SOP Advance 8 パッケージ外形図
- 最大ドレイン・ソース間電
- 100
- 最大連続ドレイン電
- 42
- 最大ドレイン・ソース間抵
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 22
TPH1400ANH,L1Q(M
SOP Advance パッケージ・低オン抵抗 ― 高電流密度の表面実装電源・駆動回路向け
TPH1400ANH,L1Q(M) は Toshiba の N チャネルパワー MOSFET で、耐圧 100V、連続ドレイン電流 42A、同社独自の SOP Advance 8 ピンパッケージを採用しています。このパッケージは SOP-8 と同等の基板占有面積で、従来の SOP-8 をはるかに上回る放熱性と通電能力を備えており、電力密度が求められ、かつ表面実装工程が必須の用途に適します。
- 最大ドレイン・ソース間電圧
- 100
- 最大連続ドレイン電流
- 42
- 最大ドレイン・ソース間抵抗
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 22
- 標準梱包名称
- SOP
- サプライヤー指定パッケージ
- SOP Advance
メーカー型番 TPH1400ANH,L1Q(M ・ 最小ロット1個 ・ 在庫品は1〜3営業日で出荷
谁最能从这颗器件中受益
服务器与通信电源厂商
48V から 12V への中間バスコンバーターは、限られた基板面積で大電流を扱う必要があります。
电动工具与电动车控制器厂商
需要在紧凑空间内实现大电流开关。
负载开关与热插拔保护厂商
低导通电阻可显著降低通路压降与发热。
BLDC モーター駆動メーカー
半桥拓扑中需要成对使用低阻抗贴片管。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 従来の SOP-8 では通電能力が不足 大电流场景下封装引脚成为瓶颈,发热集中在引脚而非芯片。
- 02 插件封装占板面积大 产品小型化与自动化贴装的要求无法满足。
- 03 贴片管散热路径不清晰 缺少明确的热阻数据导致热设计只能靠试错。
- 04 并联使用一致性差 不同批次参数分散导致并联时电流分配不均。
核心优势
- SOP Advance パッケージは、SOP-8 と同じ基板占有面積で通電能力と放熱性能を大幅に向上させます
- 42A の連続電流能力が中・大電力の表面実装用途の多くをカバーします
- 100V の耐圧が 48V 母線システムに適合し、十分な裕度を残します
- 编带卷装交付 适合全自动贴装产线
調達メモ
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | 適合 |
|---|---|
| ECCN(米国) | EAR99 |
| 型番ステータス | 現行品 |
| SVHC | はい |
| SVHC が閾値超過 | はい |
| 車載 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | Power MOSFET |
| 材質 | Si |
| 構成 | シングル・クアッドドレイン/トリプルソース |
| プロセス技術 | U-MOS VIII-H |
| チャネルモード | エンハンスメント型 |
| チャネル種別 | N |
| 1チップあたりの素子数 | 1 |
| 最大ドレイン・ソース間電圧 (V) | 100 |
| 最大ゲート・ソース間電圧 (V) | ±20 |
| 最大ゲートしきい値電圧 (V) | 4 |
| 最大連続ドレイン電流 (A) | 42 |
| 最大ゲート・ソース間漏れ電流 (nA) | 100 |
| 最大 IDSS (uA) | 10 |
| 最大ドレイン・ソース間抵抗 (mOhm) | 13.6@10V |
| 標準ゲート電荷 @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| 標準入力容量 @ Vds (pF) | 1440@50V |
| 最大許容損失 (mW) | 2800 |
| 標準下降時間 (ns) | 6.5 |
| 標準立ち上がり時間 (ns) | 5.6 |
| 最低動作温度 (°C) | -55 |
| 最高動作温度 (°C) | 150 |
| 包装 | テープ&リール |
| サプライヤー指定パッケージ | SOP Advance |
| ピン数 | 8 |
| 標準梱包名称 | SOP |
| 取付 | 表面実装 |
| パッケージ高さ | 0.95 |
| パッケージ長さ | 5 |
| パッケージ幅 | 5 |
| 基板の作り直し | 8 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TPH1400ANH | 従来の SOP-8 デバイス | DPAK のスルーホール/表面実装デバイス |
|---|---|---|---|
| 占板面积 | SOP-8 に近い | SOP-8 | 更大 |
| 连续电流能力 | 42A | 通常 10A 以内 | 视型号而定 |
| 散热路径 | 底部大面积散热焊盘 | 主要靠引脚 | 背面焊盘 |
| 自动化贴装 | 完全适配 | 完全适配 | 适配 |
| 选型建议 | 小板面大电流的首选 | 小电流信号级开关 | 对散热要求更高时选用 |
-
散热焊盘设计
SOP Advance の放熱は底面の大面積パッドに依存します。基板側に同寸法の放熱銅箔とビアを密に設ける必要があり、これを欠くとパッケージの利点を活かせません。
-
栅极驱动
VGS = 10V での駆動を推奨します。ゲート回路の配線は短くし、リンギングを抑えるためドライバ IC は素子のできるだけ近くに配置してください。
-
并联使用
并联时应选用同一批次器件,并在各管栅极串联独立的栅极电阻以抑制寄生振荡。
-
回流焊接
部品の MSL レベルに応じて開封後の工場内保管時間を管理し、リフロープロファイルのピーク温度は 260℃ を超えないようにしてください。
-
降额使用
実際の母線電圧は 60V 以内とし、連続電流は 42A の公称値をそのまま使うのではなく、パッケージの実際の熱抵抗から逆算してください。
相关料号
同一设计中常一起出现,或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- 最大ドレイン・ソース電
- 150
- 最大連続電
- 33
- 最大ドレイン・ソース電
- 42@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- 最大ドレイン・ソース電
- 250
- 最大連続電
- 10.9
- 最大ドレイン・ソース電
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- 最大ドレイン・ソース電
- 30
- 最大連続電
- 9
- 最大ドレイン・ソース電
- 19@10V
TPH1400ANH,L1Q(M に関するよくある質問
SOP Advance と一般的な SOP-8 は同じパッケージですか
42A は実際に長時間流せる電流ですか
型番のサフィックス L1Q と M は何を意味しますか
这个料现在还在产吗
可以先要样品验证吗
TPH1400ANH,L1Q(M の価格と在庫を知りたい
把需求数量与交期发给我们,现货当天确认,调货料号一并给出准确交期。1 片起订。


