Esquema do encapsulamento TO-263 D2PAK
- Encapsulamento do fornecedor
- D2PAK
- Montagem
- Montagem em superfície
- Temperatura de funcionamento
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
STB10N95K5
Processo MDmesh K5 em encapsulamento SMD D2PAK, para fontes comutadas de entrada de amplo intervalo e picos elevados
O STB10N95K5 é um MOSFET de canal N com processo de superjunção MDmesh K5 da STMicroelectronics: 950 V de tensão dreno-fonte, 8 A de corrente contínua de dreno e 0,8 Ω de resistência em condução, em encapsulamento SMD D2PAK, ou seja TO-263. Os 950 V são uma classe de grande margem, pensada para entradas de gama ampla, picos de desativação altos ou redes elétricas de má qualidade.
- Encapsulamento do fornecedor
- D2PAK
- Montagem
- Montagem em superfície
- Temperatura de funcionamento
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
- Tensão
- 600
- Tipo de canal
- N
Referência de fábrica STB10N95K5 · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis
谁最能从这颗器件中受益
宽压输入电源厂商
Uma entrada universal de 85 V a 305 V AC exige uma margem de tensão mais alta.
工业与户外电源厂商
电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。
高压辅助电源厂商
Os cenários de barramento após retificação trifásica necessitam de dispositivos acima de 900 V.
Fabricantes de drivers LED e balastros
感性负载关断尖峰高,需要额外耐压裕量。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 Os dispositivos de 600 V perfuram-se com frequência em redes de má qualidade 尖峰电压超出额定值,售后失效率居高不下。
- 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路,牺牲效率。
- 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装,无法适配全贴片产线。
- 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少,交期长。
核心优势
- Uma tensão de bloqueio de 950 V dá margem de segurança suficiente para entradas de amplo intervalo e picos altos
- O processo de superjunção MDmesh K5 alcança uma resistência em condução baixa nas classes de muito alta tensão
- O encapsulamento SMD D2PAK adapta-se a linhas totalmente SMD, sem necessidade de soldadura por onda
- -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境
NOTA DE FORNECIMENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| De enriquecimento | |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Temperatura máxima de processo | 245 |
| Corrente contínua de dreno máxima | 8:00 AM |
| Tensão dreno-fonte máxima | 950 V |
| Tensão porta-fonte máxima | ±30 V |
| Montagem | Montagem em superfície |
| Nível MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Temperatura de funcionamento | -55 to 150 °C |
| Dimensões do produto | 10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max) |
| RDS-on | 0.8@10V Ohm |
| Encapsulamento do fornecedor | D2PAK |
| Tempo de descida típico | 15 ns |
| Tempo de subida típico | 14 ns |
| Atraso de desativação típico | 51 ns |
| Atraso de ativação típico | 22 ns |
| Tensão | 600 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STB10N95K5 950V | componentes da classe 600V | componentes da classe 1200V |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 950V | 600V | 1200V |
| 适用输入 | Amplo intervalo AC de 85 V a 305 V | AC 176V a 264V | 三相或高压直流 |
| 导通电阻 | 0.8Ω@10V | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | Montagem em superfície D2PAK | 多种 | Maioritariamente TO-247 |
| 选型建议 | 宽压输入与高尖峰的平衡选择 | Entrada padrão de 220 V | 三相与高压直流系统 |
-
Projeto térmico do D2PAK
O pad posterior do D2PAK é a superfície térmica do dreno: a PCB precisa de um plano de cobre amplo com vias densas. Cada vez que se duplica a área de cobre, a resistência térmica desce cerca de 15 % a 25 %.
-
高压爬电距离
As pistas de PCB à volta de um dispositivo de 950 V devem cumprir as distâncias de fuga e de isolamento correspondentes; recomendamos calculá-las segundo a norma IEC 60664 e deixar margem.
-
栅极驱动
Os dispositivos de superjunção comutam muito depressa: recomendamos começar a afinar com 20 Ω de resistência de porta, porque uma comutação demasiado rápida agrava a EMI e o ringing.
-
降额使用
Recomendamos não ultrapassar 750 V de tensão de funcionamento real, manter a temperatura de junção abaixo de 125 ℃ e a corrente abaixo de 5 A.
-
缓冲设计
Mesmo com 950 V de margem, recomendamos manter o snubber RCD para reduzir a EMI e melhorar o esforço de funcionamento do dispositivo.
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相关料号
同一设计中常一起出现,或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Tensão dreno-fonte máx.
- 1200
- Corrente contínua máx.
- 12
- Tensão dreno-fonte máx.
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Tensão dreno-fonte máx.
- 600
- Corrente contínua máx.
- 20
- Tensão dreno-fonte máx.
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensão dreno-fonte máx.
- 250
- Corrente contínua máx.
- 10.9
- Tensão dreno-fonte máx.
- 165@10V
Perguntas frequentes sobre STB10N95K5
Um dispositivo de 950 V permite dispensar o circuito snubber?
Que processo é o MDmesh K5?
O D2PAK pode ser soldado por onda?
Podem usar-se 8 A de forma continuada?
这个型号的交期一般多久
Preciso de preço e stock de STB10N95K5
把需求数量与交期发给我们,现货当天确认,调货料号一并给出准确交期。1 片起订。