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유형 고온 초전도(HTS) 박막 기판 자성 및 강유전체 박막 기판 GaN 에피택셜 박막 기판 반도체 기판 할라이드 결정 기판 재료 LaAlO3 , LSAT, SrTiO3 , MgO , YSZ, KTaO3, SrLaAlO4, YAlO3, MgAl2O4 LaAlO3 , LSAT, SrTiO3 , Nb:SrTiO3, Fe:SrTiO3, Nd:SrTiO3, Al2O3 , MgAl2O4 , GGG , TiO2, TGG Al2O3 , Si, GaAs, LiAlO2, MgAl2O4 , SiC, ZnO, GaN Si, Ge,...

  • 제조사OST Photonics
  • 분류결정 웨이퍼 및 기판
  • 납기주문 건별 제시
  • 맞춤 제작도면에 따른 치수, 결정 방위 및 표면 가공

OST Photonics는 연구기관과 산업계에 모든 유형의 단결정 소재와 기판을 공급하며, 공급 가능한 소재는 아래 표와 같습니다.

(1) 고온 초전도(HTS) 박막용 기판

소재구조결정 방위융점밀도경도굴절률열팽창 계수(/K)유전 상수최대 크기표준 치수
LaAlO3≈Cubica=3.821Å<100><110><111>2100℃6.52 g/cm36.5 Mohs1.809.2 x 10^-624.5Φ3″Φ3″ x 0.5 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7Cubica=3.868Å<100><110><111>1840℃6.74 g/cm36.5 Mohs10 x 10^-622Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
SrTiO3Cubica=3.90Å<100><110><111>2050℃5.175 g/cm36 Mohs2.40910.4 x 10^-6300Φ30 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
MgOCubica=4.216Å<100><110><111>2852℃3.58 g/cm35.5~6 Mohs1.5812.8 x 10^-69.8050 x 50 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
YSZCubicc=5.125Å<100><110><111>2500℃5.80 g/cm37 Mohs1.9610.3 x 10^-627Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
KTaO3Cubica=3.984Å<100><110><111>1352℃7.03 g/cm36 Mohs2.004.03 x 10^-620 x 20 mm20 x 20 x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
SrLaAlO4M4a=3.756Åc=12.63Å<001>1650℃5.92 g/cm36 Mohs<100> 10.05 x 10^-6<001> 18.9 x 10^-616.8Φ20 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
YAlO3사방정계a=5.1796Åb=5.3286Åc=7.3706Å<100><010><001>1870℃5.37 g/cm38.5 Mohs4.2 x 10^-6//a 11.7 x 10^-6//b5.1 x 10^-6//cΦ30 mm10 x 10 x 0.5 mmΦ30 x 0.5 mm
MgAl2O4Cubica=8.083Å<100><110><111>2130℃3.60 g/cm37.5~8 Mohs1.719.65Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm

(2) 자성 및 강유전체 박막용 기판

소재구조결정 방위융점밀도경도굴절률열팽창 계수(/K)유전 상수최대 크기표준 치수
LaAlO3≈Cubica=3.821Å<100><110><111>2100℃6.52 g/cm36.5 Mohs1.809.2 x 10^-624.5Φ3″Φ3″ x 0.5 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7Cubica=3.868Å<100><110><111>1840℃6.74 g/cm36.5 Mohs10 x 10^-622Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
SrTiO3Cubica=3.90Å<100><110><111>2050℃5.175 g/cm36 Mohs2.40910.4 x 10^-6300Φ30 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
Nb:SrTiO3Fe:SrTiO3Nd:SrTiO3Cubica=3.90Å<100><110><111>2050℃5.175 g/cm36 Mohs2.40910.4 x 10^-6300Φ30 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
Al2O3M6a=4.758Åc=12.99Å<0001><11-20><10-10><1-102>2040℃3.97 g/cm39 Mohs1.777.50 x 10^-6[email protected]@C-axisΦ180 mmΦ50.8 x 0.5 mmΦ100 x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm
MgAl2O4Cubica=8.083Å<100><110><111>2130℃3.60 g/cm37.5~8 Mohs1.717.45 x 10^-6Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
GGGCubica=12.37Å<100><110><111>1860℃7.05 g/cm36~7 Mohs1.95Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
TiO2M4a=4.593Åc=2.958Å<100><001><110><111>1840℃4.26 g/cm37 Mohs2.72Φ23~25 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
TGGCubica=12.355Å<100><110><111>1725℃7.13 g/cm38 Mohs1.954Φ30 mmΦ30 x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm5 x 5 x 10 mm

(3) GaN 에피택셜 박막용 기판

소재구조결정 방위융점밀도경도열팽창 계수(/K)GaN에 대한 격자 부정합최대 크기표준 치수
Al2O3M6a=4.758Åc=12.99Å<0001><11-20><10-10><1-102>2040℃3.97 g/cm39 Mohs7.50 x 10^-616.1%@<0001>Φ180 mmΦ50.8 x 0.5 mmΦ100 x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm
SiCubica=5.0430Å<100><110><111>1415℃2.33 g/cm35.5~6 Mohs2.59 x 10^-620.5%@<111>50 x 50 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
GaAsCubica=5.653Å<100>1238℃5.31 g/cm36.5 Mohs5.75 x 10^-619.9%@<111>Φ4″Φ4″ x 0.625mmΦ2″ x 0.35mm
LiAlO2M4a=5.17Åc=6.26Å<100><001><110><111>1900℃2.62 g/cm37.5 Mohs7.1 x 10^-61.4%@<100>Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
MgAl2O4Cubica=8.083Å<100><110><111>2130℃3.60 g/cm37.5~8 Mohs7.45 x 10^-69%@<111>Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
SiCM6a=3.080Åc=15.12Å<0001><11-20><10-10>2830℃3.217 g/cm39.2 Mohs4.2 x 10^-6@c3.5%@<0001>Φ4″Φ2″ x 0.33 mm10 x 10 x 0.33 mm
ZnOM6a=3.325Åc=5.213Å<0001><11-20><10-10>1975℃5.605 g/cm34.5 Mohs2.92 x 10^-6@c2.0%@<0001>Φ25 mm10 x 10 x 0.5 mm20 x 20 x 0.5 mm
GaNM6a=0.3189Åc=0.5186Å<0001>1700℃6.1 g/cm38 Mohs3.17 x 10^[email protected] x 10^-6@a0%@<0001>Φ2″Φ2″ x 0.3 mm10 x 10 x 0.3 mm

(4) 반도체 기판

소재구조결정 방위융점밀도밴드갭전도도 유형도판트비저항최대 크기표준 치수
SiCubica=5.0430Å<100><110><111>1415℃2.33 g/cm31.124 evN 또는 P무도핑>1000 Ώ.cmΦ6″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mmΦ4″ x 0.5 mm
NP0.001~40 Ώ.cm
PB100~10000 Ώ.cm
GeCubica=5.6575Å<100><110><111>937.4℃5.323 g/cm30.66 ev/무도핑>30 Ώ.cmΦ4″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mmΦ4″ x 0.5 mm
NSb0.01~30 Ώ.cm
PIn 또는 Ga0.01~30 Ώ.cm
GaAsCubica=5.653Å<100>1238℃5.31 g/cm31.424 evN무도핑>10^7 Ώ.cmΦ4″Φ2″ x 0.35 mmΦ4″ x 0.625 mm
Si<0.1 Ώ.cm
InPCubica=5.869Å<100>1600℃4.79 g/cm31.344 evN무도핑Φ3″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm
S 또는 Fe
PZn
InAsCubica=6.058Å<100>942℃5.66 g/cm30.45 evN무도핑Φ3″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm
S 또는 Sn
PZn
GaSbCubica=6.094Å<100>712℃5.53 g/cm30.67 evP무도핑Φ3″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm
Zn
NTe

(5) 할라이드 결정 기판

소재구조결정 방위융점밀도투과 범위표준 치수
NaClCubica=5.642Å<100><110><111>804℃2.16 g/cm30.26~22 um10 x 10 x 2.0 mm20 x 20 x 2.0 mm
KClCubica=6.291Å<100><110><111>770℃1.98 g/cm30.20~27.5 um10 x 10 x 2.0 mm20 x 20 x 2.0 mm
KBrCubica=5.596Å<100><110><111>734℃2.75 g/cm30.20~34 um10 x 10 x 2.0 mm20 x 20 x 2.0 mm

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