TO-252 DPAK パッケージ外形図
- 最大ドレイン・ソース間電
- 150
- 最大連続ドレイン電
- 33
- 最大ドレイン・ソース間抵
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 26
IRFR4615TRLPBF
HEXFET プロセス・DPAK 表面実装パッケージ・42mΩ オン抵抗 ― 同期整流と中電力スイッチング電源向け
IRFR4615TRLPBF は Infineon の HEXFET プレーナ工程による N チャネルエンハンスメント型パワー MOSFET で、耐圧 150V、連続ドレイン電流 33A、TO-252 すなわち DPAK 表面実装パッケージを採用しています。42mΩ のオン抵抗と 26nC のゲート電荷の組み合わせにより、中電力の同期整流や降圧トポロジーで導通損失とスイッチング損失を両立でき、通信用電源や産業用電源でよく使われる型番です。
- 最大ドレイン・ソース間電圧
- 150
- 最大連続ドレイン電流
- 33
- 最大ドレイン・ソース間抵抗
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 26
- 標準梱包名称
- TO-252
- サプライヤー指定パッケージ
- DPAK
メーカー型番 IRFR4615TRLPBF ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
通信电源与服务器电源厂商
48V 母線の降圧と同期整流の段には、十分な電圧裕度を確保するため 150V の耐圧が必要です。
工业开关电源厂商
DPAK 表面実装パッケージは自動実装に適し、中程度の電力密度のラインに向いています。
モーター駆動・BLDC コントローラメーカー
33A の電流能力で、中小電力のブラシレスモーターの駆動要件の多くをカバーできます。
照明・LED ドライバメーカー
高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
- 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
- 03 DPAK パッケージは放熱が制限される 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
- 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
核心优势
- 42mΩ@10V のオン抵抗は 150V クラスでバランスの取れた水準で、コストと効率を両立します
- 26nC のゲート電荷で駆動損失を抑えられ、100kHz 以上のスイッチング周波数に適します
- DPAK 表面実装パッケージは実装効率が高く、手挿入もフローはんだも不要です
- -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 適用除外付きで適合 |
|---|---|
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 型番ステータス | 現行品 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| 車載 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | Power MOSFET |
| 構成 | シングル |
| プロセス技術 | HEXFET |
| チャネルモード | エンハンスメント型 |
| チャネル種別 | N |
| 1チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 (V) | 150 |
| 最大ゲート・ソース間電圧 (V) | ±20 |
| 最大ゲートしきい値電圧 (V) | 5 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 33 |
| 最大ゲート・ソース間漏れ電流 (nA) | 100 |
| 最大 IDSS (uA) | 20 |
| 最大ドレイン・ソース間抵抗 (mOhm) | 42@10V |
| 標準ゲート電荷 @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 1750@50V |
| 最大許容損失 (mW) | 144000 |
| 標準下降時間 (ns) | 20 |
| 標準立ち上がり時間 (ns) | 35 |
| 標準ターンオフ遅延時間 (ns) | 25 |
| 標準ターンオン遅延時間 (ns) | 15 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 175 |
| 包装 | テープ＆リール |
| ピン数 | 3 |
| 標準梱包名称 | TO-252 |
| サプライヤー指定パッケージ | DPAK |
| 取付 | 表面実装 |
| パッケージ高さ | 2.39(Max) |
| パッケージ長さ | 6.73(Max) |
| パッケージ幅 | 6.22(Max) |
| 基板の作り直し | 2 |
| タブ | タブ |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | IRFR4615TRLPBF | 同クラスの 100V デバイス | 同クラスの 200V デバイス |
|---|---|---|---|
| ドレイン・ソース間耐圧 VDS | 150V | 100V | 200V |
| 連続ドレイン電流 ID | 33A | 通常更高 | 通常更低 |
| オン抵抗 RDS(on) | 42mΩ@10V | 更低 | 更高 |
| 适用母线电压 | 48V〜90V | 24V〜60V | 90V〜130V |
| 选型建议 | 48V システムで2倍以上の裕度を取りたいときの第一候補 | 母线电压低时效率更优 | 需要更高瞬态尖峰耐受时选用 |
-
栅极驱动电压
VGS = 10V で駆動すると公称 42mΩ のオン抵抗が得られます。8V 未満の駆動ではオン抵抗が明確に上昇するため、導通損失を再計算してください。
-
栅极电阻取值
ゲート抵抗は 4.7Ω〜10Ω から調整を始めてください。小さすぎるとリンギングと EMI を招き、大きすぎるとスイッチングが鈍りスイッチング損失が増えます。
-
PCB 放熱設計
DPAK の放熱経路は主に裏面パッドから基板銅箔へ向かいます。パッド直下にビアを最低6個配置し、内層または底層の大面積銅箔へつなぐことを推奨します。
-
降额使用
連続動作ではドレイン・ソース間電圧 120V 以内、ドレイン電流 20A 以内とし、接合温度は 125℃ 以内に抑えることを推奨します。
-
焊接与存储
MSL レベルの要求に従い、開封後は規定時間内に実装を完了してください。超過した場合は IPC 規格に従って再ベーキングが必要です。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 最大ドレイン・ソース電
- 100
- 最大連続電
- 42
- 最大ドレイン・ソース電
- 13.6@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 最大ドレイン・ソース電
- 250
- 最大連続電
- 10.9
- 最大ドレイン・ソース電
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- 最大ドレイン・ソース電
- 30
- 最大連続電
- 9
- 最大ドレイン・ソース電
- 19@10V