MicroFET 6 패키지 외형도
- 최대 드레인-소스 전
- 30
- 최대 연속 드레인 전
- 9
- 최대 드레인-소스 저
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
MicroFET 6 패키지·19mΩ 온 저항 ― 휴대 기기의 로드 스위치와 배터리 보호용
FDMA7632는 onsemi의 N채널 파워 MOSFET으로, 내압 30V, 연속 드레인 전류 9A, 온 저항 19mΩ을 초소형 MicroFET 6 패키지로 구현합니다. 휴대 기기와 배터리 구동 기기의 로드 스위치, 배터리 보호, 저전압 DC-DC를 겨냥하며, 최소 기판 면적에서 경로 전압 강하를 최소화하는 것이 핵심 요구입니다.
- 최대 드레인-소스 전압
- 30
- 최대 연속 드레인 전류
- 9
- 최대 드레인-소스 저항
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- 표준 포장 명칭
- DFN
- 공급사 패키지
- WDFN EP
제조사 품번 FDMA7632 · 최소 주문 1개 · 재고품 1~3영업일 출하
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
저전압 DC-DC 모듈 제조사
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 3.3V 구동에서는 완전히 켜지지 않아 온 저항이 공칭값을 크게 초과합니다.
核心优势
- 19mΩ@10V의 낮은 온 저항이 경로의 전압 강하와 발열을 크게 낮춥니다
- MicroFET 6 초소형 패키지 ― 공간이 극도로 제한된 휴대 기기에 적합
- 30V 내압이 1셀부터 다셀 리튬 배터리와 12V 이내 시스템을 커버
- 2400mW의 손실 용량은 동일 크기 패키지 중 우수한 수준입니다
소싱 노트
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 적합 |
|---|---|
| ECCN(미국) | EAR99 |
| 품번 상태 | 단종 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| 차량용 | 아니오 |
| PPAP | 아니오 |
| 제품 카테고리 | Power MOSFET |
| 구성 | 싱글 쿼드 드레인 |
| 공정 기술 | TMOS |
| 채널 모드 | 인핸스먼트형 |
| 채널 타입 | N |
| 칩당 소자 수 | 1 |
| 최대 드레인-소스 전압 (V) | 30 |
| 최대 게이트-소스 전압 (V) | ±20 |
| 최대 연속 드레인 전류 (A) | 9 |
| 최대 드레인-소스 저항 (mOhm) | 19@10V |
| 일반 게이트 전하 @ Vgs (nC) | |9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| 일반 입력 커패시턴스 @ Vds (pF) | 570@15V |
| 최대 전력 손실 (mW) | 2400 |
| 일반 하강 시간 (ns) | 2 |
| 일반 상승 시간 (ns) | 2 |
| 일반 턴오프 지연 시간 (ns) | 14 |
| 일반 턴온 지연 시간 (ns) | 6 |
| 최저 동작 온도 (°C) | -55 |
| 최고 동작 온도 (°C) | 150 |
| 공급사 온도 등급 | 상용 |
| 포장 | 테이프 앤 릴 |
| 핀 수 | 6 |
| 표준 포장 명칭 | DFN |
| 공급사 패키지 | WDFN EP |
| 장착 | 표면 실장 |
| 패키지 높이 | 0.75 |
| 패키지 길이 | 2 |
| 패키지 폭 | 2 |
| PCB 변경 | 6 |
| 리드 형상 | 리드리스 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | 20V 등급 소자 | 60V 및 100V 소자 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | 60V~100V |
| 适用系统 | 1~3셀 리튬 배터리 12V 시스템 | 1셀 리튬 배터리 5V 시스템 | 24V~48V 시스템 |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 초소형 | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
19mΩ은 VGS = 10V 조건의 값입니다. 시스템이 4.5V나 3.3V 구동만 제공할 수 있다면 데이터시트의 해당 구동 전압에서의 온 저항 곡선을 반드시 확인하십시오. 실제 값은 두 배 이상이 될 수 있습니다.
-
散热设计
MicroFET 패키지는 부피가 작아 방열이 거의 전적으로 기판 구리에 의존합니다. 드레인 패드는 가능한 한 넓은 구리면에 연결하고, 필요하면 내층에 방열층을 두십시오.
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
로드 스위치 용도에서는 투입 시 돌입 전류를 고려해야 합니다. 게이트 RC 네트워크로 소프트 스타트를 구현해 dv/dt를 제어하십시오.
-
降额使用
실제 동작 전압은 20V 이내로 하고, 연속 전류는 실제 방열 조건에 따라 산출하십시오(보통 4A 이내).
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- 표준 포장
- SOT
- 공급사 패키지
- SOT-23
- 품번 상태
- 현행 생산
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 최대 드레인-소스 전
- 150
- 최대 연속 전
- 33
- 최대 드레인-소스 전
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 최대 드레인-소스 전
- 100
- 최대 연속 전
- 42
- 최대 드레인-소스 전
- 13.6@10V