Siliziumwafer
OST Photonics bietet eine große Auswahl an Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Die Waferdurchmesser reichen von 2 Zoll (50.8mm) bis 12 Zoll...
Siliziumwafer
OST Photonics bietet eine breite Auswahl an Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Die Waferdurchmesser reichen von 2 Zoll (50.8mm) bis 12 Zoll (300mm), und es stehen drei Kristallorientierungen zur Auswahl: <100>, <111> und <110>; die Dicke kann ebenfalls nach Ihren Anforderungen gefertigt werden. Darüber hinaus sind auch SOI-Wafer, oxidierte Siliziumwafer, kundenspezifische Siliziumsubstrate und Siliziumingots erhältlich...
- HerstellerOST Photonics
- KategorieKristallwafer und Substrat
- LieferzeitWird je Auftrag angegeben
- AnpassungGröße, Orientierung und Oberflächengüte nach Zeichnung
Siliziumwafer (Si-Wafer)
Spezifikationen der Czochralski-Siliziumwafer (CZ)
| Position | Technische Daten | ||||||
| Durchmesser | 2″ | 3″ | 4″ | 5″ | 6″ | 8″ | 12″ |
| Qualität | Prime Grade, Test Grade, Dummy Grade | ||||||
| Züchtungsverfahren | CZ | ||||||
| Orientierung | <100>,<111>,<110>, etc. | ||||||
| Typ/Dotierstoff | P-Typ/Bor, N-Typ/Phosphor, N-Typ/As, N-Typ/Sb | ||||||
| Dicke (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Dickentoleranz | Standard ±25um, maximale Fertigungsmöglichkeit ±5um | ± 20um | ± 20um | ||||
| Resistivity(Ohm-cm) | 0.001-100 | ||||||
| Oberflächengüte | Poliert/geätzt, poliert/poliert, geätzt/geätzt, geschliffen/geschliffen | ||||||
| TTV (um) | Standard < 10um, maximale Fertigungsmöglichkeit<5um | ||||||
| Bow/Warp (um) | Standard < 40um, maximale Fertigungsmöglichkeit<20um | <40um | <40um | ||||
| Partikel | Auf Anfrage |
Spezifikationen der Zonenschmelz-Siliziumwafer (FZ)
| Position | Technische Daten | |||||
| Durchmesser | 2″ | 3″ | 4″ | 5″ | 6″ | 8″ |
| Qualität | Prime Grade, Test Grade, Dummy Grade | |||||
| Züchtungsverfahren | FZ | |||||
| Orientierung | <100>,<111>, etc. | |||||
| Typ/Dotierstoff | Intrinsisch, P-Typ/Bor, N-Typ/Phosphor | |||||
| Dicke (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Dickentoleranz | Standard ±25um | ± 50um | ||||
| Resistivity(Ohm-cm) | 1000-30000 and 1-5 | |||||
| Oberflächengüte | Poliert/geätzt, poliert/poliert, geätzt/geätzt, geschliffen/geschliffen | |||||
| TTV (um) | Standard < 10um | |||||
| Bow/Warp (um) | Standard < 40um | <50um | ||||
| Partikel | Auf Anfrage |
Spezifikationen der oxidierten Siliziumwafer
| Position | Technische Daten | ||||||
| Durchmesser | 2″ | 3″ | 4″ | 5″ | 6″ | 8” | 12” |
| Qualität | Prime Grade, Test Grade, Dummy Grade | ||||||
| Züchtungsverfahren | CZ, FZ | ||||||
| Orientierung | <100>,<111>,<110>, etc. | ||||||
| Typ/Dotierstoff | Intrinsisch, P-Typ/Bor, N-Typ/Phosphor, N-Typ/As, N-Typ/Sb | ||||||
| Dicke (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Dickentoleranz | Standard ±25um, maximale Fertigungsmöglichkeit ±5um | ± 20um | ± 20um | ||||
| Oxiddicke (nm) | 20-2000 | ||||||
| Resistivity(Ohm-cm) | 0.001-30000 | ||||||
| Oberflächengüte | Poliert/geätzt, poliert/poliert | ||||||
| TTV (um) | Standard < 10um, maximale Fertigungsmöglichkeit<5um | ||||||
| Bow/Warp (um) | Standard < 40um, maximale Fertigungsmöglichkeit<20um | <40um | <40um | ||||
| Partikel | Auf Anfrage |
Spezifikationen der Siliziumbarren
| Position | Technische Daten | |||||
| Durchmesser | 2″ | 3″ | 4″ | 5″ | 6″ | 8″ |
| Qualität | Prime Grade, Test Grade, Dummy Grade | |||||
| Züchtungsverfahren | CZ, FZ | |||||
| Orientierung | <100>,<111>,<110>, etc. | |||||
| Typ/Dotierstoff | Intrinsisch, P-Typ/Bor, N-Typ/Phosphor, N-Typ/As, N-Typ/Sb | |||||
| Sauerstoffgehalt | 8-18 ppma | |||||
| Kohlenstoffgehalt | >1 ppma | |||||
| Resistivity(Ohm-cm) | 0.001-30000 ohm-cm | |||||
| Lebensdauer | >50us |
Weitere Werkstoffe für Kristallwafer und Substrate
Angebot anfordern für Wafer aus Silizium
Senden Sie uns Ihre Abmessungen, die Orientierung, die Oberflächengüte und die Menge. Unsere Ingenieure antworten mit einem technischen Vorschlag und einem Preis.
Häufige Fragen
Fragen von Einkäufern
Welchen Artikel hat der Siliziumwafer?
Die Position von Silizium-Wafer ist Spezifikationen.
Welche Güte hat der Siliziumwafer?
Die Qualitätsstufe von Silizium-Wafer ist Prime-Qualität, Test-Qualität, Dummy-Qualität.
Welche Züchtungsmethode hat der Siliziumwafer?
Das Züchtungsverfahren von Silizium-Wafer ist CZ.
Wie lautet die Orientierung des Silizium-Wafers?
Die Orientierung von Silizium-Wafer ist <100>,<111>,<110> usw..
Wie erhalte ich ein Angebot für Siliziumwafer?
Senden Sie Menge, Spezifikation und Ihren Bestimmungshafen per E-Mail oder Telefon an Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd. Auf dieser Website gibt es kein Anfrageformular, Ihre Nachricht erreicht daher direkt einen Ingenieur und keine Kontaktwarteschlange.
Ist es möglich, Silizium-Wafer nach kundenspezifischen Vorgaben zu fertigen?
Kundenspezifische Abmessungen und Oberflächen werden im Einzelfall anhand Ihrer Zeichnung oder schriftlichen Spezifikation kalkuliert. Senden Sie uns Ihren Bedarf, und das Werk bestätigt vor Ihrer Bestellung, was machbar ist und mit welcher Toleranz.
Wer stellt den Silizium-Wafer her?
Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd., auftretend als OST Photonics, fertigt seit 2010 in Jiaxing, Zhejiang, China.
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