SiC-Wafer
OST Photonics bietet SiC-Wafer für die Halbleiterindustrie an. Sie können zwischen zwei Leitungstypen von SiC-Materialien wählen: 4H-SiC vom N-Typ...
SiC-Wafer
OST Photonics bietet SiC-Wafer für die Halbleiterindustrie an. Sie können zwischen zwei Leitungstypen von SiC-Materialien wählen: 4H-SiC vom N-Typ (Leitfähigkeitstyp) und hochreines semi-isolierendes (HPSI) 4H-SiC. Hochreine semi-isolierende SiC-Wafer werden hauptsächlich in 5G-Kommunikationsanwendungen eingesetzt. Sie bieten Vorteile wie einen erweiterten Hochfrequenzbereich, Erkennung über sehr große Entfernungen, Störfestigkeit, hohe Geschwindigk...
- HerstellerOST Photonics
- KategorieKristallwafer und Substrat
- LieferzeitWird je Auftrag angegeben
- AnpassungGröße, Orientierung und Oberflächengüte nach Zeichnung
OST Photonics bietet SiC-Wafer für die Halbleiterindustrie an. Sie können zwischen zwei Leitungstypen von SiC-Materialien wählen: 4H-SiC vom N-Typ (Leitfähigkeitstyp) und hochreines semi-isolierendes (HPSI) 4H-SiC. Hochreine semi-isolierende SiC-Wafer werden hauptsächlich in 5G-Kommunikationsanwendungen eingesetzt. Sie bieten Vorteile wie einen erweiterten Hochfrequenzbereich, Erkennung über sehr große Entfernungen, Störfestigkeit sowie eine schnelle Informationsübertragung mit hoher Kapazität und gelten als das ideale Material für die Herstellung von Mikrowellen-Leistungsbauelementen. SiC-Wafer vom N-Typ werden hauptsächlich in Fahrzeugen mit neuen Energien, Hochspannungs-Übertragungs- und Umspannwerken, Weißer Ware, Hochgeschwindigkeitszügen, Motoren, Photovoltaik-Wechselrichtern, Impulsstromversorgungen und weiteren Bereichen eingesetzt. Sie bieten Vorteile wie geringere Energieverluste der Geräte, höhere Zuverlässigkeit, kleineres Bauvolumen und verbesserte Geräteleistung und besitzen bei der Fertigung leistungselektronischer Bauelemente unersetzliche Vorzüge.
Spezifikationen der 4H-SiC-Wafer vom N-Typ (Leitfähigkeitstyp)
| 4H-SiC-Wafer vom N-Typ (Leitfähigkeitstyp) | ||||
| Durchmesser | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| Dicke | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| Oberflächenorientierung | Fehlorientierung:<0001> 4 ° in Richtung <11- 20> ± 0 . 5° | |||
| Orientierung der Primärfläche | Parallel zu <1 1 -20 > ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| Länge der Primärfläche | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | Notch |
| Orientierung der Sekundärfläche | Siliziumseite oben: 90.0 ˚ im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| Länge der Sekundärfläche | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| Spezifischer Widerstand | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| Vorderseite | Si-Seite : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| Rückseite | C-Face : optische Politur, Ra<0 . 5nm | |||
| Laserbeschriftung | Rückseite : C-Fläche | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| BOW (Durchbiegung) | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| VERZUG | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| Randausschluss | ≤ 3 mm |
Spezifikationen der hochreinen halbisolierenden (HPSI) 4H-SiC-Wafer
| Hochreine halbisolierende (HPSI) 4H-SiC-Wafer | |||||
| Durchmesser | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| Dicke | 500μ m (DSP) | ||||
| Oberflächenorientierung | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| Orientierung der Primärfläche | < 1- 100 > ±1° | ||||
| Länge der Primärfläche | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | Notch | Notch |
| Orientierung der Sekundärfläche | Siliziumseite oben: 90.0 ˚ im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| Länge der Sekundärfläche | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| Spezifischer Widerstand | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| Vorderseite | Si-Seite: CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| Rückseite | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face poliert.Ra＜5nm | |||
| Laserbeschriftung | Rückseite: C-Fläche | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| BOW (Durchbiegung) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| VERZUG | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| Randausschluss | ≤ 3 mm |
Spezifikationen der SiC-Wafer besonderer Polytypen
| SiC-Wafer besonderer Polytypen (6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| Abmessungen | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| Dicke | 350μm(DSP) | ||
| Polytyp | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| Oberflächenorientierung (6H-N/4H-P/6H-P) | Fehlorientierung: 0 . 0 °- 8 . 0 °in Richtung < 11 – 20 > ± 0 . 5° | ||
| Oberflächenorientierung (3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| Spezifischer Widerstand (6H-N/4H-P/6H-P) | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| Spezifischer Widerstand (3C-N) | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| Vorderseite | Si-Seite: CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| Rückseite | C-Face: optische Politur, Ra< 1 .0 nm | ||
| Laserbeschriftung | Rückseite : C--Fläche | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| BOW (Durchbiegung) | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| VERZUG | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
Spezifikationen der ultradünnen hochreinen halbisolierenden (HPSI) 4H-SiC-Wafer
| HPSI 4H-SiC Ultradünnwafer | |||
| Durchmesser | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| Abmessungen | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| Dicke | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| Oberflächenorientierung | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| Orientierung der Primärfläche | < 1- 100> ±1° | ||
| Länge der Primärfläche | 16.0 mm | 32 .5mm | Notch |
| Orientierung der Sekundärfläche | Siliziumseite oben: 90.0 ˚ im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5.0˚ | N/A | |
| Länge der Sekundärfläche | 8mm | 18 mm | N/A |
| Spezifischer Widerstand | > 1 E7 Ω .cm | ||
| Oberflächengüte | Poliert, Ra≤ 10nm | Ultradünn, Ra<20nm | |
| Laserbeschriftung | Rückseite: C-Fläche | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| Randausschluss | ≤ 3 mm |
Eigenschaften von SiC-Einkristall
| Siliziumkarbid-Einkristall | |
| Kristallstruktur | Hexagonaler Kristall |
| Bandlücke (eV) | 3 .26 eV |
| Schmelzpunkt (℃) | 2730 ℃ |
| Mohs-Härte (mohs) | 9.2 |
| Wärmeleitfähigkeit (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| Wärmeausdehnungskoeffizient (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| Gitterkonstante (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| Elektronenbeweglichkeit (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| Durchbruchfeldstärke (MV· cm^-1) | 3.1 |
| JFM-Index (Leistung) | 410 |
| BFM-Index (SW) | 290 |
| BHFM-Index (RF) | 34 |
| Brechungsindex | 2.6767 ~ 2.6480 |
Weitere Werkstoffe für Kristallwafer und Substrate
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Fragen von Einkäufern
Wie lautet die Oberflächenorientierung des SiC-Wafers?
Wie lautet der spezifische Widerstand des SiC-Wafers?
Welche Vorderseite hat der SiC-Wafer?
Welche Rückseite hat der SiC-Wafer?
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