Esquema del encapsulado TO-252 DPAK
- Tensión drenador-fuente máx
- 150
- Corriente continua de drenador máx
- 33
- Resistencia drenador-fuente máx
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 26
IRFR4615TRLPBF
Proceso HEXFET en encapsulado SMD DPAK con 42 mΩ de resistencia en conducción, para rectificación síncrona y fuentes conmutadas de potencia media
El IRFR4615TRLPBF es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento con proceso plano HEXFET de Infineon: 150 V de bloqueo y 33 A de corriente continua de drenador, en encapsulado SMD TO-252, es decir DPAK. Sus 42 mΩ de resistencia en conducción junto con 26 nC de carga de puerta permiten equilibrar pérdidas de conducción y de conmutación en rectificación síncrona y topologías reductoras de potencia media, y es un modelo habitual en fuentes de telecomunicaciones e industriales.
- Tensión drenador-fuente máxima
- 150
- Corriente continua de drenador máxima
- 33
- Resistencia drenador-fuente máxima
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 26
- Nombre del embalaje estándar
- TO-252
- Encapsulado del proveedor
- DPAK
Referencia de fábrica IRFR4615TRLPBF · pedido mínimo 1 unidad · stock enviado en 1 a 3 días hábiles
谁最能从这颗器件中受益
通信电源与服务器电源厂商
La reducción del bus de 48 V y la rectificación síncrona necesitan 150 V de bloqueo para dejar margen de tensión suficiente.
工业开关电源厂商
El encapsulado SMD DPAK facilita el montaje automático y encaja en líneas de densidad de potencia media.
Fabricantes de accionamientos de motor y controladores BLDC
Una capacidad de 33 A cubre las necesidades de accionamiento de la mayoría de motores sin escobillas de potencia baja y media.
Fabricantes de iluminación y drivers LED
高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
- 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
- 03 La disipación del encapsulado DPAK es limitada 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
- 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
核心优势
- Una resistencia en conducción de 42 mΩ@10V es un valor equilibrado en la clase de 150 V, que concilia coste y rendimiento
- Una carga de puerta de 26 nC mantiene controladas las pérdidas de excitación, apta para frecuencias de conmutación por encima de 100 kHz
- El encapsulado SMD DPAK se monta con alta eficiencia, sin inserción manual ni soldadura por ola
- -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量
NOTA DE ABASTECIMIENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme con exención |
|---|---|
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la referencia | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automoción | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | Power MOSFET |
| Configuración | Simple |
| Tecnología de proceso | HEXFET |
| Modo de canal | De enriquecimiento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensión drenador-fuente máxima (V) | 150 |
| Tensión puerta-fuente máxima (V) | ±20 |
| Tensión umbral de puerta máxima (V) | 5 |
| Corriente continua de drenador máxima (A) | 33 |
| Corriente de fuga puerta-fuente máxima (nA) | 100 |
| IDSS máxima (uA) | 20 |
| Resistencia drenador-fuente máxima (mOhm) | 42@10V |
| Carga de puerta típica @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) | 1750@50V |
| Disipación de potencia máxima (mW) | 144000 |
| Tiempo de bajada típico (ns) | 20 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 35 |
| Retardo de apagado típico (ns) | 25 |
| Retardo de encendido típico (ns) | 15 |
| Temperatura de trabajo mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de trabajo máxima (°C) | 175 |
| Embalaje | Cinta y carrete |
| Número de pines | 3 |
| Nombre del embalaje estándar | TO-252 |
| Encapsulado del proveedor | DPAK |
| Montaje | Montaje superficial |
| Altura del encapsulado | 2.39(Max) |
| Longitud del encapsulado | 6.73(Max) |
| Ancho del encapsulado | 6.22(Max) |
| PCB rediseñada | 2 |
| Lengüeta | Lengüeta |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | IRFR4615TRLPBF | Dispositivos de 100 V de la misma clase | Dispositivos de 200 V de la misma clase |
|---|---|---|---|
| Tensión de bloqueo drenador-fuente VDS | 150V | 100V | 200V |
| Corriente continua de drenador ID | 33A | 通常更高 | 通常更低 |
| Resistencia en conducción RDS(on) | 42mΩ@10V | 更低 | 更高 |
| 适用母线电压 | 48V a 90V | 24V a 60V | 90V a 130V |
| 选型建议 | La primera opción cuando se quiere más del doble de margen en un sistema de 48 V | 母线电压低时效率更优 | 需要更高瞬态尖峰耐受时选用 |
-
栅极驱动电压
Con excitación de VGS = 10 V se obtiene la resistencia en conducción nominal de 42 mΩ. Por debajo de 8 V la resistencia sube de forma apreciable y hay que recalcular las pérdidas de conducción.
-
栅极电阻取值
Recomendamos empezar el ajuste entre 4,7 Ω y 10 Ω. Una resistencia demasiado baja provoca timbre y EMI; demasiado alta frena la conmutación y aumenta las pérdidas de conmutación.
-
Diseño térmico de la PCB
El calor del DPAK sale sobre todo por el pad posterior hacia el cobre de la PCB. Recomendamos al menos 6 vías bajo el pad que conecten con planos de cobre amplios de capas internas o de la capa inferior.
-
降额使用
En funcionamiento continuo recomendamos no superar 120 V de tensión drenador-fuente ni 20 A de corriente de drenador, y mantener la temperatura de unión por debajo de 125 ℃.
-
焊接与存储
Según el nivel MSL, el montaje debe completarse dentro del plazo fijado tras abrir el embalaje; pasado ese plazo hay que rehornear conforme a la norma IPC.
典型应用行业
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
查看行业方案 →
信息通讯
Cuando las estaciones base 5G y los equipos de red escalan a producción, los IC de interfaz de alta velocidad y los dispositivos de RF pasan a plazos de 40 semanas o más, y la falta de una sola referencia para la línea entera.…
查看行业方案 →
工业控制
Los PLC, variadores y servoaccionamientos suelen tener una vida de producto de más de 10 años, mientras que el ciclo de los fabricantes de chips es de solo 5 a 7 años: el suministro a largo plazo es la contradicción de fondo.…
查看行业方案 →
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Tensión drenador-fuente máx.
- 100
- Corriente continua máx.
- 42
- Tensión drenador-fuente máx.
- 13.6@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensión drenador-fuente máx.
- 250
- Corriente continua máx.
- 10.9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Tensión drenador-fuente máx.
- 30
- Corriente continua máx.
- 9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 19@10V
Preguntas frecuentes sobre IRFR4615TRLPBF
¿Qué diferencia hay entre el IRFR4615TRLPBF y el IRFR4615PBF?
¿En qué condiciones se midieron los 42 mΩ?
¿Se puede usar este modelo en un sistema con bus de 100 V?
¿Cuánta potencia soporta el encapsulado DPAK?
你们能提供多少现货 交期多久
Necesito precio y stock de IRFR4615TRLPBF
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。