TO-252 DPAK 패키지 외형도
- 최대 드레인-소스 전
- 150
- 최대 연속 드레인 전
- 33
- 최대 드레인-소스 저
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 26
IRFR4615TRLPBF
HEXFET 공정·DPAK 표면 실장 패키지·42mΩ 온 저항 ― 동기 정류와 중전력 스위칭 전원용
IRFR4615TRLPBF는 Infineon의 HEXFET 플레이너 공정 기반 N채널 인핸스먼트형 파워 MOSFET으로, 내압 150V, 연속 드레인 전류 33A이며 TO-252 즉 DPAK 표면 실장 패키지를 채택합니다. 42mΩ의 온 저항과 26nC의 게이트 전하 조합으로 중전력 동기 정류와 강압 토폴로지에서 도통 손실과 스위칭 손실을 함께 만족시킬 수 있어, 통신용·산업용 전원에서 자주 쓰이는 품번입니다.
- 최대 드레인-소스 전압
- 150
- 최대 연속 드레인 전류
- 33
- 최대 드레인-소스 저항
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 26
- 표준 포장 명칭
- TO-252
- 공급사 패키지
- DPAK
제조사 품번 IRFR4615TRLPBF · 최소 주문 1개 · 재고품 1~3영업일 출하
谁最能从这颗器件中受益
通信电源与服务器电源厂商
48V 버스 강압과 동기 정류 단에는 충분한 전압 여유를 위해 150V 내압이 필요합니다.
工业开关电源厂商
DPAK 표면 실장 패키지는 자동 실장에 적합하며 중간 전력 밀도의 라인에 알맞습니다.
모터 구동·BLDC 컨트롤러 제조사
33A의 전류 용량으로 중소 전력 브러시리스 모터 구동 요구 대부분을 커버할 수 있습니다.
조명·LED 드라이버 제조사
高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
- 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
- 03 DPAK 패키지는 방열이 제한적 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
- 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
核心优势
- 42mΩ@10V의 온 저항은 150V 등급에서 균형 잡힌 수준으로 원가와 효율을 모두 고려합니다
- 26nC의 게이트 전하로 구동 손실을 억제해 100kHz 이상 스위칭 주파수에 적합합니다
- DPAK 표면 실장 패키지는 실장 효율이 높아 수삽입과 웨이브 솔더링이 불필요합니다
- -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量
소싱 노트
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 면제 조항 포함 적합 |
|---|---|
| ECCN(미국) | EAR99 |
| 품번 상태 | 현행 생산 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| 차량용 | 아니오 |
| PPAP | 아니오 |
| 제품 카테고리 | Power MOSFET |
| 구성 | 싱글 |
| 공정 기술 | HEXFET |
| 채널 모드 | 인핸스먼트형 |
| 채널 타입 | N |
| 칩당 소자 수 | 1 |
| 최대 드레인-소스 전압 (V) | 150 |
| 최대 게이트-소스 전압 (V) | ±20 |
| 최대 게이트 문턱 전압 (V) | 5 |
| 최대 연속 드레인 전류 (A) | 33 |
| 최대 게이트-소스 누설 전류 (nA) | 100 |
| 최대 IDSS (uA) | 20 |
| 최대 드레인-소스 저항 (mOhm) | 42@10V |
| 일반 게이트 전하 @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| 일반 입력 커패시턴스 @ Vds (pF) | 1750@50V |
| 최대 전력 손실 (mW) | 144000 |
| 일반 하강 시간 (ns) | 20 |
| 일반 상승 시간 (ns) | 35 |
| 일반 턴오프 지연 시간 (ns) | 25 |
| 일반 턴온 지연 시간 (ns) | 15 |
| 최저 동작 온도 (°C) | -55 |
| 최고 동작 온도 (°C) | 175 |
| 포장 | 테이프 앤 릴 |
| 핀 수 | 3 |
| 표준 포장 명칭 | TO-252 |
| 공급사 패키지 | DPAK |
| 장착 | 표면 실장 |
| 패키지 높이 | 2.39(Max) |
| 패키지 길이 | 6.73(Max) |
| 패키지 폭 | 6.22(Max) |
| PCB 변경 | 2 |
| 탭 | 탭 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | IRFR4615TRLPBF | 동급 100V 소자 | 동급 200V 소자 |
|---|---|---|---|
| 드레인-소스 내압 VDS | 150V | 100V | 200V |
| 연속 드레인 전류 ID | 33A | 通常更高 | 通常更低 |
| 온 저항 RDS(on) | 42mΩ@10V | 更低 | 更高 |
| 适用母线电压 | 48V~90V | 24V~60V | 90V~130V |
| 选型建议 | 48V 시스템에서 2배 이상 여유를 두고자 할 때의 첫 선택 | 母线电压低时效率更优 | 需要更高瞬态尖峰耐受时选用 |
-
栅极驱动电压
VGS = 10V로 구동하면 공칭 42mΩ의 온 저항을 얻습니다. 8V 미만 구동에서는 온 저항이 뚜렷이 상승하므로 도통 손실을 다시 계산하십시오.
-
栅极电阻取值
게이트 저항은 4.7Ω~10Ω에서 조정을 시작하십시오. 너무 작으면 링잉과 EMI를 유발하고, 너무 크면 스위칭이 느려져 스위칭 손실이 늘어납니다.
-
PCB 방열 설계
DPAK의 방열 경로는 주로 후면 패드에서 기판 구리로 향합니다. 패드 바로 아래에 비아를 최소 6개 배치해 내층 또는 하부층의 넓은 구리면에 연결할 것을 권장합니다.
-
降额使用
연속 동작에서는 드레인-소스 전압 120V 이내, 드레인 전류 20A 이내로 하고 접합 온도는 125℃ 이내로 유지할 것을 권장합니다.
-
焊接与存储
MSL 등급 요구에 따라 개봉 후 규정 시간 내에 실장을 완료해야 하며, 초과 시 IPC 규격에 따라 재베이킹이 필요합니다.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- 최대 드레인-소스 전
- 100
- 최대 연속 전
- 42
- 최대 드레인-소스 전
- 13.6@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 최대 드레인-소스 전
- 250
- 최대 연속 전
- 10.9
- 최대 드레인-소스 전
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- 최대 드레인-소스 전
- 30
- 최대 연속 전
- 9
- 최대 드레인-소스 전
- 19@10V
IRFR4615TRLPBF 관련 자주 묻는 질문
IRFR4615TRLPBF와 IRFR4615PBF의 차이는 무엇인가요
42mΩ은 어떤 조건에서 측정된 값인가요
이 모델을 100V 버스 시스템에 사용할 수 있나요
DPAK 패키지는 어느 정도 전력을 견딜 수 있나요
你们能提供多少现货 交期多久
IRFR4615TRLPBF 의 가격과 재고가 필요합니다
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。