Схема корпуса MicroFET 6
- Макс. напряжение сток-исто
- 30
- Макс. непрерывный ток стока
- 9
- Макс. сопротивление сток-исток
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
Корпус MicroFET 6 с сопротивлением 19 мОм — для нагрузочных ключей и защиты батареи в портативной технике
FDMA7632 — силовой MOSFET с каналом N от onsemi: 30 В, 9 А непрерывного тока стока и 19 мОм сопротивления канала в крошечном корпусе MicroFET 6. Он предназначен для нагрузочных ключей, защиты батареи и низковольтных DC-DC в портативной и батарейной технике, где главное — минимальное падение на тракте при минимальной площади платы.
- Макс. напряжение сток-исток
- 30
- Макс. непрерывный ток стока.
- 9
- Макс. сопротивление канала
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- Название стандартной упаковки
- DFN
- Корпус по классификации поставщика
- WDFN EP
Заводской артикул FDMA7632 · минимальный заказ 1 шт. · отгрузка со склада за 1–3 рабочих дня
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
Производители низковольтных DC-DC модулей
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 При управлении 3,3 В прибор не открывается полностью, и сопротивление канала намного превышает номинал.
核心优势
- Низкое сопротивление 19 мОм@10 В заметно снижает падение напряжения и нагрев тракта
- Предельно малый корпус MicroFET 6 — для портативных устройств с очень жёстким ограничением места
- Напряжение 30 В закрывает от одной до нескольких литиевых ячеек и системы до 12 В
- Рассеиваемая мощность 2400 мВт — хороший показатель для корпуса такого размера
ЗАМЕТКА ПО СНАБЖЕНИЮ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS ЕС | Соответствует |
|---|---|
| ECCN (США) | EAR99 |
| Статус позиции | Снят с производства |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Автомобильный | Нет |
| PPAP | Нет |
| Категория продукта | Power MOSFET |
| Конфигурация | Одиночный счетверённый сток |
| Технология изготовления | TMOS |
| Режим канала | Обогащённого типа |
| Тип канала | N |
| Число элементов в кристалле | 1 |
| Макс. напряжение сток-исток (В) | 30 |
| Макс. напряжение затвор-исток (В) | ±20 |
| Макс. непрерывный ток стока (А) | 9 |
| Макс. сопротивление сток-исток (мОм) | 19@10V |
| Типовой заряд затвора при Vgs (нКл) | |9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| Типовая входная ёмкость при Vds (пФ) | 570@15V |
| Макс. рассеиваемая мощность (мВт) | 2400 |
| Типовое время спада (нс) | 2 |
| Типовое время нарастания (нс) | 2 |
| Типовая задержка выключения (нс) | 14 |
| Типовая задержка включения (нс) | 6 |
| Мин. рабочая температура (°C) | -55 |
| Макс. рабочая температура (°C) | 150 |
| Температурный класс поставщика | Коммерческий |
| Упаковка | Лента в катушке |
| Число выводов | 6 |
| Название стандартной упаковки | DFN |
| Корпус по классификации поставщика | WDFN EP |
| Монтаж | Поверхностный монтаж |
| Высота корпуса | 0.75 |
| Длина корпуса | 2 |
| Ширина корпуса | 2 |
| Плата переработана | 6 |
| Форма выводов | Безвыводной |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | компоненты класса 20V | Приборы на 60 В и 100 В |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | от 60V до 100V |
| 适用系统 | Системы 12 В с одной–тремя литиевыми ячейками | Система 5 В с одной литиевой ячейкой | Системы от 24 до 48 В |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 — предельно малый | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
19 мОм — значение при VGS 10 В. Если система может дать только 4,5 В или 3,3 В управления, смотрите в datasheet кривую сопротивления для этого напряжения: реальная величина может быть более чем вдвое выше.
-
散热设计
Корпус MicroFET очень мал, и теплоотвод почти полностью зависит от меди платы. Площадку стока подключайте к максимально большой медной области, при необходимости — к внутреннему теплоотводящему слою.
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
В нагрузочных ключах нужно учитывать пусковой ток. Рекомендуем плавный старт через RC-цепь на затворе для контроля dv/dt.
-
降额使用
Рекомендуем не превышать 20 В реального рабочего напряжения и рассчитывать непрерывный ток по фактическому теплоотводу — обычно не выше 4 А.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- Стандартная упаковка
- SOT
- Корпус по классификации поставщика
- SOT-23
- Статус позиции
- Выпускается
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Макс. напряжение сток-исток
- 150
- Макс. непрерывный ток
- 33
- Макс. напряжение сток-исток
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Макс. напряжение сток-исток
- 100
- Макс. непрерывный ток
- 42
- Макс. напряжение сток-исток
- 13.6@10V
Частые вопросы о FDMA7632
Этот артикул помечен как Obsolete, снят с производства?
Что за корпус MicroFET 6?
Можно ли управлять напрямую от системы 3,3 В?
Выдержит ли маленький корпус 9 А?
可以提供替代型号的对比表吗
Нужны цена и наличие FDMA7632
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。