Esquema del encapsulado MicroFET 6
- Tensión drenador-fuente máx
- 30
- Corriente continua de drenador máx
- 9
- Resistencia drenador-fuente máx
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
Encapsulado MicroFET 6 con 19 mΩ de resistencia en conducción, para interruptores de carga y protección de batería en equipos portátiles
El FDMA7632 es un MOSFET de potencia de canal N de onsemi: 30 V de bloqueo, 9 A de corriente continua de drenador y 19 mΩ de resistencia en conducción, en el minúsculo encapsulado MicroFET 6. Está pensado para interruptores de carga, protección de batería y DC-DC de baja tensión en equipos portátiles y alimentados por batería, donde la exigencia central es la mínima caída en el camino con la mínima superficie de placa.
- Tensión drenador-fuente máxima
- 30
- Corriente continua de drenador máxima
- 9
- Resistencia drenador-fuente máxima
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- Nombre del embalaje estándar
- DFN
- Encapsulado del proveedor
- WDFN EP
Referencia de fábrica FDMA7632 · pedido mínimo 1 unidad · stock enviado en 1 a 3 días hábiles
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
Fabricantes de módulos DC-DC de baja tensión
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 Con excitación de 3,3 V no llega a abrir del todo y la resistencia en conducción supera con mucho el valor nominal.
核心优势
- Una resistencia en conducción baja de 19 mΩ@10V reduce mucho la caída de tensión y el calentamiento del camino
- Encapsulado extremadamente pequeño MicroFET 6, adecuado para equipos portátiles con espacio muy limitado
- Una tensión de bloqueo de 30 V cubre de una a varias celdas de litio y sistemas de hasta 12 V
- Una capacidad de disipación de 2400 mW es buena para encapsulados de ese tamaño
NOTA DE ABASTECIMIENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme |
|---|---|
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la referencia | Obsoleto |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automoción | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | Power MOSFET |
| Configuración | Drenador cuádruple único |
| Tecnología de proceso | TMOS |
| Modo de canal | De enriquecimiento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensión drenador-fuente máxima (V) | 30 |
| Tensión puerta-fuente máxima (V) | ±20 |
| Corriente continua de drenador máxima (A) | 9 |
| Resistencia drenador-fuente máxima (mOhm) | 19@10V |
| Carga de puerta típica @ Vgs (nC) | |9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) | 570@15V |
| Disipación de potencia máxima (mW) | 2400 |
| Tiempo de bajada típico (ns) | 2 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 2 |
| Retardo de apagado típico (ns) | 14 |
| Retardo de encendido típico (ns) | 6 |
| Temperatura de trabajo mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de trabajo máxima (°C) | 150 |
| Grado de temperatura del proveedor | Comercial |
| Embalaje | Cinta y carrete |
| Número de pines | 6 |
| Nombre del embalaje estándar | DFN |
| Encapsulado del proveedor | WDFN EP |
| Montaje | Montaje superficial |
| Altura del encapsulado | 0.75 |
| Longitud del encapsulado | 2 |
| Ancho del encapsulado | 2 |
| PCB rediseñada | 6 |
| Forma de los terminales | Sin terminales |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | componentes de la clase 20V | Dispositivos de 60 V y 100 V |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | 60V a 100V |
| 适用系统 | Sistemas de 12 V con una a tres celdas de litio | Sistema de 5 V con una celda de litio | Sistemas de 24 V a 48 V |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 extremadamente pequeño | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
Los 19 mΩ son el valor con VGS de 10 V. Si el sistema solo puede dar 4,5 V o 3,3 V de excitación, hay que consultar en el datasheet la curva de resistencia en conducción para esa tensión: el valor real puede ser más del doble.
-
散热设计
El encapsulado MicroFET es muy pequeño y su disipación depende casi por completo del cobre de la PCB. El pad de drenador debe conectarse a la mayor superficie de cobre posible y, si hace falta, a un plano térmico interno.
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
En aplicaciones de interruptor de carga hay que tener en cuenta la corriente de choque al arrancar. Recomendamos un arranque suave mediante una red RC en la puerta para controlar el dv/dt.
-
降额使用
Recomendamos no superar 20 V de tensión de trabajo real y calcular la corriente continua según la disipación efectiva, normalmente por debajo de 4 A.
典型应用行业
数码产品
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- Embalaje estándar
- SOT
- Encapsulado del proveedor
- SOT-23
- Estado de la referencia
- Activo
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensión drenador-fuente máx.
- 150
- Corriente continua máx.
- 33
- Tensión drenador-fuente máx.
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Tensión drenador-fuente máx.
- 100
- Corriente continua máx.
- 42
- Tensión drenador-fuente máx.
- 13.6@10V
Preguntas frecuentes sobre FDMA7632
¿Esta referencia aparece como Obsolete, descatalogada?
¿Qué encapsulado es el MicroFET 6?
¿Se puede excitar directamente desde un sistema de 3,3 V?
¿Un encapsulado pequeño aguanta 9 A?
可以提供替代型号的对比表吗
Necesito precio y stock de FDMA7632
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。