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Esquema do encapsulamento TO-263 D2PAK

Encapsulamento do fornecedor
D2PAK
Montagem
Montagem em superfície
Temperatura de funcionamento
-55 to 150 °C
RDS-on
0.8@10V Ohm
STMicroelectronics · MOSFET de potência de muito alta tensão

STB10N95K5

Processo MDmesh K5 em encapsulamento SMD D2PAK, para fontes comutadas de entrada de amplo intervalo e picos elevados

O STB10N95K5 é um MOSFET de canal N com processo de superjunção MDmesh K5 da STMicroelectronics: 950 V de tensão dreno-fonte, 8 A de corrente contínua de dreno e 0,8 Ω de resistência em condução, em encapsulamento SMD D2PAK, ou seja TO-263. Os 950 V são uma classe de grande margem, pensada para entradas de gama ampla, picos de desativação altos ou redes elétricas de má qualidade.

Encapsulamento do fornecedor
D2PAK
Montagem
Montagem em superfície
Temperatura de funcionamento
-55 to 150 °C
RDS-on
0.8@10V Ohm
Tensão
600
Tipo de canal
N

Referência de fábrica STB10N95K5 · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis

Para quem é

谁最能从这颗器件中受益

宽压输入电源厂商

Uma entrada universal de 85 V a 305 V AC exige uma margem de tensão mais alta.

工业与户外电源厂商

电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。

高压辅助电源厂商

Os cenários de barramento após retificação trifásica necessitam de dispositivos acima de 900 V.

Fabricantes de drivers LED e balastros

感性负载关断尖峰高,需要额外耐压裕量。

Problemas que resolve

它能解决的实际问题

选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。

  • 01 Os dispositivos de 600 V perfuram-se com frequência em redes de má qualidade 尖峰电压超出额定值,售后失效率居高不下。
  • 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路,牺牲效率。
  • 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装,无法适配全贴片产线。
  • 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少,交期长。
Principais benefícios

核心优势

  • Uma tensão de bloqueio de 950 V dá margem de segurança suficiente para entradas de amplo intervalo e picos altos
  • O processo de superjunção MDmesh K5 alcança uma resistência em condução baixa nas classes de muito alta tensão
  • O encapsulamento SMD D2PAK adapta-se a linhas totalmente SMD, sem necessidade de soldadura por onda
  • -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境

NOTA DE FORNECIMENTO

这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。

Especificações

完整技术规格

Ficha técnica de STB10N95K5
De enriquecimento
Tipo de canalN
Temperatura máxima de processo245
Corrente contínua de dreno máxima8:00 AM
Tensão dreno-fonte máxima950 V
Tensão porta-fonte máxima±30 V
MontagemMontagem em superfície
Nível MSLMSL 1 - Unlimited
Temperatura de funcionamento-55 to 150 °C
Dimensões do produto10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max)
RDS-on0.8@10V Ohm
Encapsulamento do fornecedorD2PAK
Tempo de descida típico15 ns
Tempo de subida típico14 ns
Atraso de desativação típico51 ns
Atraso de ativação típico22 ns
Tensão600
Comparação

与相邻档位器件的对比

选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。

关注指标STB10N95K5 950Vcomponentes da classe 600Vcomponentes da classe 1200V
漏源耐压950V600V1200V
适用输入Amplo intervalo AC de 85 V a 305 VAC 176V a 264V三相或高压直流
导通电阻0.8Ω@10V通常更低通常更高
封装形式Montagem em superfície D2PAK多种Maioritariamente TO-247
选型建议宽压输入与高尖峰的平衡选择Entrada padrão de 220 V三相与高压直流系统
Guia de uso

使用与设计要点

以下要点来自实际项目中反复出现的问题,比数据手册的极限参数更接近工程现场。

联系工程支持
  1. Projeto térmico do D2PAK

    O pad posterior do D2PAK é a superfície térmica do dreno: a PCB precisa de um plano de cobre amplo com vias densas. Cada vez que se duplica a área de cobre, a resistência térmica desce cerca de 15 % a 25 %.

  2. 高压爬电距离

    As pistas de PCB à volta de um dispositivo de 950 V devem cumprir as distâncias de fuga e de isolamento correspondentes; recomendamos calculá-las segundo a norma IEC 60664 e deixar margem.

  3. 栅极驱动

    Os dispositivos de superjunção comutam muito depressa: recomendamos começar a afinar com 20 Ω de resistência de porta, porque uma comutação demasiado rápida agrava a EMI e o ringing.

  4. 降额使用

    Recomendamos não ultrapassar 750 V de tensão de funcionamento real, manter a temperatura de junção abaixo de 125 ℃ e a corrente abaixo de 5 A.

  5. 缓冲设计

    Mesmo com 950 V de margem, recomendamos manter o snubber RCD para reduzir a EMI e melhorar o esforço de funcionamento do dispositivo.

Perguntas frequentes

Perguntas frequentes sobre STB10N95K5

Um dispositivo de 950 V permite dispensar o circuito snubber?
Não o recomendamos. Uma maior margem de tensão reduz o risco de perfuração, mas a EMI e o esforço sobre o dispositivo provocados pelo pico de desativação continuam lá. Manter o snubber ajuda claramente nos ensaios de compatibilidade eletromagnética e na fiabilidade a longo prazo do equipamento.
Que processo é o MDmesh K5?
É a família de processo de superjunção (Super Junction) da STMicroelectronics. Face ao processo plano tradicional, a estrutura de superjunção reduz muito a resistência em condução para a mesma tensão de bloqueio, à custa de um díodo de corpo com pior recuperação inversa, algo a vigiar em topologias em ponte de comutação dura.
O D2PAK pode ser soldado por onda?
O D2PAK é um encapsulamento SMD e o seu processo padrão é o refluxo. Algumas linhas montam-no na face secundária de placas mistas com soldadura por onda seletiva, mas há que avaliar o risco de choque térmico; não o recomendamos como processo habitual.
Podem usar-se 8 A de forma continuada?
Não. Os 8 A são a capacidade do chip em condições ideais de dissipação. Montado numa PCB real, e tendo em conta que a resistência em condução de 0,8 Ω sobe acima de 1,5 Ω a alta temperatura, a corrente contínua deve ficar normalmente entre 3 A e 5 A.
这个型号的交期一般多久
超高压档位器件的渠道库存相对有限。我们会在报价时明确告知当前的现货数量与调货交期,不做无法兑现的交期承诺。
下一步

Preciso de preço e stock de STB10N95K5

把需求数量与交期发给我们,现货当天确认,调货料号一并给出准确交期。1 片起订。

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