رسم توضيحي لغلاف TO-263 D2PAK
- غلاف المورّد
- D2PAK
- التركيب
- تركيب سطحي
- حرارة التشغيل
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
STB10N95K5
تقنية MDmesh K5 في غلاف D2PAK للتركيب السطحي، لمصادر التغذية المبدّلة ذات الدخل الواسع والنبضات العالية
STB10N95K5 هو MOSFET بقناة N بتقنية الوصلة الفائقة MDmesh K5 من STMicroelectronics، بجهد مصرف-منبع 950 فولت وتيار مصرف مستمر 8 أمبير ومقاومة توصيل 0.8 أوم، في غلاف D2PAK للتركيب السطحي أي TO-263. وتمثّل 950 فولت فئة عالية الهامش، مصمّمة للمداخل واسعة المدى أو النبضات العالية عند الإطفاء أو الشبكات الكهربائية الرديئة.
- غلاف المورّد
- D2PAK
- التركيب
- تركيب سطحي
- حرارة التشغيل
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
- الجهد
- 600
- نوع القناة
- N
رقم القطعة الأصلي STB10N95K5 · حد أدنى للطلب قطعة واحدة · الشحن من المخزون خلال 1 إلى 3 أيام عمل
谁最能从这颗器件中受益
宽压输入电源厂商
الدخل العالمي من 85 إلى 305 فولت متردّد يتطلّب هامش جهد أعلى.
工业与户外电源厂商
电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。
高压辅助电源厂商
تتطلّب حالات الناقل بعد التقويم ثلاثي الطور مكوّنات تتجاوز 900 فولت.
مصنّعو مشغّلات LED والكوابح
感性负载关断尖峰高，需要额外耐压裕量。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 مكوّنات 600 فولت تنهار كهربائياً بتكرار على شبكات سيّئة 尖峰电压超出额定值，售后失效率居高不下。
- 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路，牺牲效率。
- 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装，无法适配全贴片产线。
- 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少，交期长。
核心优势
- جهد تحمّل 950 فولت يمنح هامش أمان كافياً لمداخل واسعة المدى وحالات النبضات العالية
- تحقّق تقنية الوصلة الفائقة MDmesh K5 مقاومة توصيل منخفضة في فئات الجهد الفائق
- غلاف D2PAK للتركيب السطحي يلائم خطوط الإنتاج السطحية بالكامل دون حاجة للحام بالموجة
- -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境
ملاحظة توريد
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| تعزيزي | |
|---|---|
| نوع القناة | N |
| أقصى حرارة للمعالجة | 245 |
| أقصى تيار مصرف مستمر | 8:00 AM |
| أقصى جهد مصرف-منبع | 950 V |
| أقصى جهد بوابة-منبع | ±30 V |
| التركيب | تركيب سطحي |
| مستوى MSL | MSL 1 - Unlimited |
| حرارة التشغيل | -55 to 150 °C |
| أبعاد المنتج | 10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max) |
| RDS-on | 0.8@10V Ohm |
| غلاف المورّد | D2PAK |
| زمن الهبوط النموذجي | 15 ns |
| زمن الصعود النموذجي | 14 ns |
| زمن تأخير الإطفاء النموذجي | 51 ns |
| زمن تأخير التشغيل النموذجي | 22 ns |
| الجهد | 600 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STB10N95K5 950V | مكوّنات من فئة 600V | مكوّنات من فئة 1200V |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 950V | 600V | 1200V |
| 适用输入 | مدى واسع للتيار المتردّد من 85 إلى 305 فولت | من AC 176V إلى 264V | 三相或高压直流 |
| 导通电阻 | 0.8Ω@10V | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | تركيب سطحي D2PAK | 多种 | غالباً TO-247 |
| 选型建议 | 宽压输入与高尖峰的平衡选择 | دخل 220 فولت القياسي | 三相与高压直流系统 |
-
تصميم تبديد حرارة D2PAK
الوسادة الخلفية لغلاف D2PAK هي سطح تبديد المصرف، وتحتاج اللوحة مساحة نحاسية واسعة مع فتحات عبور كثيفة. وكلّما تضاعفت المساحة النحاسية انخفضت المقاومة الحرارية نحو 15% إلى 25%.
-
高压爬电距离
يجب أن تستوفي مسارات اللوحة حول مكوّن 950 فولت مسافات الزحف والخلوص الكهربائي المقابلة، ونوصي بحسابها وفق معيار IEC 60664 مع ترك هامش.
-
栅极驱动
مكوّنات الوصلة الفائقة سريعة التبديل جداً، لذا نوصي ببدء الضبط بمقاومة بوابة 20 أوم، لأن التبديل السريع جداً يزيد التشويش الكهرومغناطيسي والرنين.
-
降额使用
نوصي بألّا يتجاوز جهد التشغيل الفعلي 750 فولت، وبإبقاء حرارة الوصلة دون 125 درجة مئوية والتيار دون 5 أمبير.
-
缓冲设计
حتى مع هامش 950 فولت، نوصي بالإبقاء على دارة تخميد RCD لتقليل التشويش الكهرومغناطيسي وتحسين إجهاد تشغيل المكوّن.
典型应用行业
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
查看行业方案 →
إضاءة LED
照明产品毛利薄且寿命承诺长，驱动电源上的电解电容与开关管往往是最先失效的环节。…
查看行业方案 →
工业控制
تتجاوز أعمار منتجات وحدات PLC والمحوّلات الترددية ومشغّلات السيرفو عشر سنوات عادةً، بينما لا تتعدّى دورة حياة منتجات مصنّعي الرقائق 5 إلى 7 سنوات، فيغدو التوريد طويل الأمد جوهر التناقض.…
查看行业方案 →
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 1200
- أقصى تيار مستمر
- 12
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 600
- أقصى تيار مستمر
- 20
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 250
- أقصى تيار مستمر
- 10.9
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 165@10V