Esquema do encapsulamento MicroFET 6
- Tensão dreno-fonte máx
- 30
- Corrente contínua de dreno máx
- 9
- Resistência dreno-fonte máx
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
Encapsulamento MicroFET 6 com 19 mΩ de resistência em condução, para interruptores de carga e proteção de bateria em equipamentos portáteis
O FDMA7632 é um MOSFET de potência de canal N da onsemi: 30 V de bloqueio, 9 A de corrente contínua de dreno e 19 mΩ de resistência em condução, no minúsculo encapsulamento MicroFET 6. Foi pensado para interruptores de carga, proteção de bateria e DC-DC de baixa tensão em equipamentos portáteis e alimentados a bateria, onde a exigência central é a mínima queda no caminho com a mínima área de placa.
- Tensão dreno-fonte máxima
- 30
- Corrente contínua de dreno máxima
- 9
- Resistência dreno-fonte máxima
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- Nome da embalagem padrão
- DFN
- Encapsulamento do fornecedor
- WDFN EP
Referência de fábrica FDMA7632 · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
Fabricantes de módulos DC-DC de baixa tensão
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 Com acionamento de 3,3 V não chega a abrir totalmente e a resistência em condução ultrapassa largamente o valor nominal.
核心优势
- Uma resistência em condução baixa de 19 mΩ@10V reduz muito a queda de tensão e o aquecimento do caminho
- Encapsulamento extremamente pequeno MicroFET 6, adequado a equipamentos portáteis com espaço muito limitado
- Uma tensão de bloqueio de 30 V cobre de uma a várias células de lítio e sistemas até 12 V
- Uma capacidade de dissipação de 2400 mW é boa para encapsulamentos dessa dimensão
NOTA DE FORNECIMENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme |
|---|---|
| ECCN (EUA) | EAR99 |
| Estado da referência | Obsoleto |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automóvel | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | Power MOSFET |
| Configuração | Dreno quádruplo único |
| Tecnologia de processo | TMOS |
| Modo de canal | De enriquecimento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensão dreno-fonte máxima (V) | 30 |
| Tensão porta-fonte máxima (V) | ±20 |
| Corrente contínua de dreno máxima (A) | 9 |
| Resistência dreno-fonte máxima (mOhm) | 19@10V |
| Carga de porta típica @ Vgs (nC) | |9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) | 570@15V |
| Dissipação de potência máxima (mW) | 2400 |
| Tempo de descida típico (ns) | 2 |
| Tempo de subida típico (ns) | 2 |
| Atraso de desativação típico (ns) | 14 |
| Atraso de ativação típico (ns) | 6 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máxima (°C) | 150 |
| Grau de temperatura do fornecedor | Comercial |
| Embalagem | Fita e carretel |
| Número de pinos | 6 |
| Nome da embalagem padrão | DFN |
| Encapsulamento do fornecedor | WDFN EP |
| Montagem | Montagem em superfície |
| Altura do encapsulamento | 0.75 |
| Comprimento do encapsulamento | 2 |
| Largura do encapsulamento | 2 |
| PCB redesenhada | 6 |
| Forma dos terminais | Sem terminais |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | componentes da classe 20V | Dispositivos de 60 V e 100 V |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | 60V a 100V |
| 适用系统 | Sistemas de 12 V com uma a três células de lítio | Sistema de 5 V com uma célula de lítio | Sistemas de 24 V a 48 V |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 extremamente pequeno | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
Os 19 mΩ são o valor com VGS de 10 V. Se o sistema só puder dar 4,5 V ou 3,3 V de acionamento, há que consultar no datasheet a curva de resistência em condução para essa tensão: o valor real pode ser mais do dobro.
-
散热设计
O encapsulamento MicroFET é muito pequeno e a sua dissipação depende quase totalmente do cobre da PCB. O pad de dreno deve ligar-se à maior área de cobre possível e, se necessário, a um plano térmico interno.
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
Em aplicações de interruptor de carga há que ter em conta a corrente de arranque. Recomendamos um arranque suave através de uma rede RC na porta para controlar o dv/dt.
-
降额使用
Recomendamos não ultrapassar 20 V de tensão de funcionamento real e calcular a corrente contínua conforme a dissipação efetiva, normalmente abaixo de 4 A.
典型应用行业
数码产品
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- Embalagem padrão
- SOT
- Encapsulamento do fornecedor
- SOT-23
- Estado da referência
- Ativo
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensão dreno-fonte máx.
- 150
- Corrente contínua máx.
- 33
- Tensão dreno-fonte máx.
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Tensão dreno-fonte máx.
- 100
- Corrente contínua máx.
- 42
- Tensão dreno-fonte máx.
- 13.6@10V
Perguntas frequentes sobre FDMA7632
Esta referência aparece como Obsolete, descontinuada?
Que encapsulamento é o MicroFET 6?
Pode ser acionado diretamente a partir de um sistema de 3,3 V?
Um encapsulamento pequeno aguenta 9 A?
可以提供替代型号的对比表吗
Preciso de preço e stock de FDMA7632
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。