Lista de materiais de substrato
Tipo Substrato de filme fino supercondutor de alta temperatura (HTS) Substrato de filme fino magnético e ferroelétrico Substrato de filme fino epitaxial de GaN...
Lista de materiais de substrato
Tipo Substrato de película fina supercondutora de alta temperatura (HTS) Substrato de película fina magnética e ferroelétrica Substrato de película fina epitaxial de GaN Substrato semicondutor Substrato de cristal haleto Material LaAlO3 , LSAT, SrTiO3 , MgO , YSZ, KTaO3, SrLaAlO4, YAlO3, MgAl2O4 LaAlO3 , LSAT, SrTiO3 , Nb:SrTiO3, Fe:SrTiO3, Nd:SrTiO3, Al2O3 , MgAl2O4 , GGG , TiO2, TGG Al2O3 , Si, GaAs, LiAlO2, MgAl2O4 , SiC, ZnO, GaN Si, Ge,...
- FabricanteOST Photonics
- CategoriaWafer e substrato de cristal
- Prazo de entregaOrçamentado por encomenda
- PersonalizaçãoDimensão, orientação e acabamento superficial conforme desenho
A OST Photonics fornece todos os tipos de materiais monocristalinos e substratos para investigadores e indústrias; a tabela abaixo enumera os materiais que podemos fornecer.
(1) Substrato para películas finas supercondutoras de alta temperatura (HTS)
| Material | Estrutura | Orientação | Ponto de fusão | Densidade | Dureza | Índice de refração | Coeficiente de dilatação térmica (/K) | Constantes dielétricas | Tamanho máximo | Tamanho típico |
| LaAlO3 | ≈Cubica=3.821Å | <100><110><111> | 2100℃ | 6.52 g/cm3 | 6.5 Mohs | 1.80 | 9.2 x 10^-6 | 24.5 | Φ3″ | Φ3″ x 0.5 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7 | Cubica=3.868Å | <100><110><111> | 1840℃ | 6.74 g/cm3 | 6.5 Mohs | 10 x 10^-6 | 22 | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm | |
| SrTiO3 | Cubica=3.90Å | <100><110><111> | 2050℃ | 5.175 g/cm3 | 6 Mohs | 2.409 | 10.4 x 10^-6 | 300 | Φ30 mm | 10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm |
| MgO | Cubica=4.216Å | <100><110><111> | 2852℃ | 3.58 g/cm3 | 5.5~6 Mohs | 1.58 | 12.8 x 10^-6 | 9.80 | 50 x 50 mm | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| YSZ | Cubicc=5.125Å | <100><110><111> | 2500℃ | 5.80 g/cm3 | 7 Mohs | 1.96 | 10.3 x 10^-6 | 27 | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| KTaO3 | Cubica=3.984Å | <100><110><111> | 1352℃ | 7.03 g/cm3 | 6 Mohs | 2.00 | 4.03 x 10^-6 | 20 x 20 mm | 20 x 20 x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm | |
| SrLaAlO4 | M4a=3.756Åc=12.63Å | <001> | 1650℃ | 5.92 g/cm3 | 6 Mohs | <100> 10.05 x 10^-6<001> 18.9 x 10^-6 | 16.8 | Φ20 mm | 10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm | |
| YAlO3 | Ortorrômbicoa=5.1796Åb=5.3286Åc=7.3706Å | <100><010><001> | 1870℃ | 5.37 g/cm3 | 8.5 Mohs | 4.2 x 10^-6//a 11.7 x 10^-6//b5.1 x 10^-6//c | Φ30 mm | 10 x 10 x 0.5 mmΦ30 x 0.5 mm | ||
| MgAl2O4 | Cubica=8.083Å | <100><110><111> | 2130℃ | 3.60 g/cm3 | 7.5~8 Mohs | 1.71 | 9.65 | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
(2) Substrato para películas finas magnéticas e ferroelétricas
| Material | Estrutura | Orientação | Ponto de fusão | Densidade | Dureza | Índice de refração | Coeficiente de dilatação térmica (/K) | Constantes dielétricas | Tamanho máximo | Tamanho típico |
| LaAlO3 | ≈Cubica=3.821Å | <100><110><111> | 2100℃ | 6.52 g/cm3 | 6.5 Mohs | 1.80 | 9.2 x 10^-6 | 24.5 | Φ3″ | Φ3″ x 0.5 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7 | Cubica=3.868Å | <100><110><111> | 1840℃ | 6.74 g/cm3 | 6.5 Mohs | 10 x 10^-6 | 22 | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm | |
| SrTiO3 | Cubica=3.90Å | <100><110><111> | 2050℃ | 5.175 g/cm3 | 6 Mohs | 2.409 | 10.4 x 10^-6 | 300 | Φ30 mm | 10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm |
| Nb:SrTiO3Fe:SrTiO3Nd:SrTiO3 | Cubica=3.90Å | <100><110><111> | 2050℃ | 5.175 g/cm3 | 6 Mohs | 2.409 | 10.4 x 10^-6 | 300 | Φ30 mm | 10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm |
| Al2O3 | M6a=4.758Åc=12.99Å | <0001><11-20><10-10><1-102> | 2040℃ | 3.97 g/cm3 | 9 Mohs | 1.77 | 7.50 x 10^-6 | [email protected]@C-axis | Φ180 mm | Φ50.8 x 0.5 mmΦ100 x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm |
| MgAl2O4 | Cubica=8.083Å | <100><110><111> | 2130℃ | 3.60 g/cm3 | 7.5~8 Mohs | 1.71 | 7.45 x 10^-6 | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm | |
| GGG | Cubica=12.37Å | <100><110><111> | 1860℃ | 7.05 g/cm3 | 6~7 Mohs | 1.95 | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm | ||
| TiO2 | M4a=4.593Åc=2.958Å | <100><001><110><111> | 1840℃ | 4.26 g/cm3 | 7 Mohs | 2.72 | Φ23~25 mm | 10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm | ||
| TGG | Cubica=12.355Å | <100><110><111> | 1725℃ | 7.13 g/cm3 | 8 Mohs | 1.954 | Φ30 mm | Φ30 x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm5 x 5 x 10 mm |
(3) Substrato para películas finas epitaxiais de GaN
| Material | Estrutura | Orientação | Ponto de fusão | Densidade | Dureza | Coeficiente de dilatação térmica (/K) | Desajuste de rede para GaN | Tamanho máximo | Tamanho típico |
| Al2O3 | M6a=4.758Åc=12.99Å | <0001><11-20><10-10><1-102> | 2040℃ | 3.97 g/cm3 | 9 Mohs | 7.50 x 10^-6 | 16.1%@<0001> | Φ180 mm | Φ50.8 x 0.5 mmΦ100 x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm |
| Si | Cubica=5.0430Å | <100><110><111> | 1415℃ | 2.33 g/cm3 | 5.5~6 Mohs | 2.59 x 10^-6 | 20.5%@<111> | 50 x 50 mm | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| GaAs | Cubica=5.653Å | <100> | 1238℃ | 5.31 g/cm3 | 6.5 Mohs | 5.75 x 10^-6 | 19.9%@<111> | Φ4″ | Φ4″ x 0.625mmΦ2″ x 0.35mm |
| LiAlO2 | M4a=5.17Åc=6.26Å | <100><001><110><111> | 1900℃ | 2.62 g/cm3 | 7.5 Mohs | 7.1 x 10^-6 | 1.4%@<100> | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| MgAl2O4 | Cubica=8.083Å | <100><110><111> | 2130℃ | 3.60 g/cm3 | 7.5~8 Mohs | 7.45 x 10^-6 | 9%@<111> | Φ2″ | Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm |
| SiC | M6a=3.080Åc=15.12Å | <0001><11-20><10-10> | 2830℃ | 3.217 g/cm3 | 9.2 Mohs | 4.2 x 10^-6@c | 3.5%@<0001> | Φ4″ | Φ2″ x 0.33 mm10 x 10 x 0.33 mm |
| ZnO | M6a=3.325Åc=5.213Å | <0001><11-20><10-10> | 1975℃ | 5.605 g/cm3 | 4.5 Mohs | 2.92 x 10^-6@c | 2.0%@<0001> | Φ25 mm | 10 x 10 x 0.5 mm20 x 20 x 0.5 mm |
| GaN | M6a=0.3189Åc=0.5186Å | <0001> | 1700℃ | 6.1 g/cm3 | 8 Mohs | 3.17 x 10^[email protected] x 10^-6@a | 0%@<0001> | Φ2″ | Φ2″ x 0.3 mm10 x 10 x 0.3 mm |
(4) Substrato semicondutor
| Material | Estrutura | Orientação | Ponto de fusão | Densidade | Banda proibida | Tipo de condutividade | Dopante | Resistividade | Tamanho máximo | Tamanho típico |
| Si | Cubica=5.0430Å | <100><110><111> | 1415℃ | 2.33 g/cm3 | 1.124 ev | N ou P | não dopado | >1000 Ώ.cm | Φ6″ | Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mmΦ4″ x 0.5 mm |
| N | P | 0.001~40 Ώ.cm | ||||||||
| P | B | 100~10000 Ώ.cm | ||||||||
| Ge | Cubica=5.6575Å | <100><110><111> | 937.4℃ | 5.323 g/cm3 | 0.66 ev | / | não dopado | >30 Ώ.cm | Φ4″ | Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mmΦ4″ x 0.5 mm |
| N | Sb | 0.01~30 Ώ.cm | ||||||||
| P | In ou Ga | 0.01~30 Ώ.cm | ||||||||
| GaAs | Cubica=5.653Å | <100> | 1238℃ | 5.31 g/cm3 | 1.424 ev | N | não dopado | >10^7 Ώ.cm | Φ4″ | Φ2″ x 0.35 mmΦ4″ x 0.625 mm |
| Si | <0.1 Ώ.cm | |||||||||
| InP | Cubica=5.869Å | <100> | 1600℃ | 4.79 g/cm3 | 1.344 ev | N | não dopado | Φ3″ | Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm | |
| S ou Fe | ||||||||||
| P | Zn | |||||||||
| InAs | Cubica=6.058Å | <100> | 942℃ | 5.66 g/cm3 | 0.45 ev | N | não dopado | Φ3″ | Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm | |
| S ou Sn | ||||||||||
| P | Zn | |||||||||
| GaSb | Cubica=6.094Å | <100> | 712℃ | 5.53 g/cm3 | 0.67 ev | P | não dopado | Φ3″ | Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm | |
| Zn | ||||||||||
| N | Te |
(5) Substrato de cristal haleto
| Material | Estrutura | Orientação | Ponto de fusão | Densidade | Gama de transmissão | Tamanho típico |
| NaCl | Cubica=5.642Å | <100><110><111> | 804℃ | 2.16 g/cm3 | 0.26~22 um | 10 x 10 x 2,0 mm20 x 20 x 2,0 mm |
| KCl | Cubica=6.291Å | <100><110><111> | 770℃ | 1.98 g/cm3 | 0.20~27.5 um | 10 x 10 x 2,0 mm20 x 20 x 2,0 mm |
| KBr | Cubica=5.596Å | <100><110><111> | 734℃ | 2.75 g/cm3 | 0.20~34 um | 10 x 10 x 2,0 mm20 x 20 x 2,0 mm |
Outros materiais de wafers e substratos de cristal
Solicitar orçamento para lista de materiais de substrato
Envie-nos as suas dimensões, a orientação, o acabamento superficial e a quantidade. Os nossos engenheiros respondem com uma proposta técnica e um preço.
Perguntas frequentes
Perguntas dos compradores
Como posso solicitar um orçamento de Lista de materiais de substrato?
Envie a quantidade, a especificação e o seu porto de destino para a Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd. por email ou telefone. Este site não tem formulário de consulta, pelo que a sua mensagem chega diretamente a um engenheiro e não a uma fila de contactos.
É possível fabricar lista de materiais de substrato conforme uma especificação personalizada?
As dimensões e os acabamentos personalizados são orçamentados caso a caso com base no seu desenho ou especificação escrita. Envie o que necessita e a fábrica confirmará o que é exequível, e com que tolerância, antes de efetuar a encomenda.
Quem fabrica a lista de materiais de substrato?
Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd., que opera sob a designação OST Photonics, fabrica em Jiaxing, Zhejiang, China desde 2010.
Diga-nos o que necessita
Envie a sua especificação, a quantidade e o porto de destino. Os nossos engenheiros respondem com uma proposta técnica e um prazo de entrega confirmado.