رسم توضيحي لغلاف MicroFET 6
- أقصى جهد مصرف-منب
- 30
- أقصى تيار مصرف مستمر
- 9
- أقصى مقاومة مصرف-منبع
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
غلاف MicroFET 6 بمقاومة توصيل 19 ملي أوم، لمفاتيح الحمل وحماية البطارية في الأجهزة المحمولة
FDMA7632 هو MOSFET قدرة بقناة N من onsemi، بجهد تحمّل 30 فولت وتيار مصرف مستمر 9 أمبير ومقاومة توصيل 19 ملي أوم، في غلاف MicroFET 6 بالغ الصغر. وهو موجّه لمفاتيح الحمل وحماية البطارية ومحوّلات DC-DC منخفضة الجهد في الأجهزة المحمولة والمغذّاة بالبطارية، حيث المطلب الجوهري هو أدنى هبوط جهد على المسار بأصغر مساحة ممكنة على اللوحة.
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 30
- أقصى تيار مصرف مستمرّ
- 9
- أقصى مقاومة بين المصرف والمنبع
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- اسم التعبئة القياسية
- DFN
- غلاف المورّد
- WDFN EP
رقم القطعة الأصلي FDMA7632 · حد أدنى للطلب قطعة واحدة · الشحن من المخزون خلال 1 إلى 3 أيام عمل
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
مصنّعو وحدات DC-DC منخفضة الجهد
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 عند القيادة بجهد 3.3 فولت لا يفتح المكوّن بالكامل، فتتجاوز مقاومة التوصيل قيمتها الاسمية بكثير.
核心优势
- مقاومة توصيل منخفضة 19 ملي أوم عند 10 فولت تخفّض بوضوح هبوط الجهد والحرارة على المسار
- غلاف MicroFET 6 الصغير للغاية مناسب للأجهزة المحمولة شديدة الضيق في المساحة
- جهد تحمّل 30 فولت يغطي من خليّة ليثيوم واحدة إلى عدة خلايا وأنظمة حتى 12 فولت
- قدرة تبديد 2400 ملي واط جيدة في أغلفة بالحجم نفسه
ملاحظة توريد
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS الأوروبية | مطابق |
|---|---|
| ECCN (الولايات المتحدة) | EAR99 |
| حالة القطعة | متوقّف |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| السيارات | لا |
| PPAP | لا |
| فئة المنتج | Power MOSFET |
| التهيئة | مصرف رباعي مفرد |
| تقنية التصنيع | TMOS |
| نمط القناة | تعزيزي |
| نوع القناة | N |
| عدد العناصر في الرقاقة | 1 |
| أقصى جهد مصرف-منبع (V) | 30 |
| أقصى جهد بوابة-منبع (V) | ±20 |
| أقصى تيار مصرف مستمر (A) | 9 |
| أقصى مقاومة مصرف-منبع (mOhm) | 19@10V |
| شحنة البوابة النموذجية عند Vgs (nC) | |9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| سعة الدخل النموذجية عند Vds (pF) | 570@15V |
| أقصى تبديد للقدرة (mW) | 2400 |
| زمن الهبوط النموذجي (ns) | 2 |
| زمن الصعود النموذجي (ns) | 2 |
| زمن تأخير الإطفاء النموذجي (ns) | 14 |
| زمن تأخير التشغيل النموذجي (ns) | 6 |
| أدنى حرارة تشغيل (°م) | -55 |
| أقصى حرارة تشغيل (°م) | 150 |
| فئة الحرارة لدى المورّد | تجاري |
| التغليف | شريط وبكرة |
| عدد الأطراف | 6 |
| اسم التعبئة القياسية | DFN |
| غلاف المورّد | WDFN EP |
| التركيب | تركيب سطحي |
| ارتفاع الغلاف | 0.75 |
| طول الغلاف | 2 |
| عرض الغلاف | 2 |
| تغيّرت لوحة الدارة | 6 |
| شكل الأطراف | بلا أطراف |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | مكوّنات من فئة 20V | مكوّنات 60 و100 فولت |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | من 60V إلى 100V |
| 适用系统 | أنظمة 12 فولت بخليّة إلى ثلاث خلايا ليثيوم | نظام 5 فولت بخليّة ليثيوم واحدة | أنظمة من 24 إلى 48 فولت |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 صغير للغاية | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
قيمة 19 ملي أوم مأخوذة عند VGS يساوي 10 فولت. وإذا كان النظام لا يوفّر سوى 4.5 أو 3.3 فولت للقيادة، فيجب الرجوع إلى منحنى مقاومة التوصيل عند ذلك الجهد في ورقة البيانات، فقد تتجاوز القيمة الفعلية الضعف.
-
散热设计
غلاف MicroFET صغير الحجم جداً، ويعتمد تبديد حرارته على نحاس اللوحة بشكل شبه كامل. ويجب وصل وسادة المصرف بأكبر مساحة نحاسية ممكنة، وبطبقة تبديد داخلية عند الحاجة.
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
في تطبيقات مفاتيح الحمل يجب حساب تيار الاندفاع عند التشغيل. ونوصي بتحقيق بدء ناعم عبر شبكة RC على البوابة للتحكّم في معدّل dv/dt.
-
降额使用
نوصي بألّا يتجاوز جهد التشغيل الفعلي 20 فولت، وبحساب التيار المستمر وفق ظروف التبديد الحقيقية، وعادةً دون 4 أمبير.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- التعبئة القياسية
- SOT
- غلاف المورّد
- SOT-23
- حالة القطعة
- نشط
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 150
- أقصى تيار مستمر
- 33
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 100
- أقصى تيار مستمر
- 42
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 13.6@10V