رسم توضيحي لغلاف TO-252 DPAK
- أقصى جهد مصرف-منب
- 150
- أقصى تيار مصرف مستمر
- 33
- أقصى مقاومة مصرف-منبع
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 26
IRFR4615TRLPBF
تقنية HEXFET في غلاف DPAK للتركيب السطحي بمقاومة توصيل 42 ملي أوم، للتقويم المتزامن ومصادر التغذية المبدّلة متوسطة القدرة
IRFR4615TRLPBF هو MOSFET قدرة بقناة N من النوع التعزيزي بتقنية HEXFET المستوية من Infineon، بجهد تحمّل 150 فولت وتيار مصرف مستمر 33 أمبير، في غلاف TO-252 للتركيب السطحي أي DPAK. ومقاومة التوصيل 42 ملي أوم مع شحنة بوابة 26 نانوكولوم تتيحان الموازنة بين خسائر التوصيل والتبديل في التقويم المتزامن والبنى الخافضة متوسطة القدرة، وهو طراز شائع في مصادر تغذية الاتصالات والمصادر الصناعية.
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 150
- أقصى تيار مصرف مستمرّ
- 33
- أقصى مقاومة بين المصرف والمنبع
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 26
- اسم التعبئة القياسية
- TO-252
- غلاف المورّد
- DPAK
رقم القطعة الأصلي IRFR4615TRLPBF · حد أدنى للطلب قطعة واحدة · الشحن من المخزون خلال 1 إلى 3 أيام عمل
谁最能从这颗器件中受益
通信电源与服务器电源厂商
يحتاج خفض جهد ناقل 48 فولت والتقويم المتزامن جهد تحمّل 150 فولت لترك هامش جهد كافٍ.
工业开关电源厂商
غلاف DPAK للتركيب السطحي يسهّل التجميع الآلي ويلائم خطوطاً متوسطة كثافة القدرة.
مصنّعو مشغّلات المحركات ومتحكّمات BLDC
قدرة تيار 33 أمبير تغطي احتياجات قيادة معظم المحركات عديمة الفُرَش صغيرة ومتوسطة القدرة.
مصنّعو الإضاءة ومشغّلات LED
高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
- 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
- 03 تبديد الحرارة في غلاف DPAK محدود 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
- 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
核心优势
- مقاومة توصيل 42 ملي أوم عند 10 فولت مستوى متوازن في فئة 150 فولت، يوفّق بين التكلفة والكفاءة
- شحنة بوابة 26 نانوكولوم تُبقي خسائر القيادة تحت السيطرة وتلائم ترددات تبديل تتجاوز 100 كيلوهرتز
- غلاف DPAK للتركيب السطحي عالي الكفاءة في التجميع دون إدخال يدوي أو لحام بالموجة
- -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量
ملاحظة توريد
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS الأوروبية | مطابق مع إعفاء |
|---|---|
| ECCN (الولايات المتحدة) | EAR99 |
| حالة القطعة | نشط |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| السيارات | لا |
| PPAP | لا |
| فئة المنتج | Power MOSFET |
| التهيئة | مفرد |
| تقنية التصنيع | HEXFET |
| نمط القناة | تعزيزي |
| نوع القناة | N |
| عدد العناصر في الرقاقة | 1 |
| أقصى جهد مصرف-منبع (V) | 150 |
| أقصى جهد بوابة-منبع (V) | ±20 |
| أقصى جهد عتبة البوابة (V) | 5 |
| أقصى تيار مصرف مستمر (A) | 33 |
| أقصى تيار تسرّب بوابة-منبع (nA) | 100 |
| أقصى IDSS (uA) | 20 |
| أقصى مقاومة مصرف-منبع (mOhm) | 42@10V |
| شحنة البوابة النموذجية عند Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| سعة الدخل النموذجية عند Vds (pF) | 1750@50V |
| أقصى تبديد للقدرة (mW) | 144000 |
| زمن الهبوط النموذجي (ns) | 20 |
| زمن الصعود النموذجي (ns) | 35 |
| زمن تأخير الإطفاء النموذجي (ns) | 25 |
| زمن تأخير التشغيل النموذجي (ns) | 15 |
| أدنى حرارة تشغيل (°م) | -55 |
| أقصى حرارة تشغيل (°م) | 175 |
| التغليف | شريط وبكرة |
| عدد الأطراف | 3 |
| اسم التعبئة القياسية | TO-252 |
| غلاف المورّد | DPAK |
| التركيب | تركيب سطحي |
| ارتفاع الغلاف | 2.39(Max) |
| طول الغلاف | 6.73(Max) |
| عرض الغلاف | 6.22(Max) |
| تغيّرت لوحة الدارة | 2 |
| لسان التثبيت | لسان التثبيت |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | IRFR4615TRLPBF | مكوّنات 100 فولت من الفئة نفسها | مكوّنات 200 فولت من الفئة نفسها |
|---|---|---|---|
| جهد التحمّل بين المصرف والمنبع VDS | 150V | 100V | 200V |
| تيار المصرف المستمر ID | 33A | 通常更高 | 通常更低 |
| مقاومة التوصيل RDS(on) | 42mΩ@10V | 更低 | 更高 |
| 适用母线电压 | من 48V إلى 90V | من 24V إلى 60V | من 90V إلى 130V |
| 选型建议 | الخيار الأول عند الرغبة في هامش يتجاوز الضعف في نظام 48 فولت | 母线电压低时效率更优 | 需要更高瞬态尖峰耐受时选用 |
-
栅极驱动电压
بالقيادة عند VGS = 10 فولت تُحقَّق مقاومة التوصيل الاسمية 42 ملي أوم. وعند القيادة بأقل من 8 فولت ترتفع المقاومة ارتفاعاً ملحوظاً، فيلزم إعادة حساب خسائر التوصيل.
-
栅极电阻取值
نوصي ببدء الضبط بين 4.7 و10 أوم. فالمقاومة الصغيرة جداً تسبّب رنيناً وتشويشاً كهرومغناطيسياً، والكبيرة جداً تبطّئ التبديل وتزيد خسائره.
-
تصميم تبديد الحرارة في اللوحة
يخرج حرارة غلاف DPAK أساساً عبر الوسادة الخلفية إلى نحاس اللوحة. ونوصي بوضع ستّ فتحات عبور على الأقل تحت الوسادة تصل إلى مساحات نحاسية واسعة في الطبقات الداخلية أو السفلية.
-
降额使用
في التشغيل المستمر نوصي بألّا يتجاوز جهد المصرف-المنبع 120 فولت ولا تيار المصرف 20 أمبير، وبإبقاء حرارة الوصلة دون 125 درجة مئوية.
-
焊接与存储
وفق متطلّبات مستوى MSL يجب إتمام التركيب خلال المدة المحدّدة بعد فتح التغليف، وعند تجاوزها يلزم إعادة التجفيف وفق معيار IPC.
典型应用行业
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
查看行业方案 →
信息通讯
عند رفع إنتاج محطات 5G ومعدّات الشبكات، تصل مهل توريد دارات الواجهة عالية السرعة ومكوّنات الترددات الراديوية إلى 40 أسبوعاً فأكثر، ويكفي نقص رقم قطعة واحد لإيقاف خط التجميع بأكمله.…
查看行业方案 →
工业控制
تتجاوز أعمار منتجات وحدات PLC والمحوّلات الترددية ومشغّلات السيرفو عشر سنوات عادةً، بينما لا تتعدّى دورة حياة منتجات مصنّعي الرقائق 5 إلى 7 سنوات، فيغدو التوريد طويل الأمد جوهر التناقض.…
查看行业方案 →
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 100
- أقصى تيار مستمر
- 42
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 13.6@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 250
- أقصى تيار مستمر
- 10.9
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 30
- أقصى تيار مستمر
- 9
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 19@10V
الأسئلة الشائعة حول IRFR4615TRLPBF
ما الفرق بين IRFR4615TRLPBF وIRFR4615PBF؟
في أي ظروف قيست قيمة 42 ملي أوم؟
هل يمكن استخدام هذا الطراز في نظام بناقل 100 فولت؟
ما مقدار القدرة التي يتحمّلها غلاف DPAK؟
你们能提供多少现货 交期多久
أحتاج سعر ومخزون IRFR4615TRLPBF
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。