Esquema do encapsulamento TO-220
- Tensão dreno-fonte máx
- 600
- Corrente contínua de dreno máx
- 20
- Resistência dreno-fonte máx
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 27
TK20E60U,S1X(S
Encapsulamento passante TO-220 com 0,19 Ω de resistência em condução, para o interruptor principal de PFC e de fontes flyback
O TK20E60U,S1X(S) é um MOSFET de potência de canal N de alta tensão de 600 V da Toshiba, com 20 A de corrente contínua de dreno, 190 W de capacidade de dissipação e 0,19 Ω de resistência em condução, no clássico encapsulamento passante TO-220 de três pinos. A classe de 600 V é a tensão de bloqueio mais usada em fontes comutadas com entrada de 220 V AC, muito difundida no andar elevador do PFC e no interruptor principal dos conversores flyback.
- Tensão dreno-fonte máxima
- 600
- Corrente contínua de dreno máxima
- 20
- Resistência dreno-fonte máxima
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 27
- Encapsulamento do fornecedor
- TO-220
- Estado da referência
- Obsoleto
Referência de fábrica TK20E60U,S1X(S · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis
谁最能从这颗器件中受益
Fabricantes de fontes comutadas AC-DC e adaptadores
Configuração padrão do interruptor principal em topologias flyback e forward de entrada de 220 V.
Fabricantes de módulos de correção do fator de potência PFC
O interruptor da etapa elevadora necessita de 600 V de bloqueio e boas características de comutação.
Fabricantes de fontes para driver LED
非隔离降压与隔离反激拓扑的高压开关。
工业电源与充电桩厂商
Precisamos de encapsulamento TO-220 com dissipador para dissipar potências elevadas.
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 高压管击穿失效 O pico de desativação ultrapassa o valor nominal de 600 V: o circuito snubber está mal projetado.
- 02 散热片安装工艺不稳定 绝缘垫片与螺丝扭矩不一致导致热阻分散。
- 03 体二极管反向恢复引发损耗 Provoca perdas adicionais e EMI em topologias de comutação dura.
- 04 高压器件渠道货源混乱 翻新与打磨片在高压场景下失效风险极高。
核心优势
- Uma tensão de bloqueio de 600 V cobre as topologias comutadas habituais com entrada de 220 V AC
- Uma resistência em condução de 0,19 Ω é um bom valor na classe de 600 V e 20 A
- O encapsulamento passante TO-220 acopla-se diretamente a um dissipador para dissipar potências elevadas
- Uma capacidade de dissipação de 190 W deixa margem ao projeto de fontes de alta potência
NOTA DE FORNECIMENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme com isenção |
|---|---|
| ECCN (EUA) | EAR99 |
| Estado da referência | Obsoleto |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automóvel | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuração | Simples |
| Tecnologia de processo | DTMOSII |
| Modo de canal | De enriquecimento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensão dreno-fonte máxima (V) | 600 |
| Tensão porta-fonte máxima (V) | ±30 |
| Tensão de limiar de porta máxima (V) | 5 |
| Corrente contínua de dreno máxima (A) | 20 |
| Corrente de fuga porta-fonte máxima (nA) | 1000 |
| IDSS máxima (uA) | 100 |
| Resistência dreno-fonte máxima (mOhm) | 190@10V |
| Carga de porta típica @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) | 1470@10V |
| Dissipação de potência máxima (mW) | 190000 |
| Tempo de descida típico (ns) | 12 |
| Tempo de subida típico (ns) | 40 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máxima (°C) | 150 |
| Encapsulamento do fornecedor | TO-220 |
| Número de pinos | 3 |
| Montagem | Montagem passante |
| Altura do encapsulamento | 8.59 |
| Comprimento do encapsulamento | 10.16 |
| Largura do encapsulamento | 4.45 |
| PCB redesenhada | 3 |
| Patilha | Patilha |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TK20E60U 600V | componentes da classe 500V | Dispositivos de 650 V e 900 V |
|---|---|---|---|
| 适用输入电压 | AC 176V a 264V | AC 100V a 132V | 宽范围输入或高尖峰场景 |
| 导通电阻 | 0.19Ω | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | TO-220 passante | 多种 | Encapsulamentos maiores como o TO-247 |
| 散热方式 | 配散热片 | 视功率而定 | 通常需强散热 |
| 选型建议 | Solução padrão para entrada de 220 V | Específico para o mercado de entrada de 110 V | 宽压输入或尖峰裕量不足时升档 |
-
缓冲电路设计
A topologia flyback obriga a montar um snubber RCD que limite o pico de desativação abaixo de 500 V, deixando pelo menos 100 V de margem face ao valor nominal de 600 V.
-
散热片安装
Ao usar almofadas isolantes térmicas há que manter uniforme o binário de aperto, recomendado entre 0,4 e 0,6 N·m. Um binário insuficiente aumenta muito a resistência térmica de contacto.
-
栅极驱动
A malha de porta dos transístores de alta tensão deve ser curta; recomendamos afinar a resistência de porta entre 10 Ω e 47 Ω para conciliar velocidade de comutação e EMI.
-
降额使用
Recomendamos não ultrapassar 480 V de tensão de funcionamento real, manter a temperatura de junção abaixo de 125 ℃ e a corrente abaixo de 12 A.
-
存储要求
Os pinos do TO-220 são estanhados; em armazenamento prolongado há que protegê-los da humidade e da oxidação para evitar soldaduras frias na inserção.
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Encapsulamento do fornecedor
- D2PAK
- Montagem
- Montagem em superfíci
- Temperatura de funcionamento
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Tensão dreno-fonte máx.
- 1200
- Corrente contínua máx.
- 12
- Tensão dreno-fonte máx.
- 690@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensão dreno-fonte máx.
- 150
- Corrente contínua máx.
- 33
- Tensão dreno-fonte máx.
- 42@10V
Perguntas frequentes sobre TK20E60U,S1X(S
Pode usar-se um transístor de 600 V com entrada trifásica de 380 V?
Que diferença há entre o TO-220 e o TO-220F?
Esta referência figura como Obsolete e descontinuada, ainda se consegue?
如何判断买到的是不是翻新片
有没有对应的国产替代方案
Preciso de preço e stock de TK20E60U,S1X(S
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。