Esquema del encapsulado TO-220
- Tensión drenador-fuente máx
- 600
- Corriente continua de drenador máx
- 20
- Resistencia drenador-fuente máx
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 27
TK20E60U,S1X(S
Encapsulado pasante TO-220 con 0,19 Ω de resistencia en conducción, para el interruptor principal de PFC y de fuentes flyback
El TK20E60U,S1X(S) es un MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de 600 V de Toshiba, con 20 A de corriente continua de drenador, 190 W de capacidad de disipación y 0,19 Ω de resistencia en conducción, en el clásico encapsulado pasante TO-220 de tres patillas. La clase de 600 V es la tensión de bloqueo más usada en fuentes conmutadas con entrada de 220 V CA, muy extendida en la etapa elevadora del PFC y en el interruptor principal de los convertidores flyback.
- Tensión drenador-fuente máxima
- 600
- Corriente continua de drenador máxima
- 20
- Resistencia drenador-fuente máxima
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 27
- Encapsulado del proveedor
- TO-220
- Estado de la referencia
- Obsoleto
Referencia de fábrica TK20E60U,S1X(S · pedido mínimo 1 unidad · stock enviado en 1 a 3 días hábiles
谁最能从这颗器件中受益
Fabricantes de fuentes conmutadas AC-DC y adaptadores
Configuración estándar del interruptor principal en topologías flyback y forward de entrada de 220 V.
Fabricantes de módulos de corrección del factor de potencia PFC
El interruptor de la etapa elevadora necesita 600 V de bloqueo y buenas características de conmutación.
Fabricantes de fuentes para driver LED
非隔离降压与隔离反激拓扑的高压开关。
工业电源与充电桩厂商
Necesitamos encapsulado TO-220 con disipador para evacuar potencias elevadas.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 高压管击穿失效 El pico de apagado supera el valor nominal de 600 V: el circuito snubber está mal diseñado.
- 02 散热片安装工艺不稳定 绝缘垫片与螺丝扭矩不一致导致热阻分散。
- 03 体二极管反向恢复引发损耗 Provoca pérdidas adicionales y EMI en topologías de conmutación dura.
- 04 高压器件渠道货源混乱 翻新与打磨片在高压场景下失效风险极高。
核心优势
- Una tensión de bloqueo de 600 V cubre las topologías conmutadas habituales con entrada de 220 V CA
- Una resistencia en conducción de 0,19 Ω es un buen valor en la clase de 600 V y 20 A
- El encapsulado pasante TO-220 se acopla directamente a un disipador para evacuar potencias elevadas
- Una capacidad de disipación de 190 W deja margen al diseño de fuentes de alta potencia
NOTA DE ABASTECIMIENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme con exención |
|---|---|
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la referencia | Obsoleto |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automoción | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuración | Simple |
| Tecnología de proceso | DTMOSII |
| Modo de canal | De enriquecimiento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensión drenador-fuente máxima (V) | 600 |
| Tensión puerta-fuente máxima (V) | ±30 |
| Tensión umbral de puerta máxima (V) | 5 |
| Corriente continua de drenador máxima (A) | 20 |
| Corriente de fuga puerta-fuente máxima (nA) | 1000 |
| IDSS máxima (uA) | 100 |
| Resistencia drenador-fuente máxima (mOhm) | 190@10V |
| Carga de puerta típica @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) | 1470@10V |
| Disipación de potencia máxima (mW) | 190000 |
| Tiempo de bajada típico (ns) | 12 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 40 |
| Temperatura de trabajo mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de trabajo máxima (°C) | 150 |
| Encapsulado del proveedor | TO-220 |
| Número de pines | 3 |
| Montaje | Montaje pasante |
| Altura del encapsulado | 8.59 |
| Longitud del encapsulado | 10.16 |
| Ancho del encapsulado | 4.45 |
| PCB rediseñada | 3 |
| Lengüeta | Lengüeta |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TK20E60U 600V | componentes de la clase 500V | Dispositivos de 650 V y 900 V |
|---|---|---|---|
| 适用输入电压 | AC 176V a 264V | AC 100V a 132V | 宽范围输入或高尖峰场景 |
| 导通电阻 | 0.19Ω | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | TO-220 pasante | 多种 | Encapsulados mayores como el TO-247 |
| 散热方式 | 配散热片 | 视功率而定 | 通常需强散热 |
| 选型建议 | Solución estándar para entrada de 220 V | Específico para el mercado de entrada de 110 V | 宽压输入或尖峰裕量不足时升档 |
-
缓冲电路设计
La topología flyback obliga a montar un snubber RCD que limite el pico de apagado por debajo de 500 V, dejando al menos 100 V de margen frente al valor nominal de 600 V.
-
散热片安装
Al usar almohadillas aislantes térmicas hay que mantener uniforme el par de apriete, recomendado entre 0,4 y 0,6 N·m. Un par insuficiente aumenta mucho la resistencia térmica de contacto.
-
栅极驱动
El lazo de puerta de los transistores de alta tensión debe ser corto; recomendamos ajustar la resistencia de puerta entre 10 Ω y 47 Ω para conciliar velocidad de conmutación y EMI.
-
降额使用
Recomendamos no superar 480 V de tensión de trabajo real, mantener la temperatura de unión por debajo de 125 ℃ y la corriente por debajo de 12 A.
-
存储要求
Las patillas del TO-220 llevan estañado; en almacenamiento prolongado hay que protegerlas de la humedad y la oxidación para evitar soldaduras frías al insertarlas.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Encapsulado del proveedor
- D2PAK
- Montaje
- Montaje superficia
- Temperatura de trabajo
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Tensión drenador-fuente máx.
- 1200
- Corriente continua máx.
- 12
- Tensión drenador-fuente máx.
- 690@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensión drenador-fuente máx.
- 150
- Corriente continua máx.
- 33
- Tensión drenador-fuente máx.
- 42@10V
Preguntas frecuentes sobre TK20E60U,S1X(S
¿Se puede usar un transistor de 600 V con entrada trifásica de 380 V?
¿Qué diferencia hay entre el TO-220 y el TO-220F?
Esta referencia figura como Obsolete y descatalogada, ¿aún se puede conseguir?
如何判断买到的是不是翻新片
有没有对应的国产替代方案
Necesito precio y stock de TK20E60U,S1X(S
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。