رسم توضيحي لغلاف TO-220
- أقصى جهد مصرف-منب
- 600
- أقصى تيار مصرف مستمر
- 20
- أقصى مقاومة مصرف-منبع
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 27
TK20E60U,S1X(S
غلاف TO-220 عبر الثقوب بمقاومة توصيل 0.19 أوم، للمفتاح الرئيسي في دارات PFC ومصادر التغذية من نوع flyback
TK20E60U,S1X(S) هو MOSFET قدرة بقناة N عالي الجهد 600 فولت من Toshiba، بتيار مصرف مستمر 20 أمبير وقدرة تبديد 190 واط ومقاومة توصيل 0.19 أوم، في غلاف TO-220 التقليدي ثلاثي الأطراف عبر الثقوب. وفئة 600 فولت هي أكثر مستويات الجهد استخداماً في مصادر التغذية المبدّلة بدخل 220 فولت متردّد، وتنتشر في مرحلة الرفع لدارات PFC وفي المفتاح الرئيسي لمحوّلات flyback.
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 600
- أقصى تيار مصرف مستمرّ
- 20
- أقصى مقاومة بين المصرف والمنبع
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 27
- غلاف المورّد
- TO-220
- حالة القطعة
- متوقّف
رقم القطعة الأصلي TK20E60U,S1X(S · حد أدنى للطلب قطعة واحدة · الشحن من المخزون خلال 1 إلى 3 أيام عمل
谁最能从这颗器件中受益
مصنّعو مصادر التغذية المبدّلة AC-DC والمحوّلات
التكوين القياسي للمفتاح الرئيسي في بنى flyback وforward لدخل 220 فولت.
مصنّعو وحدات تصحيح معامل القدرة PFC
يحتاج مفتاح مرحلة الرفع جهد تحمّل 600 فولت وخصائص تبديل جيدة.
مصنّعو مصادر تغذية مشغّلات LED
非隔离降压与隔离反激拓扑的高压开关。
工业电源与充电桩厂商
نحتاج غلاف TO-220 مع مشتّت حراري لتبديد قدرات عالية.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 高压管击穿失效 تتجاوز نبضة الإطفاء القيمة الاسمية 600 فولت، ما يدلّ على سوء تصميم دارة التخميد.
- 02 散热片安装工艺不稳定 绝缘垫片与螺丝扭矩不一致导致热阻分散。
- 03 体二极管反向恢复引发损耗 يسبّب خسائر إضافية وتشويشاً كهرومغناطيسياً في بنى التبديل الصلب.
- 04 高压器件渠道货源混乱 翻新与打磨片在高压场景下失效风险极高。
核心优势
- جهد تحمّل 600 فولت يغطي بنى مصادر التغذية المبدّلة الشائعة بدخل 220 فولت متردّد
- مقاومة توصيل 0.19 أوم تُعدّ مستوى جيداً في فئة 600 فولت و20 أمبير
- غلاف TO-220 عبر الثقوب يُركَّب مباشرةً على مشتّت حراري لتبديد قدرات عالية
- قدرة تبديد 190 واط تمنح متّسعاً لتصميم مصادر تغذية عالية القدرة
ملاحظة توريد
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS الأوروبية | مطابق مع إعفاء |
|---|---|
| ECCN (الولايات المتحدة) | EAR99 |
| حالة القطعة | متوقّف |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| السيارات | لا |
| PPAP | لا |
| فئة المنتج | Power MOSFET |
| المادة | Si |
| التهيئة | مفرد |
| تقنية التصنيع | DTMOSII |
| نمط القناة | تعزيزي |
| نوع القناة | N |
| عدد العناصر في الرقاقة | 1 |
| أقصى جهد مصرف-منبع (V) | 600 |
| أقصى جهد بوابة-منبع (V) | ±30 |
| أقصى جهد عتبة البوابة (V) | 5 |
| أقصى تيار مصرف مستمر (A) | 20 |
| أقصى تيار تسرّب بوابة-منبع (nA) | 1000 |
| أقصى IDSS (uA) | 100 |
| أقصى مقاومة مصرف-منبع (mOhm) | 190@10V |
| شحنة البوابة النموذجية عند Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| سعة الدخل النموذجية عند Vds (pF) | 1470@10V |
| أقصى تبديد للقدرة (mW) | 190000 |
| زمن الهبوط النموذجي (ns) | 12 |
| زمن الصعود النموذجي (ns) | 40 |
| أدنى حرارة تشغيل (°م) | -55 |
| أقصى حرارة تشغيل (°م) | 150 |
| غلاف المورّد | TO-220 |
| عدد الأطراف | 3 |
| التركيب | تركيب عبر الثقوب |
| ارتفاع الغلاف | 8.59 |
| طول الغلاف | 10.16 |
| عرض الغلاف | 4.45 |
| تغيّرت لوحة الدارة | 3 |
| لسان التثبيت | لسان التثبيت |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TK20E60U 600V | مكوّنات من فئة 500V | مكوّنات 650 و900 فولت |
|---|---|---|---|
| 适用输入电压 | من AC 176V إلى 264V | من AC 100V إلى 132V | 宽范围输入或高尖峰场景 |
| 导通电阻 | 0.19Ω | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | TO-220 بأطراف غاطسة | 多种 | أغلفة أكبر مثل TO-247 |
| 散热方式 | 配散热片 | 视功率而定 | 通常需强散热 |
| 选型建议 | الحلّ القياسي لدخل 220 فولت | مخصّص لسوق دخل 110 فولت | 宽压输入或尖峰裕量不足时升档 |
-
缓冲电路设计
تفرض بنية flyback تركيب دارة تخميد RCD تحدّ نبضة الإطفاء دون 500 فولت، بما يترك هامشاً لا يقلّ عن 100 فولت عن القيمة الاسمية 600 فولت.
-
散热片安装
عند استخدام وسادات عازلة موصّلة للحرارة يجب توحيد عزم ربط البراغي، ويُوصى بأن يكون بين 0.4 و0.6 نيوتن·متر. فالعزم غير الكافي يرفع المقاومة الحرارية التماسية بشكل ملحوظ.
-
栅极驱动
يجب أن تكون دارة بوابة الترانزستورات عالية الجهد قصيرة، ونوصي بضبط مقاومة البوابة بين 10 و47 أوم للتوفيق بين سرعة التبديل والتشويش الكهرومغناطيسي.
-
降额使用
نوصي بألّا يتجاوز جهد التشغيل الفعلي 480 فولت، وبإبقاء حرارة الوصلة دون 125 درجة مئوية والتيار دون 12 أمبير.
-
存储要求
أطراف غلاف TO-220 مطلية بالقصدير، وعند التخزين الطويل يلزم حمايتها من الرطوبة والأكسدة تفادياً للحام البارد عند التركيب.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- غلاف المورّد
- D2PAK
- التركيب
- تركيب سطح
- حرارة التشغيل
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 1200
- أقصى تيار مستمر
- 12
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 690@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 150
- أقصى تيار مستمر
- 33
- أقصى جهد مصرف-منبع
- 42@10V
الأسئلة الشائعة حول TK20E60U,S1X(S
هل يمكن استخدام ترانزستور 600 فولت مع دخل ثلاثي الطور 380 فولت؟
ما الفرق بين TO-220 وTO-220F؟
يظهر رقم القطعة بحالة Obsolete أي متوقّف، فهل ما زال متاحاً للشراء؟
如何判断买到的是不是翻新片
有没有对应的国产替代方案
أحتاج سعر ومخزون TK20E60U,S1X(S
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。