Esquema del encapsulado SOP Advance 8
- Tensión drenador-fuente máx
- 100
- Corriente continua de drenador máx
- 42
- Resistencia drenador-fuente máx
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 22
TPH1400ANH,L1Q(M
Encapsulado SOP Advance de baja resistencia en conducción, para fuentes y circuitos de excitación SMD de alta densidad de corriente
El TPH1400ANH,L1Q(M) es un MOSFET de potencia de canal N de Toshiba: 100 V de bloqueo y 42 A de corriente continua de drenador, en el encapsulado propio SOP Advance de 8 patillas. Ese encapsulado ofrece, en la superficie de placa de un SOP-8, una capacidad de disipación y de corriente muy superior a la del SOP-8 tradicional, lo que encaja allí donde se exige densidad de potencia y hay que trabajar en SMD.
- Tensión drenador-fuente máxima
- 100
- Corriente continua de drenador máxima
- 42
- Resistencia drenador-fuente máxima
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 22
- Nombre del embalaje estándar
- SOP
- Encapsulado del proveedor
- SOP Advance
Referencia de fábrica TPH1400ANH,L1Q(M · pedido mínimo 1 unidad · stock enviado en 1 a 3 días hábiles
谁最能从这颗器件中受益
服务器与通信电源厂商
Los convertidores de bus intermedio de 48 V a 12 V tienen que dar mucha corriente en un área de placa limitada.
电动工具与电动车控制器厂商
需要在紧凑空间内实现大电流开关。
负载开关与热插拔保护厂商
低导通电阻可显著降低通路压降与发热。
Fabricantes de accionamientos de motor BLDC
半桥拓扑中需要成对使用低阻抗贴片管。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 El SOP-8 tradicional no tiene capacidad de corriente suficiente 大电流场景下封装引脚成为瓶颈，发热集中在引脚而非芯片。
- 02 插件封装占板面积大 产品小型化与自动化贴装的要求无法满足。
- 03 贴片管散热路径不清晰 缺少明确的热阻数据导致热设计只能靠试错。
- 04 并联使用一致性差 不同批次参数分散导致并联时电流分配不均。
核心优势
- En la misma superficie de placa que un SOP-8, el encapsulado SOP Advance mejora mucho la capacidad de corriente y la disipación
- Una capacidad de 42 A continuos cubre la mayoría de aplicaciones SMD de potencia media y alta
- Una tensión de bloqueo de 100 V encaja en sistemas de bus de 48 V y deja margen sobrado
- 编带卷装交付 适合全自动贴装产线
NOTA DE ABASTECIMIENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme |
|---|---|
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la referencia | Activo |
| SVHC | Sí |
| SVHC por encima del umbral | Sí |
| Automoción | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuración | Drenador cuádruple único y fuente triple |
| Tecnología de proceso | U-MOS VIII-H |
| Modo de canal | De enriquecimiento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensión drenador-fuente máxima (V) | 100 |
| Tensión puerta-fuente máxima (V) | ±20 |
| Tensión umbral de puerta máxima (V) | 4 |
| Corriente continua de drenador máxima (A) | 42 |
| Corriente de fuga puerta-fuente máxima (nA) | 100 |
| IDSS máxima (uA) | 10 |
| Resistencia drenador-fuente máxima (mOhm) | 13.6@10V |
| Carga de puerta típica @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) | 1440@50V |
| Disipación de potencia máxima (mW) | 2800 |
| Tiempo de bajada típico (ns) | 6.5 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 5.6 |
| Temperatura de trabajo mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de trabajo máxima (°C) | 150 |
| Embalaje | Cinta y carrete |
| Encapsulado del proveedor | SOP Advance |
| Número de pines | 8 |
| Nombre del embalaje estándar | SOP |
| Montaje | Montaje superficial |
| Altura del encapsulado | 0.95 |
| Longitud del encapsulado | 5 |
| Ancho del encapsulado | 5 |
| PCB rediseñada | 8 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TPH1400ANH | Dispositivos SOP-8 tradicionales | Dispositivos DPAK pasantes y de superficie |
|---|---|---|---|
| 占板面积 | Cercano al SOP-8 | SOP-8 | 更大 |
| 连续电流能力 | 42A | Normalmente por debajo de 10 A | 视型号而定 |
| 散热路径 | 底部大面积散热焊盘 | 主要靠引脚 | 背面焊盘 |
| 自动化贴装 | 完全适配 | 完全适配 | 适配 |
| 选型建议 | 小板面大电流的首选 | 小电流信号级开关 | 对散热要求更高时选用 |
-
散热焊盘设计
La disipación del SOP Advance depende del amplio pad inferior. En la PCB hay que hacer un plano de cobre del mismo tamaño con vías densas; sin eso, la ventaja del encapsulado no se aprovecha.
-
栅极驱动
Recomendamos excitar con VGS de 10 V. El lazo de puerta debe ser corto y el IC de driver lo más cerca posible del dispositivo para contener el timbre.
-
并联使用
并联时应选用同一批次器件，并在各管栅极串联独立的栅极电阻以抑制寄生振荡。
-
回流焊接
Controle el tiempo de almacenamiento en planta tras abrir el embalaje según el nivel MSL del dispositivo, con un pico de perfil de reflujo que no supere los 260 ℃.
-
降额使用
Recomendamos no superar 60 V de tensión de bus real y deducir la corriente continua de la resistencia térmica real del encapsulado, en lugar de usar directamente el valor nominal de 42 A.
典型应用行业
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
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汽车电子
Las referencias de automoción deben cumplir la certificación AEC-Q y los requisitos documentales PPAP, con una revisión estricta del origen que los canales corrientes no pueden satisfacer.…
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智能机器人
伺服关节要求高动态响应与高功率密度，器件在小体积内承受剧烈的热与电应力循环。…
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensión drenador-fuente máx.
- 150
- Corriente continua máx.
- 33
- Tensión drenador-fuente máx.
- 42@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensión drenador-fuente máx.
- 250
- Corriente continua máx.
- 10.9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Tensión drenador-fuente máx.
- 30
- Corriente continua máx.
- 9
- Tensión drenador-fuente máx.
- 19@10V
Preguntas frecuentes sobre TPH1400ANH,L1Q(M
¿Son SOP Advance y el SOP-8 corriente el mismo encapsulado?
¿Son 42 A una corriente que realmente se puede mantener?
¿Qué significan los sufijos L1Q y M de la referencia?
这个料现在还在产吗
可以先要样品验证吗
Necesito precio y stock de TPH1400ANH,L1Q(M
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。