Esquema del encapsulado TO-263 D2PAK
- Encapsulado del proveedor
- D2PAK
- Montaje
- Montaje superficial
- Temperatura de trabajo
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
STB10N95K5
Proceso MDmesh K5 en encapsulado SMD D2PAK, para fuentes conmutadas de entrada de amplio rango y picos elevados
El STB10N95K5 es un MOSFET de canal N con proceso de superunión MDmesh K5 de STMicroelectronics: 950 V de tensión drenador-fuente, 8 A de corriente continua de drenador y 0,8 Ω de resistencia en conducción, en encapsulado SMD D2PAK, es decir TO-263. Los 950 V son una clase de gran margen, pensada para entradas de rango amplio, picos de apagado altos o redes eléctricas de mala calidad.
- Encapsulado del proveedor
- D2PAK
- Montaje
- Montaje superficial
- Temperatura de trabajo
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
- Tensión
- 600
- Tipo de canal
- N
Referencia de fábrica STB10N95K5 · pedido mínimo 1 unidad · stock enviado en 1 a 3 días hábiles
谁最能从这颗器件中受益
宽压输入电源厂商
Una entrada universal de 85 V a 305 V CA exige un margen de tensión más alto.
工业与户外电源厂商
电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。
高压辅助电源厂商
Los escenarios de bus tras rectificación trifásica necesitan dispositivos de más de 900 V.
Fabricantes de drivers LED y balastos
感性负载关断尖峰高,需要额外耐压裕量。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 Los dispositivos de 600 V se perforan a menudo en redes de mala calidad 尖峰电压超出额定值,售后失效率居高不下。
- 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路,牺牲效率。
- 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装,无法适配全贴片产线。
- 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少,交期长。
核心优势
- Una tensión de bloqueo de 950 V da margen de seguridad suficiente para entradas de amplio rango y picos altos
- El proceso de superunión MDmesh K5 logra una resistencia en conducción baja en las clases de muy alta tensión
- El encapsulado SMD D2PAK se adapta a líneas totalmente SMD, sin necesidad de soldadura por ola
- -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境
NOTA DE ABASTECIMIENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| De enriquecimiento | |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Temperatura máxima de proceso | 245 |
| Corriente continua de drenador máxima | 8:00 AM |
| Tensión drenador-fuente máxima | 950 V |
| Tensión puerta-fuente máxima | ±30 V |
| Montaje | Montaje superficial |
| Nivel MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Temperatura de trabajo | -55 to 150 °C |
| Dimensiones del producto | 10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max) |
| RDS-on | 0.8@10V Ohm |
| Encapsulado del proveedor | D2PAK |
| Tiempo de bajada típico | 15 ns |
| Tiempo de subida típico | 14 ns |
| Retardo de apagado típico | 51 ns |
| Retardo de encendido típico | 22 ns |
| Tensión | 600 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STB10N95K5 950V | componentes de la clase 600V | componentes de la clase 1200V |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 950V | 600V | 1200V |
| 适用输入 | Amplio rango de CA de 85 V a 305 V | AC 176V a 264V | 三相或高压直流 |
| 导通电阻 | 0.8Ω@10V | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | Montaje superficial D2PAK | 多种 | En su mayoría TO-247 |
| 选型建议 | 宽压输入与高尖峰的平衡选择 | Entrada estándar de 220 V | 三相与高压直流系统 |
-
Diseño térmico del D2PAK
El pad posterior del D2PAK es la superficie térmica del drenador: la PCB necesita un plano de cobre amplio con vías densas. Cada vez que se duplica el área de cobre, la resistencia térmica baja en torno a un 15 % o 25 %.
-
高压爬电距离
Las pistas de PCB alrededor de un dispositivo de 950 V deben cumplir las distancias de fuga y de aislamiento correspondientes; recomendamos calcularlas según la norma IEC 60664 y dejar margen.
-
栅极驱动
Los dispositivos de superunión conmutan muy rápido: recomendamos empezar a ajustar con 20 Ω de resistencia de puerta, porque una conmutación demasiado rápida agrava la EMI y el timbre.
-
降额使用
Recomendamos no superar 750 V de tensión de trabajo real, mantener la temperatura de unión por debajo de 125 ℃ y la corriente por debajo de 5 A.
-
缓冲设计
Aun con 950 V de margen, recomendamos mantener el snubber RCD para reducir la EMI y mejorar el esfuerzo de trabajo del dispositivo.
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相关料号
同一设计中常一起出现,或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Tensión drenador-fuente máx.
- 1200
- Corriente continua máx.
- 12
- Tensión drenador-fuente máx.
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Tensión drenador-fuente máx.
- 600
- Corriente continua máx.
- 20
- Tensión drenador-fuente máx.
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensión drenador-fuente máx.
- 250
- Corriente continua máx.
- 10.9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 165@10V
Preguntas frecuentes sobre STB10N95K5
¿Un dispositivo de 950 V permite ahorrarse el circuito snubber?
¿Qué proceso es el MDmesh K5?
¿Se puede soldar el D2PAK por ola?
¿Se pueden usar 8 A de forma continuada?
这个型号的交期一般多久
Necesito precio y stock de STB10N95K5
把需求数量与交期发给我们,现货当天确认,调货料号一并给出准确交期。1 片起订。