Esquema do encapsulamento SOP Advance 8
- Tensão dreno-fonte máx
- 100
- Corrente contínua de dreno máx
- 42
- Resistência dreno-fonte máx
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 22
TPH1400ANH,L1Q(M
Encapsulamento SOP Advance de baixa resistência em condução, para fontes e circuitos de acionamento SMD de alta densidade de corrente
O TPH1400ANH,L1Q(M) é um MOSFET de potência de canal N da Toshiba: 100 V de bloqueio e 42 A de corrente contínua de dreno, no encapsulamento próprio SOP Advance de 8 pinos. Esse encapsulamento oferece, na área de placa de um SOP-8, uma capacidade de dissipação e de corrente muito superior à do SOP-8 tradicional, o que encaixa onde se exige densidade de potência e é preciso trabalhar em SMD.
- Tensão dreno-fonte máxima
- 100
- Corrente contínua de dreno máxima
- 42
- Resistência dreno-fonte máxima
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 22
- Nome da embalagem padrão
- SOP
- Encapsulamento do fornecedor
- SOP Advance
Referência de fábrica TPH1400ANH,L1Q(M · encomenda mínima 1 unidade · stock expedido em 1 a 3 dias úteis
谁最能从这颗器件中受益
服务器与通信电源厂商
Os conversores de barramento intermédio de 48 V para 12 V têm de dar muita corrente numa área de placa limitada.
电动工具与电动车控制器厂商
需要在紧凑空间内实现大电流开关。
负载开关与热插拔保护厂商
低导通电阻可显著降低通路压降与发热。
Fabricantes de acionamentos de motor BLDC
半桥拓扑中需要成对使用低阻抗贴片管。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 O SOP-8 tradicional não tem capacidade de corrente suficiente 大电流场景下封装引脚成为瓶颈，发热集中在引脚而非芯片。
- 02 插件封装占板面积大 产品小型化与自动化贴装的要求无法满足。
- 03 贴片管散热路径不清晰 缺少明确的热阻数据导致热设计只能靠试错。
- 04 并联使用一致性差 不同批次参数分散导致并联时电流分配不均。
核心优势
- Na mesma área de placa de um SOP-8, o encapsulamento SOP Advance melhora muito a capacidade de corrente e a dissipação
- Uma capacidade de 42 A contínuos cobre a maioria das aplicações SMD de potência média e alta
- Uma tensão de bloqueio de 100 V encaixa em sistemas de barramento de 48 V e deixa margem folgada
- 编带卷装交付 适合全自动贴装产线
NOTA DE FORNECIMENTO
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| RoHS UE | Conforme |
|---|---|
| ECCN (EUA) | EAR99 |
| Estado da referência | Ativo |
| SVHC | Sim |
| SVHC acima do limiar | Sim |
| Automóvel | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuração | Dreno quádruplo único e fonte tripla |
| Tecnologia de processo | U-MOS VIII-H |
| Modo de canal | De enriquecimento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por chip | 1 |
| Tensão dreno-fonte máxima (V) | 100 |
| Tensão porta-fonte máxima (V) | ±20 |
| Tensão de limiar de porta máxima (V) | 4 |
| Corrente contínua de dreno máxima (A) | 42 |
| Corrente de fuga porta-fonte máxima (nA) | 100 |
| IDSS máxima (uA) | 10 |
| Resistência dreno-fonte máxima (mOhm) | 13.6@10V |
| Carga de porta típica @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) | 1440@50V |
| Dissipação de potência máxima (mW) | 2800 |
| Tempo de descida típico (ns) | 6.5 |
| Tempo de subida típico (ns) | 5.6 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máxima (°C) | 150 |
| Embalagem | Fita e carretel |
| Encapsulamento do fornecedor | SOP Advance |
| Número de pinos | 8 |
| Nome da embalagem padrão | SOP |
| Montagem | Montagem em superfície |
| Altura do encapsulamento | 0.95 |
| Comprimento do encapsulamento | 5 |
| Largura do encapsulamento | 5 |
| PCB redesenhada | 8 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TPH1400ANH | Dispositivos SOP-8 tradicionais | Dispositivos DPAK passantes e de superfície |
|---|---|---|---|
| 占板面积 | Próximo do SOP-8 | SOP-8 | 更大 |
| 连续电流能力 | 42A | Normalmente abaixo de 10 A | 视型号而定 |
| 散热路径 | 底部大面积散热焊盘 | 主要靠引脚 | 背面焊盘 |
| 自动化贴装 | 完全适配 | 完全适配 | 适配 |
| 选型建议 | 小板面大电流的首选 | 小电流信号级开关 | 对散热要求更高时选用 |
-
散热焊盘设计
A dissipação do SOP Advance depende do amplo pad inferior. Na PCB há que fazer um plano de cobre do mesmo tamanho com vias densas; sem isso, a vantagem do encapsulamento não se aproveita.
-
栅极驱动
Recomendamos acionar com VGS de 10 V. A malha de porta deve ser curta e o IC de driver o mais perto possível do dispositivo para conter o ringing.
-
并联使用
并联时应选用同一批次器件，并在各管栅极串联独立的栅极电阻以抑制寄生振荡。
-
回流焊接
Controle o tempo de armazenamento em fábrica após abrir a embalagem segundo o nível MSL do dispositivo, com um pico de perfil de refluxo que não ultrapasse os 260 ℃.
-
降额使用
Recomendamos não ultrapassar 60 V de tensão de barramento real e deduzir a corrente contínua da resistência térmica real do encapsulamento, em vez de usar diretamente o valor nominal de 42 A.
典型应用行业
电源管理
电源是整机中发热最集中、失效率最高的模块，效率与可靠性的每一个百分点都要靠器件选型换取。…
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汽车电子
As referências automóvel têm de cumprir a certificação AEC-Q e os requisitos documentais PPAP, com uma revisão rigorosa da origem que os canais correntes não conseguem satisfazer.…
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智能机器人
伺服关节要求高动态响应与高功率密度，器件在小体积内承受剧烈的热与电应力循环。…
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相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Tensão dreno-fonte máx.
- 150
- Corrente contínua máx.
- 33
- Tensão dreno-fonte máx.
- 42@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Tensão dreno-fonte máx.
- 250
- Corrente contínua máx.
- 10.9
- Tensão dreno-fonte máx.
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Tensão dreno-fonte máx.
- 30
- Corrente contínua máx.
- 9
- Tensão dreno-fonte máx.
- 19@10V
Perguntas frequentes sobre TPH1400ANH,L1Q(M
SOP Advance e o SOP-8 corrente são o mesmo encapsulamento?
São 42 A uma corrente que realmente se pode manter?
O que significam os sufixos L1Q e M da referência?
这个料现在还在产吗
可以先要样品验证吗
Preciso de preço e stock de TPH1400ANH,L1Q(M
把需求数量与交期发给我们，现货当天确认，调货料号一并给出准确交期。1 片起订。