SiCウェハ
OST Photonicsは半導体産業向けにSiCウェーハを提供しています。SiC材料の導電型は2種類からお選びいただけます: N型4H-SiC...
SiCウェハ
OST Photonicsは、半導体産業向けにSiCウェーハをご提供しています。SiC材料の導電タイプは2種類からお選びいただけます。N型4H-SiC（導電型）と高純度セミインシュレーティング（HPSI）4H-SiCです。高純度セミインシュレーティングSiCウェーハは主に5G通信用途に使用されます。無線周波数帯域の向上、超長距離の識別、耐干渉性、高速...
- 製造元OST Photonics
- カテゴリー結晶ウェハおよび基板
- 納期ご注文ごとに提示
- カスタマイズ図面に基づくサイズ、結晶方位、表面仕上げ
OST Photonicsは、半導体産業向けにSiCウェーハをご提供しています。SiC材料の導電タイプは2種類からお選びいただけます。N型4H-SiC（導電型）と高純度セミインシュレーティング（HPSI）4H-SiCです。高純度セミインシュレーティングSiCウェーハは主に5G通信用途に使用されます。無線周波数帯域の向上、超長距離の識別、耐干渉性、高速・大容量の情報伝送といった利点があり、マイクロ波電力デバイスを製造するうえで最も理想的な材料とされています。N型SiCウェーハは主に新エネルギー自動車、高圧送変電所、白物家電、高速鉄道、モーター、太陽光発電用インバータ、パルス電源などの分野で使用され、機器のエネルギー損失の低減、信頼性の向上、装置の小型化、性能の向上といった利点があり、パワーエレクトロニクスデバイスの製造において代替の効かない優位性を備えています。
N型4H-SiCウエハ(導電型)の仕様
| N型4H-SiCウェハ（導電型） | ||||
| 直径 | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| 厚さ | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| 表面方位 | オフアクシス:<0001> 4 ° <11- 20>方向 ± 0 . 5° | |||
| プライマリフラットの方位 | <1 1 -20 >に平行 ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| プライマリフラットの長さ | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | ノッチ |
| セカンダリフラットの方位 | シリコン面上向き: プライマリフラットから時計回りに 90.0 ˚ ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| セカンダリフラットの長さ | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| 抵抗率 | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| 表面 | Si面 : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| 裏面 | C-Face : 光学研磨、Ra<0 . 5nm | |||
| レーザーマーキング | 裏面 : C面 | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| ボウ | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| ワープ | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| エッジ除外領域 | ≤ 3 mm |
高純度半絶縁性(HPSI)4H-SiCウエハの仕様
| 高純度セミインシュレーティング(HPSI) 4H-SiCウエハ | |||||
| 直径 | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| 厚さ | 500μ m (DSP) | ||||
| 表面方位 | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| プライマリフラットの方位 | < 1- 100 > ±1° | ||||
| プライマリフラットの長さ | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | ノッチ | ノッチ |
| セカンダリフラットの方位 | シリコン面上向き: プライマリフラットから時計回りに 90.0 ˚ ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| セカンダリフラットの長さ | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| 抵抗率 | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| 表面 | Si面:CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| 裏面 | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face 研磨済み.Ra＜5nm | |||
| レーザーマーキング | 裏面: C面 | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| ボウ | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| ワープ | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| エッジ除外領域 | ≤ 3 mm |
特殊ポリタイプSiCウエハの仕様
| 特殊ポリタイプSiCウエハ(6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| 寸法 | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| 厚さ | 350μm(DSP) | ||
| ポリタイプ | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| 表面方位(6H-N/4H-P/6H-P) | オフアクシス: 0 . 0 °- 8 . 0 °< 11 – 20 >方向 ± 0 . 5° | ||
| 表面方位(3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| 抵抗率（6H-N/4H-P/6H-P） | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| 抵抗率（3C-N） | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| 表面 | Si面:CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| 裏面 | C-Face: 光学研磨、Ra< 1 .0 nm | ||
| レーザーマーキング | 裏面 : C-面 | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| ボウ | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| ワープ | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
高純度半絶縁性(HPSI)4H-SiC超薄型ウエハの仕様
| HPSI 4H-SiC 極薄ウエハ | |||
| 直径 | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| 寸法 | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| 厚さ | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| 表面方位 | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| プライマリフラットの方位 | < 1- 100> ±1° | ||
| プライマリフラットの長さ | 16.0 mm | 32 .5mm | ノッチ |
| セカンダリフラットの方位 | シリコン面上向き: プライマリフラットから時計回りに 90.0 ˚ ± 5.0˚ | N/A | |
| セカンダリフラットの長さ | 8mm | 18 mm | N/A |
| 抵抗率 | > 1 E7 Ω .cm | ||
| 表面仕上げ | 研磨、Ra≤ 10nm | 超薄型、Ra<20nm | |
| レーザーマーキング | 裏面: C面 | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| エッジ除外領域 | ≤ 3 mm |
SiC 単結晶の特性
| 炭化ケイ素単結晶 | |
| 結晶構造 | 六方晶 |
| バンドギャップ (eV) | 3 .26 eV |
| 融点（℃） | 2730 ℃ |
| モース硬度 (mohs) | 9.2 |
| 熱伝導率 (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| 熱膨張係数 (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| 格子定数 (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| 電子移動度 (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| 絶縁破壊電界 (MV· cm^-1) | 3.1 |
| JFM指数（電力） | 410 |
| BFM指数 (SW) | 290 |
| BHFM指数 (RF) | 34 |
| 屈折率 | 2.6767 ~ 2.6480 |
SiC ウェハーのお見積り依頼
寸法、結晶方位、表面仕上げ、数量をお送りください。エンジニアが技術提案と価格をご返信いたします。
よくあるご質問
バイヤーからのご質問
SiCウェーハの表面方位は何ですか？
SiCウェーハの表面方位はオフアクシス:<0001> 4 ° <11- 20>方向 ± 0 . 5°です。
SiCウェーハの抵抗率はどれくらいですか？
SiCウェーハの抵抗率は0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cmです。
SiC ウェハーの表面は何ですか？
SiCウェーハの表面はSi面 : CMP , Ra<0 . 2nmです。
SiC ウェハーの裏面は何ですか？
SiCウェハーの裏面はC面：光学研磨、Ra<0 . 5nmです。
SiC ウエハの見積もりを取得するにはどうすればよいですか？
数量、仕様、仕向港を電子メールまたは電話でJiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd.までお送りください。本サイトには問い合わせフォームがないため、お客様のご連絡は受付窓口を経由せず、直接エンジニアに届きます。
SiCウェハはカスタム仕様で製作できますか？
特注寸法および表面仕上げは、お客様の図面または仕様書に基づき個別にお見積もりいたします。ご要望をお送りいただければ、ご発注前に工場が実現可能な範囲と公差を確認いたします。
SiCウェハーは誰が製造していますか？
Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd.は、OST Photonicsの名称で事業を行い、2010年より中国浙江省嘉興市で製造しています。