Esquema do encapsulamento TO-252 DPAK
- Tensão dreno-fonte máx
- 150
- Corrente contínua de dreno máx
- 33
- Resistência dreno-fonte máx
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 26
IRFR4615TRLPBF
Processo HEXFET em encapsulamento SMD DPAK com 42 mΩ de resistência em condução, para retificação síncrona e fontes comutadas de potência média
O IRFR4615TRLPBF é um MOSFET de potência de canal N de enriquecimento com processo plano HEXFET da Infineon: 150 V de bloqueio e 33 A de corrente contínua de dreno, em encapsulamento SMD TO-252, ou seja DPAK. Os seus 42 mΩ de resistência em condução com 26 nC de carga de porta permitem equilibrar perdas de condução e de comutação em retificação síncrona e topologias redutoras de potência média, sendo um modelo habitual em fontes de telecomunicações e industriais.
- Tensão dreno-fonte máxima
- 150
- Corrente contínua de dreno máxima
- 33
- Resistência dreno-fonte máxima
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 26
- Nome da embalagem padrão
- TO-252
- Encapsulamento do fornecedor
- DPAK
Referência de fábrica IRFR4615TRLPBF · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis
谁最能从这颗器件中受益
通信电源与服务器电源厂商
A redução do barramento de 48 V e a retificação síncrona necessitam de 150 V de bloqueio para deixar margem de tensão suficiente.
工业开关电源厂商
O encapsulamento SMD DPAK facilita a montagem automática e encaixa em linhas de densidade de potência média.
Fabricantes de acionamentos de motor e controladores BLDC
Uma capacidade de 33 A cobre as necessidades de acionamento da maioria dos motores sem escovas de potência baixa e média.
Fabricantes de iluminação e drivers LED
高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
- 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
- 03 A dissipação do encapsulamento DPAK é limitada 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
- 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
核心优势
- Uma resistência em condução de 42 mΩ@10V é um valor equilibrado na classe de 150 V, conciliando custo e rendimento
- Uma carga de porta de 26 nC mantém controladas as perdas de acionamento, apta para frequências de comutação acima de 100 kHz
- O encapsulamento SMD DPAK monta-se com alta eficiência, sem inserção manual nem soldadura por onda
- -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量
NOTA DE FORNECIMENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme com isenção |
|---|---|
| ECCN (EUA) | EAR99 |
| Estado da referência | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automóvel | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | Power MOSFET |
| Configuração | Simples |
| Tecnologia de processo | HEXFET |
| Modo de canal | De enriquecimento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensão dreno-fonte máxima (V) | 150 |
| Tensão porta-fonte máxima (V) | ±20 |
| Tensão de limiar de porta máxima (V) | 5 |
| Corrente contínua de dreno máxima (A) | 33 |
| Corrente de fuga porta-fonte máxima (nA) | 100 |
| IDSS máxima (uA) | 20 |
| Resistência dreno-fonte máxima (mOhm) | 42@10V |
| Carga de porta típica @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) | 1750@50V |
| Dissipação de potência máxima (mW) | 144000 |
| Tempo de descida típico (ns) | 20 |
| Tempo de subida típico (ns) | 35 |
| Atraso de desativação típico (ns) | 25 |
| Atraso de ativação típico (ns) | 15 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máxima (°C) | 175 |
| Embalagem | Fita e carretel |
| Número de pinos | 3 |
| Nome da embalagem padrão | TO-252 |
| Encapsulamento do fornecedor | DPAK |
| Montagem | Montagem em superfície |
| Altura do encapsulamento | 2.39(Max) |
| Comprimento do encapsulamento | 6.73(Max) |
| Largura do encapsulamento | 6.22(Max) |
| PCB redesenhada | 2 |
| Patilha | Patilha |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | IRFR4615TRLPBF | Dispositivos de 100 V da mesma classe | Dispositivos de 200 V da mesma classe |
|---|---|---|---|
| Tensão de bloqueio dreno-fonte VDS | 150V | 100V | 200V |
| Corrente contínua de dreno ID | 33A | 通常更高 | 通常更低 |
| Resistência em condução RDS(on) | 42mΩ@10V | 更低 | 更高 |
| 适用母线电压 | 48V a 90V | 24V a 60V | 90V a 130V |
| 选型建议 | A primeira opção quando se quer mais do dobro de margem num sistema de 48 V | 母线电压低时效率更优 | 需要更高瞬态尖峰耐受时选用 |
-
栅极驱动电压
Com acionamento de VGS = 10 V obtém-se a resistência em condução nominal de 42 mΩ. Abaixo de 8 V a resistência sobe de forma apreciável e há que recalcular as perdas de condução.
-
栅极电阻取值
Recomendamos começar a afinar entre 4,7 Ω e 10 Ω. Uma resistência demasiado baixa provoca ringing e EMI; demasiado alta trava a comutação e aumenta as perdas de comutação.
-
Projeto térmico da PCB
O calor do DPAK sai sobretudo pelo pad posterior para o cobre da PCB. Recomendamos pelo menos 6 vias sob o pad a ligar a planos de cobre amplos de camadas internas ou da camada inferior.
-
降额使用
Em funcionamento contínuo recomendamos não ultrapassar 120 V de tensão dreno-fonte nem 20 A de corrente de dreno, e manter a temperatura de junção abaixo de 125 ℃.
-
焊接与存储
Segundo o nível MSL, a montagem deve concluir-se dentro do prazo fixado após abrir a embalagem; passado esse prazo há que voltar a secar em estufa conforme a norma IPC.
典型应用行业
电源管理
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信息通讯
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工业控制
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Tensão dreno-fonte máx.
- 100
- Corrente contínua máx.
- 42
- Tensão dreno-fonte máx.
- 13.6@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensão dreno-fonte máx.
- 250
- Corrente contínua máx.
- 10.9
- Tensão dreno-fonte máx.
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Tensão dreno-fonte máx.
- 30
- Corrente contínua máx.
- 9
- Tensão dreno-fonte máx.
- 19@10V
Perguntas frequentes sobre IRFR4615TRLPBF
Que diferença há entre o IRFR4615TRLPBF e o IRFR4615PBF?
Em que condições foram medidos os 42 mΩ?
Pode usar-se este modelo num sistema com barramento de 100 V?
Quanta potência suporta o encapsulamento DPAK?
你们能提供多少现货 交期多久
Preciso de preço e stock de IRFR4615TRLPBF
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。