MicroFET 6 パッケージ外形図
- 最大ドレイン・ソース間電
- 30
- 最大連続ドレイン電
- 9
- 最大ドレイン・ソース間抵
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
MicroFET 6 パッケージ・19mΩ オン抵抗 ― 携帯機器のロードスイッチと電池保護向け
FDMA7632 は onsemi の N チャネルパワー MOSFET で、耐圧 30V、連続ドレイン電流 9A、オン抵抗 19mΩ を極小の MicroFET 6 パッケージで実現します。携帯機器や電池駆動機器のロードスイッチ、電池保護、低圧 DC-DC を想定しており、最小の基板面積で経路の電圧降下を最小にすることが中心的な要求です。
- 最大ドレイン・ソース間電圧
- 30
- 最大連続ドレイン電流
- 9
- 最大ドレイン・ソース間抵抗
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- 標準梱包名称
- DFN
- サプライヤー指定パッケージ
- WDFN EP
メーカー型番 FDMA7632 ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
低圧 DC-DC モジュールメーカー
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 3.3V 駆動では完全にオンしきらず、オン抵抗が公称値を大きく上回ります。
核心优势
- 19mΩ@10V の低オン抵抗が経路の電圧降下と発熱を大きく低減
- MicroFET 6 極小パッケージ ― スペースが極端に限られる携帯機器に適します
- 30V の耐圧が1セルから多セルのリチウム電池と 12V 以内のシステムをカバー
- 2400mW の損失能力は同サイズのパッケージの中で良好です
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 適合 |
|---|---|
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 型番ステータス | 生産終了 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| 車載 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | Power MOSFET |
| 構成 | シングル・クアッドドレイン |
| プロセス技術 | TMOS |
| チャネルモード | エンハンスメント型 |
| チャネル種別 | N |
| 1チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 (V) | 30 |
| 最大ゲート・ソース間電圧 (V) | ±20 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 9 |
| 最大ドレイン・ソース間抵抗 (mOhm) | 19@10V |
| 標準ゲート電荷 @ Vgs (nC) | |9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 570@15V |
| 最大許容損失 (mW) | 2400 |
| 標準下降時間 (ns) | 2 |
| 標準立ち上がり時間 (ns) | 2 |
| 標準ターンオフ遅延時間 (ns) | 14 |
| 標準ターンオン遅延時間 (ns) | 6 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 150 |
| サプライヤー温度グレード | 民生用 |
| 包装 | テープ＆リール |
| ピン数 | 6 |
| 標準梱包名称 | DFN |
| サプライヤー指定パッケージ | WDFN EP |
| 取付 | 表面実装 |
| パッケージ高さ | 0.75 |
| パッケージ長さ | 2 |
| パッケージ幅 | 2 |
| 基板の作り直し | 6 |
| リード形状 | リードレス |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | 20V クラスのデバイス | 60V と 100V のデバイス |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | 60V〜100V |
| 适用系统 | 1〜3セルリチウム電池の 12V システム | 1セルリチウム電池の 5V システム | 24V〜48V システム |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 は極小 | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
19mΩ は VGS = 10V 条件での値です。システムが 4.5V や 3.3V の駆動しか供給できない場合は、データシートの該当駆動電圧におけるオン抵抗特性曲線を必ず確認してください。実際の値は倍以上になることがあります。
-
散热设计
MicroFET パッケージは体積が小さく、放熱はほぼ完全に基板銅箔に依存します。ドレインパッドは可能な限り広い銅箔面積へ接続し、必要に応じて内層に放熱層を設けてください。
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
ロードスイッチ用途では投入時の突入電流を考慮する必要があります。ゲートの RC ネットワークでソフトスタートを実現し、dv/dt を制御してください。
-
降额使用
実際の動作電圧は 20V 以内とし、連続電流は実際の放熱条件から算出してください（通常は 4A 以内）。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- 標準梱包
- SOT
- サプライヤー指定パッケージ
- SOT-23
- 型番ステータス
- 現行品
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 最大ドレイン・ソース電
- 150
- 最大連続電
- 33
- 最大ドレイン・ソース電
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 最大ドレイン・ソース電
- 100
- 最大連続電
- 42
- 最大ドレイン・ソース電
- 13.6@10V