 | 0.8Ω@10V | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | D2PAK 表面実装 | 多种 | 多くは TO-247 |
| 选型建议 | 宽压输入与高尖峰的平衡选择 | 標準的な 220V 入力 | 三相与高压直流系统 |
-
D2PAK の放熱設計
D2PAK の裏面パッドはドレインの放熱面であり、基板側に大面積の銅箔とビアを密に配置する必要があります。銅箔面積が倍になるごとに熱抵抗は約 15%〜25% 低下します。
-
高压爬电距离
950V デバイス周辺の基板配線は、所定の沿面距離と空間距離を満たす必要があります。IEC 60664 規格に基づいて算出し、裕度を確保してください。
-
栅极驱动
スーパージャンクション素子はスイッチングが速いため、ゲート抵抗は 20Ω から調整を始めてください。速すぎるスイッチングは EMI とリンギングを悪化させます。
-
降额使用
実際の動作電圧は 750V 以内、接合温度は 125℃ 以内、電流は 5A 以内に抑えることを推奨します。
-
缓冲设计
950V の裕度があっても、EMI 低減と素子のストレス改善のため RCD スナバは残すことを推奨します。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- 最大ドレイン・ソース電
- 1200
- 最大連続電
- 12
- 最大ドレイン・ソース電
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- 最大ドレイン・ソース電
- 600
- 最大連続電
- 20
- 最大ドレイン・ソース電
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 最大ドレイン・ソース電
- 250
- 最大連続電
- 10.9
- 最大ドレイン・ソース電
- 165@10V